Toru Miwa公司
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2020年-今天
2021 【c5】 Higuchi先生 , Takuyo Kodama公司 , 加藤浩二 , 福田良 , Naoya Tokiwa先生 , 安倍晋弘 , 高川Teruo , 清水由纪夫 , Junji Musha先生 , 樱井胜介(Katsuaki Sakurai) , 佐藤裕美 , 内知哲明(Tetsuaki Utsumi) , Kazuhide Yoneya公司 , 松松康弘 , 桥本俊文 , 武士浩(Takeshi Hioka) , Yanagidaira Kosuke , 小岛正寿 , 朱尼娅·松野 , Kei Shiraishi先生 , 山本贤介 , 林信太郎 , 桥口俊浩 , Kazuko Inuzuka公司 , Akio Sugahara公司 , Mitsuaki Honma公司 , Keiji Tsunoda先生 , 山本一弥(Kazumasa Yamamoto) , 杉本高弘 , 富民藤村 , 水井佳彦(Mizuki Kaneko) , Hiroki日期 , 小林治 , Takatoshi Minamoto公司 , 高崎隆一(Ryoichi Tachibana) , 山口Itaru Yamaguchi , 李涓 , 文基·拉马钱德拉 , 斯里尼瓦斯·拉金德拉 , 天宇堂 , 西德赫斯·达恩 , Jiwang Lee(李继旺) , 杰森·李 , Toru Miwa公司 , 山下良治 , 铃原浩 , 直木大沼 , 卡诺Masahiro , Hiroyuki Mizukoshi先生 , Yuki Kuniyoshi先生 , 渡边光裕 , 秋山圭 , 森喜朗 , 阿基拉·阿里米苏 , 吉藤·卡塔诺 , Masakazu Ehama公司 , 前岛浩史 , 细野豪司 , 吉原正弘 :
30.4 170+字行层技术中的1Tb 3b/Cell 3D-Flash内存。 ISSCC公司 2021 : 428-430
2010 – 2019
2019 【c4】 昌华小 , Kwang-Ho Kim先生 , Seungpil Lee先生 , Katsuaki Isobe公司 , 柴田信郎 , Kapil Verma公司 , Takuya Ariki先生 , 杰森·李 , 钟郁 , 阿尼鲁德·阿玛纳斯 , 奎·阮(Qui Nguyen) , Ohwon Kwon先生 , 斯坦利·郑 , 李和光 , 许华玲 , 太原曾 , 史蒂夫·崔 , 西德赫斯·达恩 , Pradeep Anantula公司 , 亚历克斯·叶 , 哈德韦尔·奇布冯戈泽 , Miwa先生 , 山下实实 , 渡边光裕 , 小一郎·林 , 加藤洋介 , Toru Miwa公司 , 张永康 , 大村正人 , 直木大沼 , 穆拉利克里什纳·巴拉加 , 文基·拉马钱德拉 , 松田昭一 , 斯瓦鲁普·库尔卡尼 , Raghavendra Rachineni公司 , Pai K.Manjunath公司 , 竹原正彦 , 阿尼尔派 , 斯里尼瓦斯·拉金德拉 , 久田俊治 , 福田良 , Naoya Tokiwa先生 , 川口一木 , 山冈Masashi , Hiromitsu Komai公司 , Takatoshi Minamoto公司 , Masaki Unno公司 , 小泽苏木 , 中村拓志 , 久田富武 , 川端康成 , 雷琳 :
一个512Gb 3位/单元的128 W层3D闪存,具有132MB/s的写入性能,采用了电路阵列技术。 ISSCC公司 2019 : 218-220 2017 【c3】 山下良治 , 萨加尔·马吉亚 , Higuchi先生 , Kazuhide Yoneya公司 , 山村敏夫 , Hiroyuki Mizukoshi先生 , Shingo Zaitsu公司 , 山下实实 , 富山顺一 , Norihiro Kamae公司 , 李涓 , Shuo Chen(陈硕) , 陶嘉伟 , 威廉·马克 , 张晓华 , Ying Yu(英玉) , 宇都宫育子 , 加藤洋介 , Manabu Sakai公司 , 松本Masahide Matsumoto , 哈德韦尔·奇布冯戈泽 , 直木大沼 , Hiroki Yabe公司 , Subodh Taigor公司 , 兰加罗·萨米内尼 , Takuyo Kodama公司 , 神田佳彦 , 南井裕祖 , 乔纳森·休恩 , 宋恩王 , 何燕康 , Trung Pham公司 , 维韦克·萨拉夫 , 阿克谢·佩特卡 , 渡边光裕 , 小一郎·林 , Prashant Swarnkar公司 , Miwa先生 , 阿迪蒂亚·普拉丹 , 苏拉格纳·戴伊 , 德巴西什·德维贝迪 , 图莎拉·泽维尔 , 穆拉利克里什纳·巴拉加 , 萨米克莎·阿加瓦尔 , 斯瓦鲁普·库尔卡尼 , 扎米尔·帕帕萨赫布 , 萨希尔·迪奥拉 , 帕特里克·洪 , 魏美玲 , 戈皮纳特·巴拉克利什南 , Takuya Ariki先生 , Kapil Verma公司 , 昌华小 , 英大洞 , 青黄路 , Toru Miwa公司 , Farookh Moogat公司 :
