C.弗兰肯
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2000 – 2009
2009 [c1] 托马斯·齐亚雷拉 , 利斯贝斯·威特斯 , 阿卜杜勒卡里姆·默查 , 克里斯托夫·科纳 , Rok Dittrich公司 , 米查尔·拉科夫斯基 , 克劳德·奥托兰 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , 伯特兰·帕维斯 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 斯特凡·库比切克 , 奥古斯托·雷多尔菲 , R.Rooyackers公司 , C.弗兰肯 , S.布鲁斯 , A.劳尔斯 , 菲利普·阿西尔 , S.比塞曼 , 托马斯·霍夫曼 :
从平面迁移到FinFET以进一步扩展CMOS:SOI还是批量? 欧洲社会保障监督委员会 2009 : 84-87 2007 [j1] A.罗斯柴尔德 , R.Mitsuhashi先生 , 克里斯托夫·科纳 , 十、石 , J.L.埃弗雷特 , L.日期 , 蒂埃里·科纳德 , 奥利维尔·理查德 , C.弗兰肯 , R.韦贝克 , 阿纳贝拉·维洛索 , A.劳尔斯 , 穆里尔·德·波特·德滕·布勒克(Muriel de Potter de ten Broeck) , 一、德彪斯 , M.尤尔扎克 , M.Niwa先生 , 菲利普·阿西尔 , S.比塞曼 :
使用实验设计(DOE)方法在0.45 V V电压下优化HfSiON t吨 Ni-FUSI CMOS晶体管。 微电子。 Reliab公司。 47 ( 4-5 ) : 521-524 ( 2007 )
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