弗朗索瓦·安德烈
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2020年–今天
2024 [公元40年] 奥利维尔·比朗特 , 西蒙·马丁 , J.拉盖尔 , L.霍西尔 , 让·科伊格纳斯 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , 劳伦特·格诺伊莱 :
1T-1C HZO FeRAM阵列中基于电荷的传感演示,以克服CBL引起的存储体尺寸限制。 IMW公司 2024 : 1-4 [公元39年] J.拉盖尔 , 西蒙·马丁 , 让·科伊格纳斯 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , 马克·博奎特 , 弗朗索瓦·安德烈 , 劳伦特·格诺伊莱 :
基于BEOL集成HZO的缩放FeCAP和16kbit 1T-1C FeRAM阵列联合分析的数据保留见解。 IRPS公司 2024 : 1-7 2023 [公元38年] 莫娜·埃扎丁 , 阿特里亚·马朱姆达尔 , 西格丽德·托马斯 , Jean-Philippe编号 , 巴斯蒂恩·吉拉德 , 马克·博奎特 , 弗朗索瓦·安德烈 , 达米安·奎利奥斯 , Jean-Michel门户 :
基于二进制ReRAM的BNN第一层实现。 日期 2023 : 1-6 [公元37年] T.Dubreuil公司 , S.巴拉德 , J.-M.佩迪尼 , J.-M.哈特曼 , F.博拉德 , A.萨尔津 , A.加尔比 , 约翰内斯·斯图姆 , A.兰伯特 , S.马丁 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , A.阿诺塔 , A.马加哈斯·卢卡斯 , 奥雷莉·苏海特 , 弗朗索瓦·安德烈 :
基于HfO2的3D OxRAM与GAA堆叠纳米片晶体管集成,用于高密度嵌入式存储器。 ESSDERC公司 2023 : 117-120 [公元36年] J.拉盖尔 , 马克·博奎特 , 奥利维尔·比朗特 , 西蒙·马丁 , 让·科伊格纳斯 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , 托马斯·麦吉斯 , T.德沃夫 , 弗朗索瓦·安德烈 , 劳伦特·格诺伊莱 :
Si:HfO2-FeRAM阵列的内存窗口:高级节点的性能改进和外推。 IMW公司 2023 : 1-4 [公元35年] 劳伦特·格诺伊莱 , 贾斯汀·巴博特 , J.拉盖尔 , 西蒙·马丁 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , M.Louro先生 , Messaoud Bedjaoui公司 , S.Minoret公司 , S.KerdilèS公司 , C.博伊萨德拉斯 , 托马斯·麦吉斯 , 卡琳·贾汗 , 弗朗索瓦·安德烈 , 让·科伊格纳斯 :
存储器和人工智能应用中基于铪的铁电器件和阵列的可靠性评估(受邀)。 IRPS公司 2023 : 1-8 [公元34年] 卢卡斯·雷加纳兹 , 达米安·德勒鲁耶勒 , 昆汀·拉菲 , 乔尔·明格特·洛佩兹 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , Jean-François Nodin先生 , 亚历山德罗·布里卡利 , 朱塞佩·皮科波尼 , 加布里埃尔·莫拉斯 , 弗朗索瓦·安德烈 :
ReRAM中电阻波动的研究:物理起源、时间依赖性和对存储器可靠性的影响。 IRPS公司 2023 : 1-6 [公元33年] 乔尔·明格特·洛佩兹 , 马诺·丹普霍夫 , 蒂芬·希尔茨林 , 卢卡斯·雷加纳兹 , 劳伦特·格诺伊莱 , 加布里埃尔·纳瓦罗 , 马修·伯纳德 , 托马斯·麦吉斯 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 瓦伦蒂娜·梅利 , 伊丽莎·维亚内洛 , 达米安·德勒鲁耶勒 , Jean-Michel门户 , 加布里埃尔·莫拉斯 , 弗朗索瓦·安德烈 :
