伊夫·奥德特
人员信息
优化列表
![笔记](https://dblp.org/img/note-mark.dark.12x12.png)
2020年–今天
2024 [公元14年] 马哈茂德·艾哈迈德 , 塞巴斯蒂安·杰纳维 , 穆罕默德·阿里 , 伊冯·萨瓦里亚 , 伊夫·奥德特 :
TEG能量收集的最新启动技术:综述。 IEEE接入 12 : 34116-34130 ( 2024 ) [j13] 伊萨·阿尔图巴吉 , 艾哈迈德·哈桑 , 穆罕默德·阿里 , 伊夫·奥德特 , 艾哈迈德·拉赫萨西 :
一种用于1.9-ns传输延迟电容数字隔离器的低功耗0.68-Gbps数据通信系统。 IEEE传输。 超大规模集成。 系统。 32 ( 5 ) : 952-956 ( 2024 ) 2023 [公元12年] 马欣·伊斯梅尔扎德 , 伊夫·奥德特 , 穆罕默德·阿里 , 穆罕默德·萨万 :
一种基于低偏移VCO的时域比较器,使用具有减少死区和盲区的相位频率检测器。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 70 ( 三 ) : 1017-1029 ( 2023 ) [公元11年] 马欣·伊斯梅尔扎德 , 伊夫·奥德特 , 穆罕默德·阿里 , 穆罕默德·萨万 :
一种具有改进温度灵敏度的宽范围低功率晶闸管延迟元件。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 70 ( 7 ) : 2370-2374 ( 2023 ) 2022 [公元10年] 穆罕默德·阿里 , 艾哈迈德·哈桑 , 穆罕默德·霍纳帕瓦尔 , 莫特扎·纳巴维 , 伊夫·奥德特 , 穆罕默德·萨万 , 伊冯·萨瓦里亚 :
工业应用的多功能SoC/SiP传感器接口:实施挑战。 IEEE接入 10 : 24540-24555 ( 2022 ) [公元9年] 马欣·伊斯梅尔扎德 , 伊夫·奥德特 , 穆罕默德·阿里 , 穆罕默德·萨万 :
一种用于基于时间的传感器接口的低相噪CMOS环形电压控制振荡器。 IEEE接入 10 : 101186-101197 ( 2022 ) [j8] Seyed Sepehr Mirfakhraei公司 , 伊夫·奥德特 , 艾哈迈德·哈桑 , 穆罕默德·萨万 :
IMR大于120 dB的全集成低功耗霍尔隔离放大器。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 69 ( 4 ) : 1385-1394 ( 2022 ) 2021 [j7] Seyed Sepehr Mirfakhraei公司 , 伊夫·奥德特 , 艾哈迈德·哈桑 , 穆罕默德·萨万 :
基于CMOS集成霍尔效应传感器的电流隔离放大器。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 68 ( 4 ) : 1388-1397 ( 2021 ) [第14条] 伊萨·阿尔图巴吉 , 穆罕默德·阿里 , 艾哈迈德·哈桑 , 伊夫·奥德特 , 艾哈迈德·拉赫萨西 :
用于工业传感器接口的0.35µm CMOS高速全集成电容数字隔离系统。 新WCAS 2021 : 1-4 2020 [第13条] Seyed Sepehr Mirfakhraei公司 , 伊夫·奥德特 , 莫特扎·纳巴维 , 巴沙尔·尤尼斯 , 穆罕默德·阿里 , 艾哈迈德·哈桑 , 穆罕默德·萨万 :
使用集成CMOS霍尔效应传感器的宽动态范围前端可编程隔离放大器。 国际会计准则委员会 2020 : 1-5 [第12条] 伊萨·阿尔图巴吉 , 穆罕默德·阿里 , 艾哈迈德·哈桑 , 莫特扎·纳巴维 , 伊夫·奥德特 , 艾哈迈德·拉赫萨西 :
一种全集成片上电感数字隔离器:设计研究与仿真。 MWSCAS公司 2020 : 868-871 [第11条] Seyed Sepehr Mirfakhraei公司 , 伊夫·奥德特 , 艾哈迈德·哈桑 , 穆罕默德·阿里 , 莫特扎·纳巴维 , 穆罕默德·萨万 :
基于CMOS MAGFET的可编程隔离放大器。 新WCAS 2020 : 9-13 [第10条] 马欣·伊斯梅尔扎德 , 穆罕默德·阿里 , 艾哈迈德·哈桑 , 伊夫·奥德特 , 穆罕默德·萨万 :
用于传感器接口应用的低功耗高精度VCO比较器。 新WCAS 2020 : 254-258
2010 – 2019
2018 [i3] 莫斯塔法·达维什 , 伊夫·奥德特 , 伊夫·布拉奎尔 :