11.1基于64层BiCS技术的512Gb 3b/单元闪存。 ISSCC公司 2017 : 196-197 2012 [j1] 福田康一 , 渡边义久 , 牧野英一 , 川上光一 , 佐藤裕美 , 高川Teruo , 神奈川直崎 , Hitoshi Shiga先生 , Naoya Tokiwa先生 , Yoshihiko Shindo公司 , 小川武史 , Toshiaki Edahiro公司 , 岩井真一 , Osamu Nagao公司 , Junji Musha先生 , Takatoshi Minamoto公司 , 尤卡·福鲁塔 , Yanagidaira Kosuke , 铃木由雅 , 戴中村 , 细村义介 , 田中丽子 , Hiromitsu Komai公司 , 迈·穆拉莫托 , 去Shikata , Ayako Yuminaka先生 , 樱井清夫 , Manabu Sakai公司 , 洪鼎 , 渡边光裕 , 加藤洋介 , Toru Miwa公司 , 亚历克斯·马克 , 中木正郎 , 格特詹·海明克 , 达娜·李 , Masaaki Higashitani公司 , 李新宇和默怀恩 , 薄磊 , 松下康彦 , 清明·纳鲁克(Kiyomi Naruke) , 原高彦 :
151毫米 2 24-nm CMOS技术中的64-Gb 2位/单元NAND闪存。 IEEE J.固态电路 47 ( 1 ) : 75-84 ( 2012 ) 2011 【c2】 福田康一 , 渡边义久 , 牧野英一 , 川上光一 , 佐藤裕美 , 高川Teruo , 神奈川直崎 , Hitoshi Shiga先生 , Naoya Tokiwa先生 , Yoshihiko Shindo公司 , Toshiaki Edahiro公司 , 小川武史 , 岩井真一 , Osamu Nagao公司 , Junji Musha先生 , Takatoshi Minamoto公司 , Yanagidaira Kosuke , 铃木由雅 , 戴中村 , 细村义介 , Hiromitsu Komai公司 , 尤卡·福鲁塔 , 迈·穆拉莫托 , 田中丽子 , 去Shikata , Ayako Yuminaka先生 , 樱井清夫 , Manabu Sakai公司 , 洪鼎 , 渡边光裕 , 加藤洋介 , Toru Miwa公司 , 亚历克斯·马克 , 中木正郎 , 格特詹·海明克 , 达娜·李 , Masaaki Higashitani公司 , 李新宇和默怀恩 , 薄磊 , 松永康彦 , 清明·纳鲁克(Kiyomi Naruke) , 原高彦 :
A 151毫米 2 采用24nm CMOS技术的64Gb MLC NAND闪存。 ISSCC公司 2011 : 198-199
2000 – 2009
2008 【c1】 Kazushige神田 , 小柳正郎(Masaru Koyanagi) , 山村敏夫 , 细野豪司 , 吉原正弘 , Toru Miwa公司 , 加藤洋介 , 亚历克斯·马克 , 陈小龙(Siu Lung Chan) , 蔡英文(Frank Tsai) , 劳尔·塞尔尼亚 , 平乐 , 牧野英一 , Takashi Taira公司 , 大藤裕久 , 川村正美(Norifumi Kajimura) , 藤村素木 , 吉崎武内 , 伊藤美彦 , 白川正男 , 戴中村 , 铃木由雅 , 小川由纪夫 , 小岛正寿 , Kazuhide Yoneya公司 , Arizono高道 , 久田俊治 , 宫本信治 , 野口三郎 , Toshitake Yaegashi先生 , Masaaki Higashitani公司 , 伊藤富民 , 龟井裕彦 , 格特詹·海明克 , Tooru Maruyama先生 , 井上和美 , 大岛茂原 :
A 120毫米 2 16Gb 4-MLC NAND闪存,采用43nm CMOS技术。 ISSCC公司 2008 : 430-431
合著者索引
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