神经网络硬件实现中横杆阵列中的1S1R次阈值操作。 混合物 2023 : 1-6 [i4] 法迪·杰巴利 , 阿特里亚·马朱姆达尔 , 克莱门特·图尔克 , 卡梅尔·伊丁·哈拉比 , 马修·库姆巴·费伊 , 埃洛伊·穆尔 , Jean-Pierre Walder公司 , 奥列克桑德·比卢索夫 , 阿马迪奥·米绍德 , 伊丽莎·维亚内洛 , 蒂芬·赫兹林 , 弗朗索瓦·安德烈 , 马克·博奎特 , 圣埃芬·科林 , 达米安·奎利奥斯 , Jean-Michel门户 :
在边缘为AI提供动力:一个健壮的基于内存的二值化神经网络,具有近内存计算和小型太阳能电池。 CoRR公司 abs/2305.12875 ( 2023 ) 2022 [公元32年] 贾斯汀·巴博特 , 让·科伊努斯 , 尼古拉斯·瓦克谢莱尔 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , 奥利维尔·格洛里厄 , Messaoud Bedjaoui公司 , 弗朗索瓦·奥塞纳克 , 弗朗索瓦·安德烈 , 弗朗索瓦·特里翁 , 劳伦特·格诺伊莱 :
频率相关测量证明了MFDM堆栈中电荷捕获和极化开关之间的相互作用。 欧洲社会保障监督委员会 2022 : 125-128 [c31] 艾哈迈德·特拉贝尔西 , 卡洛·卡格利 , 蒂芬·赫兹林 , 奥尔加·库托 , 玛丽·克莱尔·西里尔 , 伊丽莎·维亚内洛 , 瓦伦蒂娜·梅利 , 维罗尼克·索萨 , 纪尧姆资产阶级 , 弗朗索瓦·安德烈 :
用于神经形态应用的PCM设备中电导电平的频率调制。 欧洲社会保障监督委员会 2022 : 129-132 [公元30年] 卡米尔·拉古纳 , 马修·伯纳德 , 朱利安·加里奥内 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 瓦伦蒂娜·梅利 , S.马丁 , 弗朗索瓦·奥塞纳克 , D.鲁雄 , N.罗查特 , 埃曼纽尔·诺洛特 , 纪尧姆资产阶级 , 玛丽·克莱尔·西里尔 , 利维乌·米利塔鲁 , A.苏伊菲 , 弗朗索瓦·安德里厄 , 加布里埃尔·纳瓦罗 :
基于SeAsGeSi的OTS中的多层结构,用于提高热稳定性和可靠性。 ESSDERC公司 2022 : 225-228 [公元29年] C.德卡马雷特 , 纪尧姆资产阶级 , 奥尔加·库托 , 瓦伦蒂娜·梅利 , S.马丁 , D.德斯波伊 , V.贝金 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 玛丽·克莱尔·西里尔 , 弗朗索瓦·安德烈 , 朱利安·阿卡莫内 , Y.Le-Friec先生 , 加布里埃尔·纳瓦罗 :
针对电流降低的相变存储器中增强的热约束。 ESSDERC公司 2022 : 233-236 [公元28年] 朱西·拉玛 , 马修·伯纳德 , 朱利安·加里奥内 , 尼古拉斯·伯尼尔 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 纪尧姆资产阶级 , 玛丽·克莱尔·西里尔 , 弗朗索瓦·安德烈 , 加布里埃尔·纳瓦罗 :
TiTe/Ge2Sb2Te5Bi基于分层的相变存储器,目标是存储类存储器。 ESSDERC公司 2022 : 237-240 [公元27年] T.Dubreuil公司 , P.阿玛里 , S.巴劳德 , 乔里斯·拉科德 , 爱德华多·埃斯曼霍托 , 瓦伦蒂娜·梅利 , S.马丁 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 伯纳德·普雷维塔利 , 弗朗索瓦·安德烈 :
一种用于以内存为中心的超维计算的新型3D 1T1R RRAM体系结构。 IMW公司 2022 : 1-4 [公元26年] 乔尔·明格特·洛佩兹 , 弗朗索瓦·鲁门 , 卢卡斯·雷加纳兹 , A.先驱 , 蒂芬·赫兹林 , 劳伦特·格诺伊莱 , 加布里埃尔·纳瓦罗 , 马修·伯纳德 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 瓦伦蒂娜·梅利 , S.马丁 , 托马斯·麦吉斯 , 伊丽莎·维亚内洛 , C.萨比恩 , 达米安·德勒鲁耶勒 , 马克·博奎特 , Jean-Michel门户 , 加布里埃尔·莫拉斯 , 弗朗索瓦·安德烈 :
