邦基尔钟
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2020年–今天
2021 【c2】 赵吉浩(Jiho Cho) , D.克里斯·康 , Jongyeol公园 , 桑万南 , 郑浩松 , 邦基尔钟 , 杰多格·吕 , 霍吉尔·李 , Won-Tae Kim先生 , 红洙Jeon , Sunghoon Kim先生 , In-Mo金 , Jae-Ick儿子 , 京泰康 , Sang-Won Shim先生 , JongChul公园 , Enngsuk Lee公司 , 京敏康 , 桑旺公园 , 李在云 , 承贤文 , Pansuk Kwak公司 , Byunghoon Jeong先生 , Cheon An Lee公司 , Kisung Kim(基松·金) , 高俊英(Junyoung Ko) , 跆拳道 , Junha Lee(李俊霞) , 尤汉·李 , Chaehoon Kim公司 , Myeong-Woo Lee(李明宇) , 郑云云 , HoJun Lee先生 , Yonghyuk Choi先生 , 桑吉·洪 , 琼霍恩公园 , Yoonsung Shin先生 , 霍戎·金 , Hansol Kim公司 , Chiweon Yoon公司 , 大顺再见 , 李承宰 , 李进玉 , Jai Hyuk Song先生 :
512Gb 3b/单元7 第个 -具有184MB/s写吞吐量和2.0Gb/s接口的第三代3D-NAND闪存。 ISSCC公司 2021 : 426-428
2010 – 2019
2017 [j1] 东库康 , 伍普约·郑 , Chulbum Kim公司 , Doo-Hyun Kim先生 , Yong-Sung Cho先生 , 京泰康 , Jinho Ryu先生 , 京敏康 , Sungyeon Lee公司 , 金万东 , 李汉军(Hanjun Lee) , 余杰德(Jaedoeg Yu) , Nayoung Choi先生 , 东苏江 , Cheon An Lee公司 , 杨孙敏 , Moosung Kim公司 , Ansoo公园 , Jae-Ick儿子 , In-Mo金 , Pansuk Kwak公司 , 邦基尔钟 , 杜松·李 , Hyunggon Kim公司 , Jeong-Don伊姆 , 大顺再见 , 李锦佑 , Ki-Tae公园 , Kyehyun Kyung :
256 Gb 3 b/单元V-nand闪存,具有48个堆叠WL层。 IEEE J.固态电路 52 ( 1 ) : 210-217 ( 2017 ) 2016 【c1】 东库康 , 伍普约·郑 , Chulbum Kim公司 , Doo-Hyun Kim先生 , Yong-Sung Cho先生 , 京泰康 , Jinho Ryu先生 , 京敏康 , Sungyeon Lee公司 , Wandong Kim公司 , 李汉军(Hanjun Lee) , 余杰德(Jaedoeg Yu) , Nayoung Choi先生 , 东苏江 , Jeong-Don伊姆 , Doo-Gon Kim先生 , 年轻的孙敏 , Moosung Kim公司 , Ansoo公园 , Jae-Ick儿子 , In-Mo金 , Pansuk Kwak公司 , 奉吉荣 , 杜松·李 , Hyunggon Kim公司 , Hyang-Ja Yang(黄家洋) , 大顺再见 , Ki-Tae公园 , Kyehyun Kyung女士 , Jeong-Hyuk Choi先生 :
7.1 256Gb 3b/单元V-NAND闪存,具有48个堆叠WL层。 ISSCC公司 2016 : 130-131