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2017年第30届超大规模集成电路设计：印度海得拉巴

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2017年1月7日至11日，印度海得拉巴，2017年VLSID，第30届VLSI设计国际会议和第16届嵌入式系统国际会议。 IEEE计算机学会 2017，十亿978-1-5090-5740-5

第A1部分：模拟、混合信号和射频设计I

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苏迪普塔·萨卡尔,蔡永达,阿努巴夫·阿达克:
高速管道A/D的两步渣油输送技术。 3-8
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阿什温·库马尔·西瓦·库马尔,德巴西什·贝赫拉,纳根德拉·克里希纳普拉:
无复位的低功耗多通道输入Delta-Sigma ADC。 9-14
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纳文·卡达因蒂,Maryam Shojaei Baghini女士,迪内什·库马尔·夏尔马:
一种用于无中继器低摆幅片上互连的时钟重定时电路。 15-20
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贾维德·加加图,伊曼纽尔·拉贾,戈拉布·班纳吉:
全集成CMOS射频功率放大器的片上非侵入式温度检测和补偿。 21-26

课程B1：缓存和内存

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苏卡恩·阿加瓦尔,赫曼吉·K·卡普尔:
芯片多处理器中非易失性缓存的更佳使用寿命。 29-34
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Debiprasanna Sahoo公司,Manoranjan Satpathy公司,马杜·穆蒂亚姆:
芯片多处理机DRAM动态库分区的实验研究。 35-40
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Ishan G.Thakkar公司,苏迪普·帕斯里察:
DyPhase：具有对称写入延迟的动态相变内存体系结构。 41-46
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李嘉音,卡蒂克·莫汉拉姆:
非对称内存技术的虚拟双端口内存体系结构。 47-52

第C1节：FPGA和可重构系统

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比宾·约翰逊,尼明·托马斯,J.Sheeba拉尼:
一种基于FPGA的实时图像去噪的高通量离散卡尔曼滤波器结构。 55-60
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Sangeetha Damotharasamy公司,P.迪帕:
使用面向物联网服务的梯度直方图进行有效的尺度不变人体检测。 61-66
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马尼迪阿·穆克吉,亚历山大·费尔,阿帕拉·古哈:
DFGenTool：用于粗粒度可重构体系结构的数据流图形生成工具。 67-72

会话D1：低功率I

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Shounak Chakraborty公司,赫曼吉·K·卡普尔:
通过多处理器中的动态缓存重新配置控制芯片温度。 75-80
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阿南·萨凡思,亚历克斯·S·威德尔,詹姆斯迈尔斯,大卫·弗林,巴希尔·M·阿尔·哈希米:
最小能量传感器系统的50nW电压监测方案。 81-86
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赫曼塔·库马尔·蒙达尔,沙什瓦特·考希克,斯里·哈沙·加德,苏杰·戴布:
用于无线NoC的节能收发器。 87-92

会议A2：低功耗II

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苏米特·奈克瓦德,穆拉利·克里希纳·拉金德兰,Priya Sunil公司,阿舒代布·杜塔:
单电感、单输入双输出（SIDO）压电能量采集系统。 95-100
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Saransh Sharma公司,阿维拉什·穆克吉,Abhishek Dongre公司,姆里甘·沙拉德:
安全应用的超低功耗传感器节点，由算法-架构协同设计促进。 101-106
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苏坎塔·戴伊,萨蒂亚布拉塔短跑,苏库马尔·南迪,高拉夫·特里维迪:
基于Lévy Flight的超大规模集成电路电网分析马尔可夫链模型。 107-112

第B2节：VLSI架构

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比德斯·查克拉波蒂,马马塔·达鲁,Biplab K.Sikdar公司:
集成更新和失效协议的异构CMP一致性验证单元的设计。 115-120
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穆罕默德·阿桑·巴西里,斯科·努尔·马哈茂德:
HEVC的高性能整数DCT架构。 121-126
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穆罕默德。塔斯利姆·汗,谢克·拉菲·阿哈默德,福雷斯特·布鲁尔:
使用分布式算法的LMS自适应滤波器的低复杂度和基于关键路径的VLSI结构。 127-132

