大卫·张伟(David Wei Zhang)
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2020年–今天
2023 [公元12年] 陈坤(Kun Chen) , 杨静文 , 吴春雷 , 陈旺 , 徐敏(音) , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
基于SiC应变松弛缓冲层的应变硅纳米片pFET,用于高性能和低功耗逻辑应用。 IEEE接入 11 : 65491-65495 ( 2023 ) [公元11年] 周涛一 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
一种基于自动测试设备的低成本自适应筛选方法,用于大规模生产中的低压降稳压器。 IEEE接入 11 : 73403-73413 ( 2023 ) [公元10年] 朱晓娜 , 丁荣正 , 欧文涛 , 赵雅歌 , 裴顺堂 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) , 叶璐 , 余少峰 :
一种用于CMOS应用的基于N/PFET CFET的组合设计和逻辑技术框架。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 42 ( 12 ) : 4999-5005 ( 2023 ) [公元9年] 恒旭 , 王军 , 杭旭 , 易古 , 郝朱 , 庆庆孙 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
布局相关效应对FinFET组合标准单元优化的影响研究。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 70 ( 2 ) : 731-735 ( 2023 ) 2022 [j8] 戴凤伟 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) , 杨阳燕 , 王国军 , 曹立强 :
镍的研究 三 锡 4 用于5μm直径Cu/Ni/Sn-3.0Ag微凸点的金属间化合物。 IEICE电子。 快递 19 ( 2 ) : 20210453 ( 2022 ) [j7] Jian Jin公司 , 孙梦媛 , Yannan Yang(杨延南) , 徐敏(音) , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
一种高速低边GaN e-HEMT驱动器,具有栅极振铃和过冲抑制功能。 IEICE电子。 快递 19 ( 10 ) : 20220144 ( 2022 ) [j6] 王军 , 朱浩洲 , 杨瑜 , 徐柳 , 二元枫 , 雷传珍 , 蔡燕飞 , 郝朱 , 庆庆孙 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
基于FinFET技术的低功耗集成电路晶体管级DFF。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 69 ( 2 ) : 584-588 ( 2022 ) [第14条] 方玉清 , 李清轩 , 王天宇 , 孟嘉林 , 庆庆孙 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) , 林晨(Lin Chen) :
用于神经形态计算的光子忆阻装置。 国际通信技术协会 2022 : 50-51 2021 [第13条] 天天派 , 董其晓(Dongqi Xiao) , 惠阳 , 吴晓翰 , 刘文军 , 十金鼎 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
采用后退火处理制备高性能a-IGZO薄膜晶体管。 ASICON公司 2021 : 1-2 [第12条] 王大伟 , 刘涛(Tao Liu) , 孙欣(Xin Sun) , 陈坤(Kun Chen) , 杨静文 , 吴春雷 , 徐敏(音) , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
通过源漏凹口优化的沟道应力工程及其5nm-node FinFET工艺变化研究。 ASICON公司 2021 : 1-4 [第11条] 杭旭 , 赵东辉 , 郝朱 , 庆庆孙 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
一种载流子存储沟槽双极晶体管(CSTBT)器件的工艺优化方法。 ASICON公司 2021 : 1-4 2020 [j5] 王水源 , 陈晓章 , 小河黄 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) , 彭周 :
硬件计算加速和仿生感知运动集成的神经形态工程。 高级智能。 系统。 2 ( 11 ) : 2000124 ( 2020 )
2010 – 2019
2019 【j4】 易虎 , 侯佳丽 , 张建云 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) , 杨河 :
超低功耗耐用CMOS温度传感器,在-40°C至85°C范围内的误差为±0.7°C。 IEICE电子。 快递 16 ( 16 ) : 20190381 ( 2019 ) [第10条] 康小智 , 康晓旭 , 赵子建 , 丁景秀 , 易虎 , 徐大鹏 , 孙庆庆 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
基于带隙电路的低比例稳压器设计,结构简单,具有良好的高频PSRR性能。 ASICON公司 2019 : 1-4 【c9】 刘雷(Lei Liu) , 姚瑶 , 孟启文 , 岳丽 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
一种用于高速开关的pn耦合超结IGBT。 ASICON公司 2019 : 1-4 2018 【c8】 杨建国 , 邢丽 , 王涛(音译) , 薛晓勇 , 致良红 , 王渊源(音) , 大卫·张伟(David Wei Zhang) , 陆洪亮 :
使用RRAM写入速度变化的安全芯片认证的BER<0.35%的物理不可克隆函数。 ESSDERC公司 2018 : 54-57 2017 【c7】 梁正 , 林洁余 , 林晨(Lin Chen) , 庆庆孙 , 魏黄 , 郝朱 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
基于体GaN衬底的垂直功率二极管。 ASICON公司 2017 : 163-166年 【c6】 王天宇 , 林洁余 , 林晨(Lin Chen) , 刘浩 , 郝朱 , 庆庆孙 , 十金鼎 , 彭周 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2基柔性RRAM。 ASICON公司 2017 : 203-206 【c5】 林洁余 , 王天宇 , 林晨(Lin Chen) , 郝朱 , 庆庆孙 , 十金鼎 , 彭周 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
石墨平面电阻开关存储器及其在模式识别中的应用。 ASICON公司 2017 : 343-346 【c4】 郭忠勋 , 吴赞 , 彭周 , 《文汇报》 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
一种基于二维范德华异质结构的新型器件结构。 ASICON公司 2017 : 674-677 2015 [j3] 刘新燕 , 吴军 , 刘晓勇 , 张帅(Shuai Zhang) , 西林 , 张春敏 , 王鹏飞 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
浮栅连接浮结单晶体管有源像素图像传感器的特性与优化。 J.传感器 2015 : 167145:1-167145:11 ( 2015 ) [注2] 徐向明 , 黄景峰 , 韩愈 , 彪马 , 王鹏飞 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
消除深聚水槽LDMOS技术中的应力诱导位错。 微电子。 宗教信仰。 55 ( 3-4 ) : 486-491 ( 2015 ) [j1] 保利 , 王永成 , 金伟鹏 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
基板电阻和布局对钝化蚀刻引起的晶圆电弧和可靠性的影响。 微电子。 宗教信仰。 55 ( 6 ) : 931-936 ( 2015 ) 【c3】 王丽慧 , 李青(音) , 张刚(Gang Zhang) , 于军(Jun Yu) , 张志敏 , 郭利民 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
一种新的基于正则点乘的椭圆曲线密码体制SPA攻击。 独联体 2015 : 322-325 2013 【c2】 昭阳皮 , 朱伦(Lun Zhu) , 张静伟(Jingwei Zhang) , 吴东平 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) , 张志斌 , Shi-Li Zhang先生 :
柔性基板上的超低频P(VDF-TrFE)压电能量采集器。 ASICON公司 2013 : 1-4 【c1】 张春敏 , 庆庆孙 , 王鹏飞 , 大卫·张伟(David Wei Zhang) :
ULSI应用的PEALD Ru/RuOx薄膜及其金属和金属氧化物之间的过渡控制。 ASICON公司 2013 : 1-4