塔卡玛萨·卡瓦纳戈
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2010 – 2019
2018 【c5】 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , Tomoaki欧巴 , 柳一马 , Hiroyuki Takagi先生 , 大田顺里 :
评估SAM栅介质对MoS2 FET迁移率影响的栅四探针方法。 ESSDERC公司 2018 : 118-121 2017 【c4】 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , 柳一马 , 托木木奥巴 , Hiroyuki Takagi先生 :
MoS2 FET中混合SAM/HfOx栅介质的自由基氧化过程。 ESSDERC公司 2017 : 114-117 2016 [j3] J.Chen(陈) , 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , Hitoshi Wakabayashi先生 , 鹤嘴咀 , 岩井洋 , D.诺哈塔 , 野贺浩(Hiroshi Nohira) , Kuniyuki Kakushima公司 :
洛杉矶 2 O(运行) 三 AlGaN/GaN HEMT栅介质。 微电子。 Reliab公司。 60 : 16-19 ( 2016 ) 【c3】 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , 柳一马 , 杜万景 , 大田顺里 :
用自组装单分子膜基栅介质进行粘附光刻以制备MoS2 FET。 ESSDERC公司 2016 : 291-294 2013 【c2】 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , Kuniyuki Kakushima公司 , 吉诺里·卡托卡(Yoshinori Kataoka) , 西山明彦 , Nobuyuki Sugii公司 , Hitoshi Wakabayashi先生 , 鹤嘴咀 , 本田贤治 , 岩井洋 :
TiN肖特基栅在改善AlGaN/GaN HEMT的电气特性方面优于传统镍。 ESSDERC公司 2013 : 107-110 2012 [注2] 恩里克·米兰达 , 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , Kuniyuki Kakushima公司 , Jordi Suñé , 岩井洋 :
先进nMOSFET器件严重栅漏介质击穿时栅漏电流的分析和建模。 微电子。 Reliab公司。 52 ( 9-10 ) : 1909-1912 ( 2012 ) [c1] 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , 角岛国由纪 , 帕哈特·艾哈迈特 , 吉诺里·卡托卡(Yoshinori Kataoka) , 西山明彦 , Nobuyuki Sugii公司 , 鹤嘴咀 , 本田贤治 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
(100)和(110)取向的nMOSFET,在La-silate/Si接口中具有高度规模的EOT,用于多门架构。 ESSDERC公司 2012 : 89-92 2010 [j1] Kuniyuki Kakushima公司 , 冈本康夫 , T.小柳 , M.库达 , Kiichi Tachi先生 , 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , J.宋 , 帕哈特·艾哈迈特 , 野贺浩(Hiroshi Nohira) , 鹤嘴咀 , Nobuyuki Sugii公司 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
La的SrO封顶效应 2 O(运行) 三 /铈硅栅电介质。 微电子。 Reliab公司。 50 ( 三 ) : 356-359 ( 2010 )
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