会话C2：测试、可靠性和容错I

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帕斯卡·雷奥拉,多米尼克·埃尔布,Sudhakar M.Reddy公司,伯恩德·贝克尔:
基于鲁棒增强型攻击者-受害者模型的互连开路缺陷的精确诊断。 135-140
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普拉森吉特·比斯瓦斯,D.M.H.Walker博士:
使用扩展值代数改进伪函数路径延迟测试中的路径恢复。 141-146
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比诺德·库马尔,安基特·金达尔,维伦德拉·辛格,藤田正弘:
一种跟踪信号选择方法，用于改进硅后验证中的错误检测。 147-152

会话D2：安全I

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法特梅·德赫拉尼普尔,尼玛·卡里米安,魏燕,约翰·A·钱迪:
电源变化作为随机噪声源的研究。 155-160
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N.Nalla Anandakumar公司,穆罕默德·哈什米,Somitra Kumar Sanadhya公司:
性能增强的基于FPGA的PUF的紧凑实现。 161-166
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达尔沙娜·贾亚辛哈,阿列克桑达尔·伊根亚托维奇,斯里·帕拉梅斯瓦兰:
NORA：算法平衡，无预增压到Thwart功率分析攻击。 167-172

会议A3：模拟、混合信号和射频设计II

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阿比谢克·斯利瓦斯塔瓦,尼廷·桑卡尔,Devarshi Das公司,玛丽亚姆·肖杰·巴基尼:
用于医疗保健应用的401-406 MHz医疗无线电频谱中低中频接收机的LNA-LO协同设计注意事项。 175-180
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  - conf/vlsid/JoshiDMSDST17
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迪帕克·乔希,萨蒂亚布拉塔短跑,阿尤什·马尔霍特拉,普里米·文卡塔·赛伊,拉胡尔·达斯,迪克希特·夏尔马,高拉夫·特里维迪:
基于Lévy Flight的混合粒子群优化算法优化2.4GHz CMOS低噪声放大器。 181-186
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桑吉夫·尼沙德姆,A.G.克利须那·坎特:
汽车应用中抗射频干扰的6V至42V高压CMOS带隙基准。 187-192
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马赫什·赞瓦尔,苏巴吉特·森:
基于SAR调节的可编程输出多相开关电容升压DC-DC转换器。 193-198

B3课时：嵌入式系统

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  - conf/vlsid/GaggaturB17
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贾维德·加加图,戈拉布·班纳吉:
用于监测细胞体积增长的高增益电容传感器接口。 201-206
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卡哈尔·瓦尔马,吉塔·帕蒂尔,Biju K.Raveendran公司:
DTLB：紧束缚硬实时系统的确定性TLB。 207-212
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  - conf/vlsid/KediaYDFAB17
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拉杰什·凯迪亚,K.K.Yoosuf先生,Pappireddy Dedeepya公司,穆尼布·法扎尔,切坦·阿罗拉,M.Balakrishnan先生:
MAVI：一种帮助视力受损者移动的嵌入式设备。 213-218
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  - conf/vlsid/TripathiSC17
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安舒马·特里帕西,阿纳布·萨卡尔,P.查克拉巴蒂:
支持迁移的低开销ERfair调度程序。 219-224

