安东尼奥·格努迪
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附属: 意大利博洛尼亚大学
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2020年–今天
2023 [公元30年] 马泰奥·达达托 , 卢卡·佩里利 , 阿莱西亚·玛丽亚·埃尔加尼 , 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 罗伯托·卡尼加略 , 朱利奥·里科蒂 :
一种具有自动刷新和动态更新功能的超低功耗连续时间比较器阈值电压发生器电路。 国际会计准则委员会 2023 : 1-5 2022 [公元19年] 库卡说 , 阿莱西奥·安托利尼 , 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 安德烈亚·利科 , 马塞拉·卡里西米 , 马可·帕索蒂 , 罗伯托·卡尼加略 , 卢卡·兰迪 , Paolo Diotallevi码头 :
结构健康监测智能传感解决方案中的相变存储器。 J.计算。 公民。 工程师。 36 ( 4 ) ( 2022 ) [公元29年] 阿莱西奥·安托利尼 , 安德烈亚·利科 , 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 卢卡·佩里利 , 马蒂亚·路易吉·托雷斯 , 马塞拉·卡里西米 , 马可·帕索蒂 , 罗伯托·卡内加洛 :
嵌入式PCM外围设备,增加模拟MAC内存计算功能,解决非线性和时间漂移补偿问题。 欧洲社会保障监督委员会 2022 : 109-112 [公元28年] 马泰奥·达达托 , 阿莱西亚·玛丽亚·埃尔加尼 , 卢卡·佩里利 , 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 罗伯托·卡尼加略 , 朱利奥·里科蒂 :
一个54.8-nW、256位码字温度鲁棒唤醒接收器,最大限度地减少超低功耗物联网系统的错误唤醒。 ICECS 2022年 2022 : 1-4 2021 [公元27年] 卡米娜·保利诺 , 阿莱西奥·安托利尼 , 法比奥·帕雷希 , 毛罗·曼吉亚 , 里卡多·罗瓦蒂 , 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 吉安卢卡·塞蒂 , 罗伯托·卡尼加略 , 马塞拉·卡里西米 , 马可·帕索蒂 :
相位变化存储器压缩传感:处理编码器非线性。 国际会计准则委员会 2021 : 1-5 2020 [公元18年] 阿莱西亚·玛丽亚·埃尔加尼 , 弗朗西斯科·伦齐尼 , 卢卡·佩里利 , 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 罗伯托·卡尼加略 , 朱利奥·里科蒂 :
基于带通包络检测器的唤醒无线电无时钟温度补偿纳瓦模拟前端。 IEEE传输。 电路系统。 I规则。 巴普。 第67页-第一页 ( 8 ) : 2612-2624 ( 2020 ) [公元26年] 马泰奥·达达托 , 阿莱西奥·安托利尼 , 弗朗西斯科·伦齐尼 , 阿莱西亚·玛丽亚·埃尔加尼 , 卢卡·佩里利 , 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 米歇尔·马格诺 , 罗伯托·卡尼加略 :
超低功耗唤醒接收机的纳瓦时钟和数据恢复。 EWSN公司 2020 : 224-229
2010 – 2019
2019 [公元25年] 费德里科·朱利亚诺 , 里卡多·德佩罗 , 朱塞佩·克罗斯 , 安德里亚·纳塔尔·塔拉里科 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 安东尼奥·格努迪 , 恩里科·桑吉奥吉 , 克劳迪奥·费格纳 , 马蒂亚·罗塞蒂 , 安东尼奥·莫尔费斯 , 斯特凡诺·曼齐尼 :
p型LDMOS晶体管中热电子注入的TCAD预测。 ESSDERC公司 2019 : 86-89 [公元24年] 斯蒂芬妮娅·卡拉佩齐 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 :
应变InGaAs沟道MOSFET的电子迁移率。 ESSDERC公司 2019 : 266-269 2018 [公元17年] 大卫·科尼格利 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 安东尼奥·格努迪 , 埃琳娜·格纳尼 , 乔治·巴卡拉尼 , 戴维德·法比亚尼 , D.瓦尔盖塞 , Enis调谐器 , S.Krishnan公司 , 卢阮(Luu Nguyen) :