用于低功耗BNN推理计算的Crossbar阵列中的1S1R亚阈值操作。 IMW公司 2022 : 1-4 [公元25年] 加布里埃尔·莫拉斯 , 朱塞佩·皮科波尼 , 亚历山德罗·布里卡利 , 安托尼·维迪 , 一、Naot , Y.科恩 , 阿米尔·雷格夫 , 一、Naveh , 达米安·德勒鲁耶勒 , 昆汀·拉菲 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 卢卡斯·雷加纳兹 , 阿兰·佩西科 , R.塞高 , Jean-François Nodin先生 , 瓦伦蒂娜·梅利 , S.马丁 , 弗朗索瓦·安德烈 , 劳伦特·格诺伊莱 :
2x nm及以上节点的高温稳定性嵌入式ReRAM。 IMW公司 2022 : 1-4 [公元24年] 加布里埃尔·纳瓦罗 , C.萨比恩 , 瓦伦蒂娜·梅利 , L.E.尼斯托尔 , 弗雷先生 , 朱利安·加里奥内 , M.特斯赛尔 , F.菲洛 , 尼古拉斯·伯尼尔 , 埃曼纽尔·诺洛特 , 贝诺伊·斯科莱纳(Benoit Sklénard) , J.李 , S.马丁 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 纪尧姆资产阶级 , 玛丽·克莱尔·西里尔 , 弗朗索瓦·安德烈 :
在相变存储器中进行多层沉积,以获得最佳的持久性能和降低误码率。 IMW公司 2022 : 1-4 【c23】 爱德华多·埃斯曼霍托 , 蒂芬·赫兹林 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , S.马丁 , 巴斯蒂安·吉罗 , 弗朗索瓦·安德烈 , 让-弗朗索瓦·诺丁 , 达米恩·奎里奥兹 , Jean-Michel门户 , 伊丽莎·维亚内洛 :
基于单级和多级单元RRAM的内存计算的实验演示,最多16个并行操作。 IRPS公司 2022 : 8-1 [公元22年] 菲利波·莫罗 , 爱德华多·埃斯曼霍托 , 蒂芬·赫兹林 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 艾哈迈德·特拉贝尔西 , 托马斯·达尔盖蒂 , 加布里埃尔·莫拉斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , 斯特凡诺·布里维奥 , 萨宾娜·斯皮加 , 贾科莫·英迪弗利 , 梅利卡·佩瓦德 , 伊丽莎·维亚内洛 :
基于模拟RRAM的Spiking神经网络中用于补偿异质性的硬件校准学习。 国际会计准则委员会 2022 : 380-383 [i3] 菲利波·莫罗 , 爱德华多·埃斯曼霍托 , 蒂芬·希尔茨林 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 艾哈迈德·特拉贝尔西 , 托马斯·达尔盖蒂 , 加布里埃尔·莫拉斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , 斯特凡诺·布里维奥 , 萨宾娜·斯皮加 , 贾科莫·英迪弗利 , 梅利卡·佩瓦德 , 伊丽莎·维亚内洛 :
基于模拟RRAM的Spiking神经网络中用于补偿异质性的硬件校准学习。 CoRR公司 abs/2202.05094 ( 2022 ) [i2] 爱德华多·埃斯曼霍托 , 蒂芬·赫兹林 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , S.马丁 , 巴斯蒂恩·吉拉德 , 弗朗索瓦·安德烈 , Jean-Francois诺丁 , 达米安·奎利奥斯 , Jean-Michel门户 , 伊丽莎·维亚内洛 :