第C3课时：设计中的形式化技术

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  - conf/vlsid/UdupiUSK17
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Shrinidhi Udupi公司,约阿金·乌达尔,多米尼克·斯托菲尔,沃尔夫冈·昆兹:
基于操作形式属性检查的动态功耗优化。 227-232
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  - conf/vlsid/CostaD17
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  - https://dblp.org/rec/conf/vlsid/CostaD17
安东尼奥·阿纳斯塔西奥·布鲁托·达科斯塔,帕拉布·达斯古普塔:
生成具有特征准确性形式保证的AMS行为模型。 233-238
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  - conf/vlsid/MandalCHDNMB17
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苏迪帕·曼达尔,安东尼奥·阿纳斯塔西奥·布鲁托·达科斯塔,阿里特拉·哈兹拉,帕拉布·达斯古普塔,Bhushan Naware公司,春杜里·拉马·莫汉,桑吉布·巴苏:
混合信号域电源管理逻辑的形式验证。 239-244
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  - conf/vlsid/AinMDM17
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安塔拉·艾恩,阿克谢·马姆巴卡姆,帕拉布·达斯古普塔,悉达多·穆霍帕迪亚:
基于特征的PMU同步监测输电线路故障识别。 245-250

会议A4：模拟、混合信号和射频设计III

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  - conf/vlsid/ManikandanV17配置文件
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R.R.马尼坎丹,文卡塔·纳拉亚纳·拉奥·瓦努库鲁:
用于LC-VCO的高性能可切换多频带电感结构。 253-258
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  - conf/vlsid/WadhwaC17
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桑杰·库马尔·瓦德瓦,尼迪·乔杜里:
16nm FinFet中的高精度多输出带隙基准电路。 259-262
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  - conf/vlsid/KumarPKS17
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  - https://dblp.org/rec/conf/vlsid/KumarPKS17
威内库玛,尼基尔·普里,苏迪尔·库马尔,苏米特·斯利瓦斯塔夫:
一种低-0.5V可靠性感知负比特线写入辅助8T DP-SRAM和WL捆绑新型结构，用于应对10nm FinFET中的双模式问题。 269-274

会议B4：新兴技术I

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德比约蒂·巴塔查吉（Debjyoti Bhattacharjee）,查托帕德耶省:
ReRAM Crossbar阵列上的高效二进制基本线性代数运算。 277-282
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  - conf/vlsid/BhuvaneshwariK17
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  - https://dblp.org/rec/conf/vlsid/BhuvaneshwariK17
Y.V.Bhuvaneshwari,阿比纳夫·克兰蒂:
双栅无结晶体管迁移率的提取与分析。 283-288
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  - conf/vlsid/KoleD17
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  - https://dblp.org/rec/conf/vlsid/KoleD17
阿布霍伊·科尔,卡玛莉卡·达塔:
任意尺寸Toffoli门的改进NCV门实现。 289-294
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  - conf/vlsid/MishraT17
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维普尔·库马尔·米什拉,Himanshu Thapliyal公司:
新兴技术的基于启发式的多数/少数逻辑综合。 295-300

第C4节：数字电路

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  - conf/vlsid/MhapatraGSM17
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萨蒂亚吉特·莫哈帕特拉,哈里·尚克·古普塔,贾丁迪普·辛格,尼哈尔·兰詹·莫哈帕特拉:
用于高速串行器的64b/66b行编码。 303-308
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  - conf/vlsid/LimachiaVTK17
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米特斯·利马奇亚,帕提克·维拉姆加马,拉杰什·阿姆拉塔克尔,尼基尔·科塔里:
用于20nm FinFET技术的具有高读写裕度的新型10T低压SRAM单元的特性。 309-314
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Poorvi Jain村,比什努·普拉萨德·达斯:
使用可重构环形振荡器估计芯片阈值电压变化。 315-320
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  - conf/vlsid/ShirwaikarKS17
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马哈德夫·戈文德·希尔瓦伊卡,纳文·卡达因蒂,迪内什·库马尔·夏尔马:
使用全数字Sigma-Delta时间数字转换器测量时钟偏差。 321-326

