索林·克里斯托洛瓦努
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2010 – 2019
2019 [公元29年] 卡洛斯·马尔克斯 , 圣地亚哥·纳瓦罗 , 卡洛斯·纳瓦洛 , 诺贝托·萨拉查 , 菲利普·盖利 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 弗朗西斯科·加米斯 :
温度和闸门泄漏对Z的影响 2 -FET存储器操作。 ESSDERC公司 2019 : 238-241 [公元28年] 路易丝·德·孔蒂 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 莫德·维奈 , 菲利普·盖利 :
ESD保护用薄膜FD-SOI BIMOS拓扑。 IRPS公司 2019 : 1-5 2018 [公元27年] Kyunghwa Lee(李京华) , 哈桑·埃尔·迪拉尼 , 帕斯卡·丰特内奥 , 玛丽莲·巴韦丁 , 佐藤信戈 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
Z的快速切换、无滞后特性 2 -用于快速逻辑应用的FET。 ESSDERC公司 2018 : 74-77 2017 [公元26年] Kyung Hwa Lee(李庆华) , 玛丽莲·巴韦丁 , 现代公园 , 穆克塔·辛格·帕里哈尔 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
FD-SOI层中的载流子寿命评估。 ESSDERC公司 2017 : 140-143 [公元25年] 路易丝·德·孔蒂 , 托马斯·贝德卡拉茨 , 莫德·维奈 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 菲利普·加利 :
在先进的FD-SOI CMOS技术中实现薄硅ESD保护的栅二极管BIMOS。 ICICDT公司 2017 : 1-4 2016 [公元24年] 索林·克里斯托洛瓦努 , 玛丽莲·巴韦丁 :
FDSOI设备:问题和创新解决方案。 ESSDERC公司 2016 : 117-120 【c23】 哈桑·埃尔·迪拉尼 , 帕斯卡·丰特内奥 , 约汉·索拉罗 , 菲利普·法拉利 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
新型FDSOI带调器件:Z 2 -双接地平面场效应晶体管。 ESSDERC公司 2016 : 210-213 [公元22年] Ki-Sik我 , Chul Ho Won公司 , Jae Hwa Seo先生 , 在满康 , 信杜里Vodapally , 李勇洙 , 李荣熙 , 金永泰 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
具有优异器件性能的新型AlGaN/GaN omega-FinFET。 ESSDERC公司 2016 : 323-326 2015 【c21】 Dong-Hyeok儿子 , Young-woo Jo(杨宇乔) , Ryun-Hwi Kim先生 , 陈熙 , Jae Hwa Seo先生 , 金素金 , 在满康 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 李荣熙 :
利用TMAH溶液中的各向异性湿法腐蚀制备高性能AlGaN/GaN FinFET。 ESSDERC公司 2015 : 130-133 [公元20年] 安托万·利蒂 , 西尔维·奥托兰 , 多米尼克·戈兰斯基 , 克里斯蒂安·达托 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
超薄FDSOI中的EDMOS:掺杂和漂移区布局的影响。 ESSDERC公司 2015 : 134-137 [第19条] 哈桑·埃尔·迪拉尼 , 约汉·索拉罗 , 帕斯卡·丰特内奥 , 菲利普·法拉利 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
锐利开关Z 2 -采用14 nm FDSOI技术的FET器件。 ESSDERC公司 2015 : 250-253 [第18条] 穆克塔·辛格·帕里哈尔 , 刘番禺 , 卡洛斯·纳瓦洛 , 西尔万·巴拉德 , 玛丽莲·巴韦丁 , 爱奥尼亚鸢尾花 , 阿比纳夫·克兰蒂 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
无结晶体管的背门效应和详细表征。 ESSDERC公司 2015 : 282-285 [第17条] 卢卡·皮尔罗 , 爱奥尼亚鸢尾花 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 杰拉德·吉巴多 :
裸SOI晶圆中的低频噪声:实验和模型。 ESSDERC公司 2015 : 286-289 [c16] S.Athanasiou公司 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 菲利普·盖利 :
FDSOI UTBB CMOS技术中用于ESD保护的硅薄膜中BIMOS晶体管的初步3D TCAD电热模拟。 ICICDT公司 2015 : 1-4 [第15条] 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 亚历山大·苏比拉特斯(Alexandre Subirats) , 弗朗索瓦·安德烈 , X.费德斯皮尔 , 拉菲克先生 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , 吉尔斯·兰博德 , 奥利维尔·费诺 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
先进平面FDSOI技术中应变SOI晶体管的性能和可靠性。 IRPS公司 2015 : 2 2014 [c14] 安托万·利蒂 , 西尔维·奥托兰德 , 多米尼克·戈兰斯基 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于5V能量管理应用的超薄FDSOI中的双接地层EDMOS。 ESSDERC公司 2014 : 134-137 [第13条] 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , P.Nguyen先生 , W.van den Daele先生 , P.雷纳德 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , D.德尔普拉特 , 康斯坦丁·布戴尔 , 吉尔斯·兰博德 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于高级CMOS技术节点的应变FDSOI nMOSFET的卓越性能和热载流子可靠性。 ESSDERC公司 2014 : 226-229 [第12条] 卡洛斯·纳瓦洛 , 玛丽莲·巴韦丁 , 弗朗索瓦·安德烈 , 雅克·克吕泽尔 , 泽维尔·加洛斯 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