基于单级和多级单元RRAM的内存计算的实验演示,最多16个并行操作。 CoRR公司 abs/2203.01680 ( 2022 ) 2021 【c21】 莫娜·埃扎丁 , 阿特里亚·马朱姆达尔 , 马克·博奎特 , 巴斯蒂恩·吉拉德 , Jean-Philippe编号 , 弗朗索瓦·安德烈 , 达米安·奎利奥斯 , Jean-Michel门户 :
采用鲁棒2T2R电阻RAM桥的二值化神经网络的低开销实现。 欧洲社会保障监督委员会 2021 : 83-86 [公元20年] 莫娜·埃扎丁 , 阿特里亚·马朱姆达尔 , 马克·博奎特 , 巴斯蒂恩·吉拉德 , Jean-Philippe编号 , 弗朗索瓦·安德烈 , 达米安·奎利奥斯 , Jean-Michel门户 :
采用鲁棒2T2R电阻RAM桥的二值化神经网络的低开销实现。 ESSDERC公司 2021 : 83-86 [第19条] 塔迪乌·莫塔·弗鲁托索 , 何塞·卢戈·阿尔瓦雷斯 , 泽维尔·加洛斯 , 劳伦特·布鲁内特 , 乔里斯·拉科德 , 路易斯·格勒 , 米卡·卡塞 , 埃多尔多·卡塔帕诺 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 弗朗索瓦·安德烈 , 弗雷德·盖拉德 , 菲利普·法拉利 :
间隔棒界面电荷对3D时序集成低温晶体管性能和可靠性的影响。 IRPS公司 2021 : 1-5 2020 [i1] 莫娜·埃扎丁 , D.博世 , 巴斯蒂恩·吉拉德 , S.巴拉德 , Jean-Philippe编号 , 迪迪埃·拉塔德 , 乔里斯·拉科德 , Jean-Michel门户 , 弗朗索瓦·安德里厄 :
用于内存计算应用的超高密度3D垂直RRAM,带有堆叠的JunctionLess纳米线。 CoRR公司 腹肌/2012.0061 ( 2020 )
2010 – 2019
2018 [第18条] 弗朗索瓦·安德烈 , 佩琳·巴图德 , 劳伦特·布鲁内特 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 迪迪埃·拉塔德 , 塞巴斯蒂安·瑟里斯 , 奥利维尔·比朗特 , 理查德·福内尔 , 莫德·维奈 :
综述了三维单片集成给CMOS器件和数字电路带来的机遇。 ICICDT公司 2018 : 141-144 2017 [第17条] 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , S.Beaureaire公司 , 法比安·德普拉特 , 亚历山大·艾尔斯·德索萨 , 劳伦特·布鲁内 , 佩琳·巴图德 , 奥利维尔·罗佐 , 弗朗索瓦·安德烈 , 保罗·贝索姆贝斯 , M.-P.萨姆森 , 伯纳德·普雷维塔利 , F.内穆奇 , G.罗德里格斯 , 菲利普·罗德里格斯 , R.Famulok公司 , 尼尔斯·兰巴尔 , 维奥雷尔·巴兰 , Z.萨吉 , V.朱塞姆 , 查尔斯·安东尼·盖林 , F.伊巴尔 , F.骄傲 , D.努盖尔 , 大卫·奈伊 , V.德拉耶 , H.丹萨斯 , X.费德斯皮尔 , 莫德·维奈 :
3D顺序集成的中间后端(BEOL)指南。 ESSDERC公司 2017 : 252-255 [第16条] 梅兰妮·布罗卡 , 贝诺·马修 , Jean-Philippe科隆纳 , 克里斯蒂亚诺·桑托斯 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 曹明文森特·卢 , 杰拉尔德·西布拉里奥 , 劳伦特·布鲁内特 , 佩琳·巴图德 , 弗朗索瓦·安德烈 , 塞巴斯蒂安·瑟里斯 , 奥利维尔·比朗特 :
单片3D标准电池中晶体管温度偏差分析。 超大规模集成电路 2017 : 539-544 2016 [第15条] R.贝特伦 , 弗朗索瓦·安德里厄 , P.Perreau公司 , E.巴亚克 , A.波菲尔斯基 , 伊曼纽尔·乔西 , 迪迪埃·杜塔尔 , A.克拉维尔 , 米歇尔·霍恩 :