第5部分：模拟、混合信号和射频设计IV

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安贾利·戈皮纳特,拉维·库马尔·阿杜苏马利,Veeresh Babu Vulligaddala公司,M.B.斯里尼瓦斯:
无需使用轨对轨运算放大器的真正轨对轨输入范围的开关电容放大器。 329-334
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Bhupendra Singh Reniwal公司,P.辛格,维卡斯·维杰瓦尔吉亚,桑托什·库马尔·维什瓦卡马:
一种新的传感放大器设计，具有改进的输入参考偏置特性，用于高能SRAM。 335-340
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文卡特斯·马尼·特里帕西,桑迪普·米什拉,佐蒂什曼·赛基亚,安努普·丹达帕特:
一种用于超高速存储器存取的带再生反馈的低压13T闩锁型感测放大器。 341-346
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穆罕默德·奥马尔·谢赫,Sivaramakrishna Rudrapati公司,南德语巴拉特·塔克,沙拉布·古普塔:
注入锁定纵向米勒分频器的频率增强。 347-352

会议B5：新兴技术II

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萨里特·查克拉波蒂,苏珊塔·查克拉波蒂:
基于网络物理数字微流控生物芯片的生化合成新方法。 355-360
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巴瓦尼·尚卡尔,安基特·索尼,马尼坎特·辛格,罗希斯·索曼,K.N.Bhat公司,斯里尼瓦桑·拉加万,纳瓦坎塔·巴特,马扬克·施里瓦斯塔瓦:
AlGaN/GaN HEMT在硅上的静电放电行为：物理见解、设计方面、累积退化和失效分析。 361-365
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马达夫·拉奥:
锥形硅通孔中铜/碳纳米管的电学建模和表征。 366-371
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德巴斯里·萨哈,科莱河畔苏斯米塔:
三维集成电路中TSV布局和分配的多目标优化。 372-377

C5课时：CMOS技术I

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阿维鲁普·达斯古普塔,切坦·古普塔,阿努帕姆·杜塔,Yen-Kai Lin先生,斯里坎斯·斯里哈里,埃塞俄比亚塔米尔马尼,胡正明,约格什·辛格·肖汉:
体MOSFET中重叠电容的体偏置依赖性建模。 381-384
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拉贾特·维什诺伊,Pratyush Panday公司,马米达拉·贾加德斯·库马尔:
考虑源区和漏区耗尽的隧道FET直流漏电流模型。 385-390
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米洛娃·保罗,克里斯蒂安·罗斯,博埃拉·桑帕特·库马尔,哈拉尔德·戈斯纳,马扬克·施里瓦斯塔瓦:
重温ggNMOS中的电流丝物理：我们的理解是否科学完整？ 391-394

第A6部分：测试、可靠性和容错II

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尼哈尔黑格,罗西尼峡谷,藤田正弘,维伦德拉·辛格:
超标量处理器延迟故障功能模式测试。 397-402
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巴里·约翰·穆德雷,萨比亚萨奇·德亚蒂,阿比吉特·查特吉:
硅后验证：通过硬件迭代学习实验自动表征射频器件的非理想性。 403-408
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斯帕什·米塔尔,王浩南,Adwait慢跑,杰弗里·维特:
GPU注册文件软错误恢复机制的设计与分析。 409-414

课程B6：安全II

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克里希南德·古哈,德巴斯里·萨哈,阿姆兰·查克拉巴蒂:
自知SoC安全性，可在运行时应对导致硬件木马延迟的问题。 417-422
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K.B.Anuroop公司,阿努·詹姆斯,M.内马:
混合替代盒的软硬件协同设计。 423-428
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拉吉特·卡马卡,N.普拉萨德,桑塔努·查托帕迪耶,罗希特·卡普尔,因德拉尼尔·森古普塔:
确保密钥相互依赖的新逻辑加密策略。 429-434

第C6节：CMOS技术II

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阿迪尔·米尔莎,B.萨提亚吉特,马扬克·施里瓦斯塔瓦:
MoS2场效应晶体管迟滞特性和可靠性的系统研究。 437-440
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马尼什·古普塔,阿比纳夫·克兰蒂:
抑制节能陡开关无结MOSFET中的单管锁存效应。 441-446
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帕迪普·库马尔,S.Srivatsa公司,P.曼特拉加达,S.Upreti公司,K.V.Shravya公司:
用于快速准确光刻模拟的混合OPC技术。 447-450

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