下一代高压集成电路用环氧基模塑化合物在潮湿条件下的电气特性。 微电子。 Reliab公司。 88-90 : 752-755 ( 2018 ) [公元16年] 苏珊娜·雷吉亚尼 , 马蒂亚·罗塞蒂 , 安东尼奥·格努迪 , 安德烈亚·纳塔莱·塔拉里科 , 安东尼奥·莫尔费斯 , 斯特凡诺·曼齐尼 , 里卡多·德佩罗 , 朱塞佩·克罗斯 , 恩里科·桑吉奥吉 , 克劳迪奥·费格纳 :
新一代技术中热电子注入的TCAD研究。 微电子。 Reliab公司。 88-90 : 1090-1093 ( 2018 ) [公元15年] 苏珊娜·雷吉亚尼 , 路易吉·巴莱斯特拉 , 安东尼奥·格努迪 , 埃琳娜·格尼 , 乔治·巴卡拉尼 , J.多布辛斯卡 , J.沃贝克 , C.托西 :
大面积高功率二极管DLC涂层的TCAD研究。 微电子。 Reliab公司。 88-90 : 1094-1097 ( 2018 ) 【c23】 斯蒂芬妮娅·卡拉佩齐 , 塞巴斯蒂安·埃伯勒 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 埃琳娜·格纳尼 , Cosmin罗马 , 克里斯托弗·海罗德 , 安东尼奥·格努迪 :
NO2CNT FET传感器的3D TCAD建模。 ESSDERC公司 2018 : 222-225 [公元22年] 阿莱西亚·玛丽亚·埃尔加尼 , 米歇尔·马格诺 , 弗朗西斯科·伦齐尼 , 卢卡·佩里利 , 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 罗伯托·卡尼加略 , 朱利奥·里科蒂 , 卢卡·贝尼尼 :
毫瓦唤醒无线电:分立组件和集成架构。 ICECS公司 2018 : 793-796 2016 【c21】 米歇尔·维西亚雷利 , 安东尼奥·格努迪 , 埃琳娜·格纳尼 , 苏珊娜·雷吉亚尼 :
InGaAs NW MOSFET的全量子模拟研究,包括界面陷阱。 ESSDERC公司 2016 : 180-183 [公元20年] 马丁·劳 , 特洛伊斯·马库森 , 恩里科·卡鲁索 , 大卫·埃塞尼 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 彼得·霍米亚科夫 , 马修·路易斯尔 , 帕特里克·奥斯格纳赫 , 皮耶保罗·帕莱斯特里 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 安德烈亚斯·申克 , 卢卡·塞尔米 , 库尔特·斯托克布罗 :
超薄体晶体管应用应变III-V材料的性能研究。 ESSDERC公司 2016 : 184-187 [第19条] 斯蒂芬妮娅·卡拉佩齐 , 恩里科·卡鲁索 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 埃琳娜·格纳尼 :
InGaAs UTB MOSFET的TCAD低场迁移率模型,包括准平衡校正。 ESSDERC公司 2016 : 416-419 2015 [第18条] 乔治·巴卡拉尼 , 伊曼纽尔·巴拉维利 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 :
纳米电子学的理论分析和建模。 欧洲社会保障监督委员会 2015 : 4-9 [第17条] 乔治·巴卡拉尼 , 伊曼纽尔·巴拉维利 , 埃琳娜·格尼 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 :
纳米电子学的理论分析和建模。 ESSDERC公司 2015 : 4-9 2014 [第16条] F.维拉尼 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
异质结和同质结隧道FET中电势分布的准2D半解析模型。 ESSDERC公司 2014 : 262-265 [c15] 瓦莱里奥·迪莱切 , 罗伯托·格拉西 , 安东尼奥·格努迪 , 埃琳娜·格纳尼 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
石墨烯基异质结晶体管中晶体取向和杂质散射对太赫兹操作的影响。 ESSDERC公司 2014 : 313-316 [第14条] 一、帝国 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 乔治·巴卡拉尼 , 卢阮(Luu Nguyen) , 玛丽·丹尼森 :
高压、高温操作条件下封装层的TCAD建模。 ESSDERC公司 2014 : 325-328 [第13条] F.蒙蒂 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 盖塔诺男爵 , 埃琳娜·格尼 , 安东尼奥·格努迪 , 乔治·巴卡拉尼 , 斯特凡诺·波利 , Ming-Yeh Chuang先生 , 田伟东 , D.瓦尔盖塞 , 里克怀斯 :