FDSOI PIN选通二极管电容测量的CMOS VT特性。 ESSDERC公司 2014 : 405-408 [第11条] G.A.Umana-Memberno公司 , S.-J.Chang , 玛丽莲·巴韦丁 , J.安托舍夫斯基 , 索林·克里斯托洛瓦努 , L.Faraone公司 :
全耗尽MOSFET中磁电阻的迁移谱分析。 ESSDERC公司 2014 : 409-412 2013 【j4】 宋在昌 , 玛丽莲·巴韦丁 , 熊伟德 , 李宗贤 , 李荣熙 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
带ONO埋层的FinFET中的远程载流子陷阱:温度效应。 微电子。 Reliab公司。 53 ( 三 ) : 386-393 ( 2013 ) [第10条] Ionut半径 , 格维尔塔斯·高丁 , 威廉·范登·戴勒 , 织物字母 , 卡洛斯·马祖尔 , 莱亚·迪西奥西奥 , 托马斯·拉卡夫 , 弗雷德里克·马赞 , 帕斯卡·谢布林 , 托马斯·西格纳马尔凯克斯 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于高密度器件集成的新型低温3D晶片堆叠技术。 ESSDERC公司 2013 : 151-154 【c9】 约汉·索拉罗 , 帕斯卡·丰特内奥 , 查尔斯·阿莱克安德烈·罗格朗 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 菲利普·法拉利 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于FDSOI ESD保护的新型后备UTBB横向SCR。 ESSDERC公司 2013 : 222-225 【c8】 宋在昌 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 玛丽莲·巴韦丁 , 李宗贤 , 李荣熙 , Sutirtha Mukhopadhyay公司 , 本杰明·皮奥特 :
FD MOSFET中的磁电阻测量和异常迁移行为。 ESSDERC公司 2013 : 296-299 【c7】 卡洛斯·纳瓦洛 , 玛丽莲·巴韦丁 , 弗朗索瓦·安德烈 , 布鲁诺·萨格内斯 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
为什么FD-SOI MOSFET中的SCE被高估? ESSDERC公司 2013 : 304-307 【c6】 安托万·利蒂 , 西尔维·奥托兰 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 海伦·贝克里奇·罗斯 , 多米尼克·戈兰斯基 :
改进了高级CMOS技术中隔离EDMOS的建模。 ICICDT公司 2013 : 25-28 2012 [j3] 大田昭子 , Young-Ho Bae公司 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 托马斯·西格纳马尔凯克斯 , J.威迪兹 , 布鲁诺·盖塞伦 , 奥利维尔·费诺 , 劳伦特·克莱维利埃 :
薄体SOI MOSFET中混合定向技术的深变形和固相外延再生长工艺。 微电子。 Reliab公司。 52 ( 11 ) : 2602-2608 ( 2012 ) 【c5】 京湾 , 西里尔·勒·罗耶 , 亚历山大·扎斯拉夫斯基 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
Z轴 2 -FET用作单管高速DRAM。 ESSDERC公司 2012 : 197-200 【c4】 卡洛斯·纳瓦洛 , 诺埃尔·罗德里格斯 , 卢卡·多内蒂 , 阿基科·奥利亚塔 , 弗朗西斯科·加米斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , 奥利维尔·费诺 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
多分支迁移率表征:FD-SOI MOSFET中背门偏置提高载流子迁移率的证据。 ESSDERC公司 2012 : 209-212 2011 [注2] 大池清一 , 西尔万·巴拉德 , Kuniyuki Kakushima公司 , 岩井洋 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 托马斯·恩斯特 :
栅全圆纳米线FET、鳍FET和全耗尽SOI FET的低温电气特性比较。 微电子。 Reliab公司。 51 ( 5 ) : 885-888 ( 2011 )
2000 – 2009
2007 [j1] 凯伦·阿卡瓦达尔 , 阿卜杜勒卡里姆·默查 , 埃迪·西蒙 , Vaidyanathan Subramanian语 , Cor Claeys公司 , 皮埃尔·金蒂尔 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
最先进的三门晶体管的高温性能。 微电子。 Reliab公司。 47 ( 12 ) : 2065-2069 ( 2007 ) 2005 【c3】 陈素恒 , 詹姆斯·范德桑德 , 本杰明·布拉洛克 , 凯雷姆·阿卡瓦尔达尔 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 穆罕默德·莫贾拉迪 :
SOI四栅晶体管(G 4 -FET)用于高压模拟应用。 欧洲社会保障监督委员会 2005 : 311-314 【c2】 凯伦·阿卡瓦达尔 , 陈素恒 , 本杰明·布拉洛克 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 皮埃尔·金蒂尔 , 穆罕默德·莫贾拉迪 :
使用SOI四栅晶体管(G 4 -FET)。 欧洲社会保障监督委员会 2005 : 499-502 【c1】 阿米尔·菲亚尼 , Farrokh Vatan公司 , 穆罕默德·莫贾拉迪 , 尼克扎德·本尼·图马里安 , 本杰明·布拉洛克 , 凯雷姆·阿卡瓦尔达尔 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 皮埃尔·金蒂尔 :
G 4 -FET:通用可编程逻辑门。 ACM大湖区超大规模集成电路研讨会 2005 : 349-352 [电子1] 劳伦特·费斯克 , 安德烈亚斯·凯泽 , 索林·克里斯托洛瓦努 , 米歇尔·布里卢特 :
2005年9月12日至16日,法国格勒诺布尔,ESSCIRC,第31届欧洲固态电路会议记录。 电气与电子工程师协会 2005 ,国际标准图书编号 0-7803-9205-1 [目录]
1990 – 1999
1999 【r1】 索林·克里斯托洛瓦努 :
绝缘体上的硅技术。 VLSI手册 1999
合著者索引
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