14nm UTBB FDSOI中SiGe信道的性能和布局效应:SiGe第一与SiGe第二集成。 ESSDERC公司 2016 : 127-130 [第14条] 梅兰妮·布罗卡 , 纪尧姆·贝哈特 , 塞巴斯蒂安·瑟里斯 , 法比安·克莱米迪 , 佩琳·巴图德 , 克莱尔·费努埃-Beéranger , 劳伦特·布鲁内特 , 弗朗索瓦·安德里厄 , 法比安·德普拉特 , 乔里斯·拉科德 , 奥利维尔·罗佐 , 杰拉尔德·西布拉里奥 , 奥利维尔·比朗特 :
中间BEOL技术对3D VLSI标准单元性能的影响。 ESSDERC公司 2016 : 218-221 [第13条] 莫德·维奈 , 佩琳·巴图德 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 劳伦特·布鲁内特 , 文森特·马佐奇 , 曹明文森特·卢 , 法比安·德普拉特 , 杰西·米考特 , 伯纳德·普雷维塔利 , 保罗·贝索姆贝斯 , 尼尔斯·兰巴尔 , 弗朗索瓦·安德烈 , 奥利维尔·比朗特 , 梅兰妮·布罗卡 , 塞巴斯蒂安·瑟里斯 , 纪尧姆·贝哈特 , 克里斯蒂亚诺·洛佩斯·多斯·桑托斯 , 杰拉尔德·西布拉里奥 , 法比安·克莱米迪 , 丹尼尔·吉特林 , 奥利维尔·费诺 :
3D CoolCube™连续集成带来的机遇。 ESSDERC公司 2016 : 226-229 [第12条] 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 佩琳·巴图德 , 劳伦特·布鲁内特 , 文森特·马佐奇 , 曹明文森特·卢 , 法比安·德普拉特 , 杰西·米考特 , M.-P.萨姆森 , 伯纳德·普雷维塔利 , 保罗·贝索姆贝斯 , 尼尔斯·兰巴尔 , 弗朗索瓦·安德里厄 , 奥利维尔·比朗特 , 梅兰妮·布罗卡 , 塞巴斯蒂安·瑟里斯 , 杰拉尔德·西布拉里奥 , 莫德·维奈 :
3D VLSI集成的最新进展。 ICICDT公司 2016 : 1-4 2015 [第11条] 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 亚历山大·苏比拉特斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , X.费德斯皮尔 , 拉菲克先生 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , 吉尔斯·兰博德 , 奥利维尔·费诺 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
先进平面FDSOI技术中应变SOI晶体管的性能和可靠性。 IRPS公司 2015 : 2 2014 [第10条] 弗朗索瓦·安德烈 , 米卡·卡塞 , E.Baylac公司 , P.佩罗 , O.尼尔 , 丹尼斯·里多 , R.贝特伦 , 弗兰克·普科恩 , A.波菲尔斯基 , 芭芭拉·德·萨尔沃 , C.加仑 , 文森特·马佐奇 , D.驳船 , C.高默 , O.古尔汉特 , A.克罗斯 , V.巴拉 , 罗塞拉·拉尼卡 , 尼古拉斯飞机 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , E.理查德 , 伊曼纽尔·乔西 , 奥利维尔·韦伯 , 弗兰克·阿尔诺 , 莫德·维奈 , 奥利维尔·费诺 , M.Haond先生 :
双沟道(sSOI衬底,SiGe沟道)平面FDSOI MOSFET中的应变和布局管理。 ESSDERC公司 2014 : 106-109 【c9】 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , P.Nguyen先生 , W.van den Daele先生 , P.雷纳德 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , D.德尔普拉特 , 康斯坦丁·波德尔 , 吉勒·赖姆博尔德 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于先进CMOS技术节点的应变FDSOI nMOSFET的卓越性能和热载流子可靠性。 ESSDERC公司 2014 : 226-229 【c8】 卡洛斯·纳瓦洛 , 玛丽莲·巴韦丁 , 弗朗索瓦·安德烈 , 雅克·克吕泽尔 , 泽维尔·加洛斯 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