交流应力条件下LDMOS器件中HCS降解的TCAD分析。 ESSDERC公司 2014 : 333-336 2013 [公元14年] 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
一维玻尔兹曼输运方程的确定解:应用于纳米线FET电流输运的研究。 微电子。 J。 44 ( 1 ) : 20-25 ( 2013 ) [第12条] 伊曼纽尔·巴拉维利 , 埃琳娜·格纳尼 , 罗伯托·格拉西 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
同一InAs/Al0.05Ga0.95Sb平台上的互补n型和p型TFET。 ESSDERC公司 2013 : 69-72 [第11条] 乔瓦尼·贝蒂·贝内万蒂 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
将InAs-TFET的电流提高到1mA/μm以上,没有泄漏损失。 ESSDERC公司 2013 : 73-76 [第10条] 帕斯夸尔·马约拉诺 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
优化门堆栈以最小化超晶格场效应晶体管的功耗。 ESSDERC公司 2013 : 81-84 【c9】 苏珊娜·雷吉亚尼 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 乔治·巴卡拉尼 , 斯特凡诺·波利 , 里克怀斯 , 庄明业 , 田伟东 , 玛丽·丹尼森 :
功率MOSFET中热载流子应力退化的建模和表征(受邀)。 ESSDERC公司 2013 : 91-94 【c8】 瓦莱里奥·迪莱切 , 罗伯托·格拉西 , 安东尼奥·格努迪 , 埃琳娜·格纳尼 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
用于太赫兹工作的石墨烯基晶体管的直流和小尺寸数值模拟。 ESSDERC公司 2013 : 314-317 2012 【c7】 埃琳娜·格尼 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 安东尼奥·格努迪 , 乔治·巴卡拉尼 :
纳米线TFET中的排水电导优化。 ESSDERC公司 2012 : 105-108 【c6】 苏珊娜·雷吉亚尼 , 盖塔诺男爵 , 埃琳娜·格尼 , 安东尼奥·格努迪 , 斯特凡诺·波利 , Ming-Yeh Chuang先生 , 田伟东 , 里克怀斯 :
LDMOS晶体管的TCAD退化建模。 ESSDERC公司 2012 : 185-188 2011 [j13] 马可·盖尔曼迪 , 法国埃莱诺拉 , 安东尼奥·格努迪 :
快速沉降电荷泵锁相环高达四阶的仿真。 国际电路理论应用杂志。 39 ( 12 ) : 1257-1273 ( 2011 ) [公元12年] 埃莉诺拉·弗兰奇·斯卡塞利 , 安东尼奥·格努迪 , 费德里科·纳塔利 , 毛罗·斯坎迪乌佐 , 罗伯托·卡尼加略 , 罗伯托·格雷里 :
基于电容耦合的三维互连中电压衰减的自动补偿。 IEEE J.固态电路 46 ( 2 ) : 498-506 ( 2011 ) 2010 [公元11年] 保拉·托托里 , 大卫·盖曼迪 , 马可·盖尔曼迪 , Eleonora Franchi女士 , 安东尼奥·格努迪 :
基于直接二次谐波锁定的正交压控振荡器:理论分析和实验验证。 国际电路理论应用杂志。 38 ( 10 ) : 1063-1086 ( 2010 )
2000 – 2009
2009 【c5】 卢卡·拉彻 , 里卡多·布拉马 , 马塞洛·甘泽里 , 雅各布·伊安纳奇 , 马可·贝达尼 , 安东尼奥·格努迪 :
一种适用于GSM标准的MEMS可重构四频E类功率放大器。 日期 2009 : 364-368 【c4】 Eleonora Franchi女士 , 费德里科·纳塔利 , 安东尼奥·格努迪 , 罗伯托·格雷里 , 马西米利亚诺·因诺琴蒂 , 卢卡·西卡雷利 , 毛罗·斯坎迪乌佐 , 罗伯托·卡尼加略 :
模拟信号的3D电容传输,可自动补偿电压衰减。 欧洲社会保障监督委员会 2009 : 116-119 2008 [i3] 雅各布·伊安纳奇 , 田杰森 , 罗伯托·加迪 , 安东尼奥·格努迪 , 玛丽安·巴特克 :
一种用于RF Mems晶圆级封装电磁优化的全参数化有限元模型。 CoRR公司 腹肌/0802.3057 ( 2008 ) [i2] 马可·贝达尼 , F.卡罗扎 , 罗伯托·加迪 , 安东尼奥·格努迪 , 本诺·马杰辛 , 弗拉维奥·贾科莫齐 :
