山口先生
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2020年–今天
2022 [c1] 罗曼·里森塔勒 , 埃琳娜·卡普格雷科 , E.杜佩 , Hiroaki Arimura先生 , J.P.巴斯托斯 , P.法维亚 , F.塞巴伊 , D.萝卜 , V.T.H.阮 , G.曼纳特 , B.T.陈 , V.马奇考桑 , Y.Yoon先生 , H.伊藤川 , 山口先生 , Y.Chen先生 , 皮埃尔·法赞 , S.Subramanian公司 , 阿莱西奥·斯佩索特 , E.Dentoni Litta公司 , 萨马维达姆 , Naoto Horiguchi公司 :
高性能耐热FinFET DRAM外围CMOS FinFET,具有VTH可调性,用于未来存储器。 超大规模集成电路技术与电路 2022 : 306-307
2000 – 2009
2005 [j1] 浅井佳彦 , Y.Shintani先生 , 山口先生 , M.Uemura先生 , 松本正男 , H.卡纳莫里 :
使用心理物理分析评估灰度标准显示功能作为诊断液晶显示器的校准工具。 医学生物学。 工程计算。 43 ( 三 ) : 319-324 ( 2005 )
合著者索引
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