基于SRAM的FPGA中敏感节点的延迟监测电路。 CoRR公司 abs/1807.11311 ( 2018 ) 2016 【c9】 马齐埃·梅赫里·德纳维 , 伊夫·奥德特 , Elham Khamsehashari公司 :
用于CMOS图像传感器暗电流补偿的差分积分器像素结构。 新WCAS 2016 : 1-4 2015 [i2] 莫斯塔法·达维什 , 伊夫·奥德特 , 伊夫·布拉奎尔 , 克劳德·蒂博特 :
SRAM FPGA中由于瞬态电离辐射引起的额外组合延迟的电路级建模。 CoRR公司 abs/1502.03057 ( 2015 ) 2014 【c8】 克里斯蒂尔·霍贝卡 , 西蒙·皮切特 , M.A.伦纳德 , 克劳德·蒂博特 , Jean-François Boland公司 , 伊夫·奥德特 :
基于辐射单粒子翻转的多抽象级签名生成与比较。 IOLTS公司 2014 : 212-215 [i1] 法蒂玛·扎赫拉·塔齐 , 克劳德·蒂博特 , 伊冯·萨瓦里亚 , 西蒙·皮切特 , 伊夫·奥德特 :
由于电离辐射影响基于SRAM的FPGA I/O块的延迟故障。 CoRR公司 abs/1409.0736 ( 2014 ) 2013 [j6] 克劳德·蒂博特 , 亚辛·哈里里 , 赛义德·拉斐·哈桑 , 克里斯蒂尔·霍贝卡 , 伊冯·萨瓦里亚 , 伊夫·奥德特 , 法蒂玛·扎赫拉·塔齐 :
基于SRAM的FPGA设计中基于库的早期软错误敏感性分析技术。 《电子杂志》。 测试。 29 ( 4 ) : 457-471 ( 2013 ) 2012 【c7】 塞迪克·本哈迈迪 , 伊夫·奥德特 , 瓦西尔·迪亚科努 :
用于活体人体血液评估的光谱反射照相机。 新WCAS 2012 : 533-536 2011 [j5] 拉赫尔·辛哈 , 伊夫·奥德特 , 伊夫·加格农 , 伊冯·萨瓦里亚 , 埃蒂安·布莱斯 , 米歇尔·穆尼尔 :
激光微调轨对轨精密CMOS运算放大器。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 58英寸 ( 2 ) : 75-79 ( 2011 )
2000 – 2009
2008 【j4】 菲利普·博多因 , 伊夫·奥德特 , 阿卜杜勒哈利姆·本达利 :
描述半导体课程实验室热电模块的特性。 IEEE传输。 教育部。 51 ( 2 ) : 282-287 ( 2008 ) 2007 [j3] 阿卜杜勒哈利姆·本达利 , 伊夫·奥德特 :
具有温度和过程补偿的1-V CMOS电流基准。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 第54页-第一页 ( 7 ) : 1424-1429 ( 2007 ) 【c6】 拉赫尔·辛哈 , 伊夫·奥德特 , 伊夫·加格农 , 伊冯·萨瓦里亚 :
用于减少精密CMOS放大器中偏移的集成电路修剪技术。 国际会计准则委员会 2007 : 709-712 2004 [注2] 格伦·查普曼 , Sunjaya Djaja村 , Desmond Y.H.Cheung先生 , 伊夫·奥德特 , 以色列可兰经 , 扎哈瓦·科伦 :
一种使用硬件和软件校正的自校正有源像素传感器。 IEEE设计。 测试计算。 21 ( 6 ) : 544-551 ( 2004 ) 【c5】 米歇尔·拉海耶 , 格伦·查普曼 , 科里·荣格 , Desmond Y.H.Cheung先生 , Sunjaya Djaja村 , 本杰明·王 , 加里·利奥 , 伊夫·奥德特 :
容错光电二极管和光电门有源像素传感器(APS)的特性。 DFT(干膜厚度) 2004 : 58-66 【c4】 阿卜杜勒哈利姆·本达利 , 伊夫·奥德特 :
带温度和过程变化补偿的低压电流基准。 电路、信号和系统 2004 : 443-446 2003 【c3】 Sunjaya Djaja村 , 格伦·查普曼 , Desmond Y.H.Cheung先生 , 伊夫·奥德特 :
基于容错光电二极管的有源像素传感器(APS)的实现和测试。 DFT(干膜厚度) 2003 : 53- 2001 【c2】 伊夫·奥德特 , 格伦·查普曼 :
一种自校正有源像素传感器的设计。 DFT(干膜厚度) 2001 : 18-
1990 – 1999
1999 [c1] 格伦·查普曼 , 伊夫·奥德特 :
创建35毫米相机主动像素传感器。 DFT(干膜厚度) 1999 : 22-30 1997 [j1] 伊夫·奥德特 , 格伦·查普曼 :
使用冗余方案提高大面积磁场传感器阵列的产量。 IEEE传输。 超大规模集成。 系统。 5 ( 1 ) : 28-33 ( 1997 )
合著者索引
![](https://dblp.org/img/cog.dark.24x24.png)