采用RF-MEMS交换机的可重构阻抗匹配网络。 CoRR公司 abs/0802.3088 ( 2008 ) 2007 [公元10年] 斯特凡诺·维塔利 , Eleonora Franchi女士 , 安东尼奥·格努迪 :
射频 检查/确认 带增益/相位校准的下变频器。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 第54页-第II页 ( 4 ) : 367-371 ( 2007 ) [i1] 雅各布·伊安纳奇 , 田杰森 , 萨奥尔·西纳加 , 罗伯托·加迪 , 安东尼奥·格努迪 , 玛丽安·巴托克 :
RF-Mems晶片级封装的寄生效应降低。 CoRR公司 abs/0711.3275 ( 2007 ) 2005 [公元9年] 大卫·格尔曼迪 , 保拉·托托里 , Eleonora Franchi女士 , 安东尼奥·格努迪 :
0.83-2.5GHz连续可调谐正交VCO。 IEEE J.固态电路 40 ( 12 ) : 2620-2627 ( 2005 ) 【c3】 斯特凡诺·维塔利 , Eleonora Franchi女士 , 安东尼奥·格努迪 :
射频I/Q下变频器的增益/相位失配校准程序。 国际会计准则委员会(3) 2005 : 2108-2111 2004 【c2】 大卫·格尔曼迪 , Eleonora Franchi女士 , 安东尼奥·格努迪 :
电感简并低噪声放大器的设计流程。 ICECS公司 2004 : 615-618 [c1] 保拉·托托里 , 大卫·盖曼迪 , Eleonora Franchi女士 , 安东尼奥·格努迪 :
基于直接二次谐波锁定的正交压控振荡器。 国际会计准则委员会(1) 2004 : 169-172
1990 – 1999
1998 [j8] 路易吉·科拉隆戈 , 玛丽娜·瓦尔迪诺西 , 安东尼奥·格努迪 , 马西莫·鲁丹 :
使用流体动力学模型对硅器件进行瞬态分析。 超大型积体电路设计 6 ( 1-4 ) : 283-286 ( 1998 ) 1994 [j7] 阿尔贝托·利昂内 , 安东尼奥·格努迪 , 乔治·巴卡拉尼 :
半导体器件在低温下工作的流体动力学模拟。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 13 ( 11 ) : 1400-1408 ( 1994 ) 1993 [j6] 安东尼奥·格努迪 , 戴维德·文图拉 , 乔治·巴卡拉尼 :
通过玻尔兹曼输运方程的球谐展开,模拟BJT中的碰撞电离。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 12 ( 11 ) : 1706-1713 ( 1993 ) 1992 [j5] 李伟(Wai Lee) , 史蒂文·劳克斯 , 马西莫·菲舍蒂 , 乔治·巴卡拉尼 , 安东尼奥·格努迪 , 约翰内斯M.C.(汉斯)鹳 , 杰克·曼德尔曼 , Emmanuel F.Crabbé , 马修·沃德曼 , 法鲁克·奥德赫 :
先进半导体器件的数值模拟。 IBM研究开发杂志。 36 ( 2 ) : 208-232 ( 1992 ) 1990 【j4】 安东尼奥·格努迪 , 法鲁克·奥德赫 , 马西莫·鲁丹 :
小型半导体器件中非局域传输现象的研究。 欧洲事务处理。 电信通信。 1 ( 三 ) : 307-312 ( 1990 )
1980 – 1989
1989 [j3] 保罗·齐安波利尼 , 亚历山德罗·福吉埃里 , 安娜·皮安东尼 , 安东尼奥·格努迪 , 马西莫·鲁丹 , 乔治·巴卡拉尼 :
自适应网格生成保持了初始网格的质量。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 8 ( 5 ) : 490-500 ( 1989 ) 1988 [注2] 亚历山德罗·福吉埃里 , 罗伯托·格雷里 , 保罗·齐安波利尼 , 安东尼奥·格努迪 , 马西莫·鲁丹 , 乔治·巴卡拉尼 :
一种新的半导体方程离散化策略,包括动量和能量平衡。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 7 ( 2 ) : 231-242 ( 1988 ) 1987 [j1] 安东尼奥·格努迪 , 保罗·齐安波利尼 , 罗伯托·格雷里 , 马西莫·鲁丹 , 乔治·巴卡拉尼 :
器件设计的灵敏度分析。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 6 ( 5 ) : 879-885 ( 1987 )
合著者索引
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