“关于FBRAM的保留时间与……之间的相关性”
埃迪·西蒙 , 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , 阿纳贝拉·维洛索 , M.尤尔扎克 , Cor Claeys公司 , L.门德斯·阿尔梅达 , 玛丽亚·格里亚·卡尼奥·德·安德拉德 , A.卢克·罗德里格斯 , J.A.希门内斯·特贾达 , 克里斯蒂安·凯利亚特 , 皮埃尔·法赞 :
FBRAM的保留时间与UTBOX SOI nMOSFET的低频噪声之间的相关性。 ESSDERC公司 2012 : 338-341
由于引用数据不可用,以下列表可能不完整, 引用字符串可能未成功映射到dblp中列出的项,并且 我们没有针对这些列表中给出的所有项目的完整和精心策划的元数据。
![](https://dblp.dagstuhl.de/img/cog.dark.24x24.png)