安·德·科尔斯基(An De Keersgieter)
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2020年–今天
2023 [第10条] 汉斯·默滕斯 , M.侯赛尼 , 托马斯·齐亚雷拉 , D.周 , S.Wang(王) , G.曼纳特 , E.杜佩 , D.萝卜 , Z.陶 , 尤素克·奥尼基 , 安德烈·希卡维 , R.罗塞尔 , A.明加迪 , S.Choudhury公司 , P.普塔兰·戈达 , F.塞巴伊 , A.彼得 , 凯文·范德斯米森 , J.P.苏利 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 利马L.Petersen Barbosa , C.卡瓦尔坎特 , D.巴托克 , G.T.马丁内斯 , J.盖宾 , F.塞德尔 , K.保卢森 , P.法维亚 , Jürgen Bömmels公司 , 罗杰·鲁 , P.Wong先生 , A.塞普尔维达·马尔克斯 , B.T.陈 , 杰罗姆·米塔德 , S.Subramanian公司 , S.Demuynck公司 , E.Dentoni Litta公司 , N.Horiguchi公司 , 萨马维达姆 , S.比塞曼 :
48nm栅极间距的基于纳米片的互补场效应晶体管(CFET)和中间介质隔离,以实现CFET内部间隔层的形成和多V t图案。 超大规模集成电路技术与电路 2023 : 1-2 2022 【c9】 阿纳贝拉·维洛索 , 吉尔特·埃内曼 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , P.法维亚 , 安德烈·希卡维 , 陈荣美 , 安妮·朱丹 , N.Horiguchi公司 :
先进逻辑缩放晶体管架构和设备连接的创新。 ICICDT公司 2022 : 51-54 【c8】 斯坦尼斯拉夫·蒂亚吉诺夫 , 亚历山大·马卡洛夫 , Al-Moatasem Bellah El-Sayed公司 , 阿德里安·维斯曼·查辛 , 埃里克·伯里 , 马库斯·杰赫 , 米歇尔·范德梅勒 , 亚历山大·格里尔 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 米哈伊尔·维克斯勒 , 吉尔特·埃内曼 , 本·卡泽尔 :
理解和建模自加热对n通道和p通道晶体管热载流子退化的相反影响。 IRPS公司 2022 : 6 【c7】 阿纳贝拉·维洛索 , 安妮·朱丹 , D.萝卜 , 陈荣美 , G.阿鲁切尔万 , B.奥沙利文 , Hiroaki Arimura先生 , 米歇尔·斯图奇 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , M.侯赛尼 , T.霍普夫 , K.D'Have公司 , S.Wang(王) , E.杜佩 , G.曼纳特 , 凯文·范德斯米森 , S.Iacovo公司 , P.玛丽恩 , S.Choudhury公司 , F.Schleicher先生 , F.塞巴伊 , 尤素克·奥尼基 , X.周 , A.古普塔 , 汤姆·施拉姆 , B.布里格斯 , C.洛兰特 , E.罗塞尔 , 安德烈·希卡维 , 罗杰·鲁 , J.盖宾 , D.巴托克 , G.T.马丁内斯 , J.P.苏利 , 卡蒂娅·德弗里恩特 , B.T.陈 , S.Demuynck公司 , 加斯帕德·希博特 , 吉尔特·范德普拉斯 , 朱利安·里卡特 , 杰拉尔德·拜尔 , E.Dentoni Litta公司 , 埃里克·贝恩 , Naoto Horiguchi公司 :
通过使用两个晶圆侧通过埋地电源轨进行布线的缩放FinFET。 超大规模集成电路技术与电路 2022 : 284-285
2010 – 2019
2017 【c6】 罗曼·里森塔勒 , 汉斯·默滕斯 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 杰罗姆·米塔德 , 丹·莫库塔 , N.Horiguchi公司 :
通过地平面掺杂隔离大块晶圆上的纳米线。 ESSDERC公司 2017 : 300-303 2016 【c5】 托马斯·齐亚雷拉 , 斯特凡·库比切克 , E.罗塞尔 , 罗曼·里森塔勒 , 安德烈·希卡维 , P.Eyben先生 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 拉丁美洲。 拉格纳松 , M.-S.金 , S.-A.Chew公司 , 汤姆·施拉姆 , S.Demuynck公司 , 米罗斯拉夫·库帕克 , 吕克·里恩德斯 , 莫林·德汉 , Naoto Horiguchi公司 , 杰罗姆·米塔德 , 丹·莫库塔 , 安达·莫库塔 , 亚伦·冯·尤恩 :
朝着高性能亚10nm finW块状FinFET技术迈进。 ESSDERC公司 2016 : 131-134 2015 【c4】 吉尔特·埃内曼 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 安达·莫库塔 , 纳丁·科勒特 , 亚伦·提安 :
对于14nm及以下的节点,FinFET在替代晶片和沟道方向上的应力源效率。 ICICDT公司 2015 : 1-4 【c3】 本·卡泽尔 , 雅各布·佛朗哥 , M.Cho先生 , 胫骨格拉瑟 , 菲利普·罗塞尔 , 斯坦尼斯拉夫·蒂亚吉诺夫 , M.比纳 , 扬尼克·威默 , 路易斯·米盖尔·普鲁塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 费利斯·克鲁皮 , 格雷戈里·皮特纳 , Vamsi Putcha公司 , 彼得·威克斯 , 埃里克·伯里 , Z.Ji先生 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 托马斯·齐亚雷拉 , Naoto Horiguchi公司 , 吉多·格罗塞内肯 , 亚伦·提安 :
nFinFET中通道热载流子变化增加的起源和影响。 IRPS公司 2015 : 三 2013 【c2】 Doyoung Jang先生 , 玛丽·加西亚·巴登 , 德米特里·亚基米特 , 宫口贤一 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 托马斯·齐亚雷拉 , 罗曼·里森塔勒 , 莫林·德汉 , 阿卜杜勒卡里姆·默查 :
STI和eSiGe源极/漏极外延诱导应力建模,采用28nm技术和替换栅(RMG)工艺。 ESSDERC公司 2013 : 159-162
2000 – 2009
2009 [c1] 托马斯·齐亚雷拉 , 利斯贝斯·威特斯 , 阿卜杜勒卡里姆·默查 , 克里斯托夫·科纳 , Rok Dittrich公司 , 米查尔·拉科夫斯基 , 克劳德·奥托兰 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , 伯特兰·帕维斯 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 斯特凡·库比切克 , 奥古斯托·雷多尔菲 , R.Rooyackers公司 , C.弗兰肯 , S.布鲁斯 , A.劳尔斯 , 菲利普·阿西尔 , S.比塞曼 , 托马斯·霍夫曼 :
从平面迁移到FinFET以进一步扩展CMOS:SOI还是批量? 欧洲社会保障监督委员会 2009 : 84-87 2002 [j1] 本·卡泽尔 , 罗宾·德雷夫 , 马哈茂德·拉斯拉斯 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , K.Van de Mieroop公司 , 吉多·格罗塞内肯 :
栅氧化层击穿后数字CMOS电路运行和可靠性的分析与建模:案例研究。 微电子。 Reliab公司。 42 ( 4-5 ) : 555-564 ( 2002 )
合著者索引
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