FDSOI PIN选通二极管电容测量的CMOS VT特性。 ESSDERC公司 2014 : 405-408 【c7】 J.Mazurier公司 , 奥利维尔·韦伯 , 弗朗索瓦·安德烈 , 西里尔·勒·罗耶 , 奥利维尔·费诺 , 莫德·维奈 :
平面超薄体和掩埋氧化物(UTBB)FDSOI MOSFET的可变性。 ICICDT公司 2014 : 1-4 2013 【c6】 谢尔盖·马科维耶夫 , 巴巴克·卡齐米·埃斯菲 , Jean-Pierre Raskin女士 , 丹尼斯·弗兰德 , 瓦莱丽亚·基尔奇茨卡 , 弗朗索瓦·安德烈 :
UTBB mosfet中全局变化背景下的阈值电压提取技术和温度效应。 ESSDERC公司 2013 : 194-197 [c5] 卡洛斯·纳瓦洛 , 玛丽莲·巴韦丁 , 弗朗索瓦·安德烈 , 布鲁诺·萨格内斯 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
为什么FD-SOI MOSFET中的SCE被高估? ESSDERC公司 2013 : 304-307 2012 [j1] J.马祖里尔 , 奥利维尔·韦伯 , 弗朗索瓦·安德烈 , 阿兰·托福利 , 奥利维尔·托马斯 , 法比安·艾伦 , 珍妮·菲利佩·诺埃尔 , 马克·贝利维尔 , 奥利维尔·费诺 , T.波鲁 :
适用于22 nm及以下节点的低变异性和电源管理能力的超薄体和埋置氧化物(UTBB)FDSOI技术。 J.低功率电子。 8 ( 1 ) : 125-132 ( 2012 ) 【c4】 卡洛斯·纳瓦洛 , 诺埃尔·罗德里格斯 , 卢卡·多内蒂 , 阿基科·奥利亚塔 , 弗朗西斯科·加米斯 , 弗朗索瓦·安德里厄 , 奥利维尔·法伊诺 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
多分支迁移率表征:FD-SOI MOSFET中背门偏置提高载流子迁移率的证据。 ESSDERC公司 2012 : 209-212 【c3】 瓦莱丽亚·基尔奇茨卡 , 丹尼斯·弗兰德 , 弗朗索瓦·安德烈 :
关于UTBB SOI MOSFET在准双门区的性能改进。 ESSDERC公司 2012 : 246-249 2010 【c2】 奥利维尔·托马斯 , 珍妮·菲利佩·诺埃尔 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 玛丽安·贾德 , J.杜拉 , P.佩罗 , 弗雷德里克·博夫 , 弗朗索瓦·安德烈 , D.德尔普拉特 , F.博埃特 , 康斯坦丁·布戴尔 , 碧颜阮 , 安德烈·弗拉迪米雷斯库 , 阿玛拉·阿玛拉 :
32nm及以上的Multi-VT超薄机身和BOX FDSOI:从设备到电路。 国际会计准则委员会 2010 : 1703-1706
2000 – 2009
2009 【c1】 克莱尔·费努埃-Beéranger , P.佩罗 , S.德诺姆 , L.托斯蒂 , 弗朗索瓦·安德烈 , 奥利维尔·韦伯 , S.Barnola公司 , C.阿维 , Y.坎皮德利 , 塞巴斯蒂安·哈恩德勒 , R.贝奈顿 , C.佩罗 , C.德巴特 , P.格罗斯 , 贷款Pham Nguyen , F.利沃德 , P.古拉德 , F.阿巴特 , F.男爵 , A.托雷斯 , C.薰衣草 , L.平泽利 , J.维蒂尔 , C.博罗威克 , A.玛根 , D.德尔普拉特 , F.博德 , 康斯坦丁·布戴尔 , 碧颜阮 , 奥利维尔·费诺 , 托马斯·斯科特尼基 :
10nm超薄BOX(UTBOX)和接地层对32nm及以下节点的FDSOI器件的影响。 欧洲社会保障监督委员会 2009 : 88-91