吉尔斯·兰博德
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2010 – 2019
2018 [j8] 泽维尔·加洛斯 , 安托万·洛朗 , 亚历山大·苏比拉特斯(Alexandre Subirats) , X.费德斯皮尔 , E.文森特 , 吉尔斯·兰博德 :
纳米晶体管中BTI引起的动态变化的表征和建模。 微电子。 Reliab公司。 80 : 100-108 ( 2018 ) [第10条] 泽维尔·加洛斯 , 亚历山大·苏比拉特斯(Alexandre Subirats) , 吉尔斯·兰博德 , 弗雷德·盖拉德 , 谢赫·迪乌夫 , X.费德斯皮尔 , 文森特·华德 , 拉菲克先生 :
一种快速评估BTI降解可逆和永久成分的新方法。 IRPS公司 2018 : 6-1 2017 [j7] 布鲁娜·卡多索·帕兹 , 雷南·特雷维索利·多里亚 , 米卡·卡塞 , 西尔万·巴拉德 , 吉尔斯·兰博德 , 莫德·维奈 , 奥利维尔·费诺 , 马塞洛·安东尼奥·帕瓦内洛 :
三栅SOI纳米线MOSFET低至100K的谐波失真分析。 微电子。 Reliab公司。 79 : 111-118 ( 2017 ) 【c9】 威廉·范登代尔 , 托马斯·洛林 , 罗曼·格沃齐茨基 , 扬尼克·贝恩斯 , 杰罗姆·比斯卡拉 , 玛丽安·贾德 , 夏洛特·吉洛特 , 马休·查尔斯 , 马克·普利森尼尔 , 吉尔斯·兰博德 :
关于GaN-On-Si肖特基二极管中阴极相关陷阱效应的理解。 ESSDERC公司 2017 : 126-129 2016 [j6] 布鲁娜·卡多索·帕兹 , 米卡·卡塞 , 西尔万·巴拉德 , 吉尔斯·兰博德 , 奥利维尔·费诺 , F.阿维拉·赫雷拉 , 安东尼奥·塞尔迪拉 , 马塞洛·安东尼奥·帕瓦内洛 :
短沟道三栅无结纳米线晶体管的漏电流模型。 微电子。 Reliab公司。 63 : 1-10 ( 2016 ) 【c8】 布鲁娜·卡多索·帕兹 , 马塞洛·安东尼奥·帕瓦内洛 , 米卡·卡塞 , 西尔万·巴拉德 , 吉尔斯·兰博德 , 莫德·维奈 , 奥利维尔·费诺 :
应变SOI纳米线的模拟性能低至10K。 ESSDERC公司 2016 : 222-225 2015 [j5] 朱利奥·托伦特 , 让·科伊格纳斯 , 索菲·雷纳德 , 亚历山大·维纳特 , 吉尔斯·兰博德 , 大卫·罗伊 , 杰拉德·吉巴多 :
基于物理的提取方法用于准确的MOSFET降解评估。 微电子。 Reliab公司。 55 ( 9-10 ) : 1417-1421 ( 2015 ) 【c7】 J.佩洛克斯祈祷 , 米卡·卡塞 , 弗朗索瓦·特里翁 , 西尔万·巴拉德 , 亚恩·米歇尔·尼奎特 , J.-L.鲁维埃 , 奥利维尔·费诺 , 吉尔斯·兰博德 :
应变对10nm以下纳米线MOSFET迁移率的影响:几何效应和压阻模型。 ESSDERC公司 2015 : 210-213 【c6】 卡洛斯·苏亚雷斯-塞戈维亚 , 查尔斯·勒鲁 , 弗洛里安·多曼吉 , Karen Dabertrand女士 , 文森特·约瑟夫 , 乔瓦尼·罗曼诺 , 皮埃尔·考贝 , 斯蒂芬·佐尔 , 奥利维尔·韦伯 , 杰拉德·吉巴多 , 吉尔斯·兰博德 , 米歇尔·霍恩 :
通过牺牲镧在HfON-14nm NFET器件上的扩散,实现有效的功函数工程。 ESSDERC公司 2015 : 246-249 【c5】 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 亚历山大·苏比拉特斯(Alexandre Subirats) , 弗朗索瓦·安德烈 , X.费德斯皮尔 , 拉菲克先生 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , 吉尔斯·兰博德 , 奥利维尔·费诺 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
先进平面FDSOI技术中应变SOI晶体管的性能和可靠性。 IRPS公司 2015 : 2 2014 【c4】 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , P.Nguyen先生 , W.van den Daele先生 , P.雷纳德 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , D.德尔普拉特 , 康斯坦丁·布戴尔 , 吉尔斯·兰博德 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于高级CMOS技术节点的应变FDSOI nMOSFET的卓越性能和热载流子可靠性。 ESSDERC公司 2014 : 226-229 2013 【c3】 小山正弘 , 米卡·卡塞 , 雷米·科昆德 , 西尔万·巴拉德 , 杰拉德·吉巴多 , 岩井洋 , 吉尔斯·兰博德 :
器件尺度对SOI三栅N型和p型硅纳米线MOSFET低频噪声的影响。 ESSDERC公司 2013 : 300-303 2012 【c2】 小山正弘 , 米卡·卡塞 , 雷米·科昆德 , 西尔万·巴劳德 , 岩井洋 , 杰拉德·吉巴多 , 吉尔斯·兰博德 :
应变和未应变SOI三栅和欧米伽栅硅纳米线MOSFET中载流子输运的研究。 ESSDERC公司 2012 : 73-76 【c1】 昆汀·休伯特 , 卡琳·贾汗 , 阿兰·托福利 , 加布里埃尔·纳瓦罗 , S.Chandrashekar公司 , 皮埃尔·诺伊 , 维罗尼克·索萨 , 卢卡·佩尼奥拉 , J.-F.诺丁 , A.波斯科 , S.迈特雷让 , A.鲁尔 , E.赫纳夫 , M.特斯赛尔 , P.祖利亚尼 , 罗伯特·安南齐亚塔 , 吉尔斯·兰博德 , G.帕纳纳卡基斯 , 芭芭拉·德·萨尔沃 :
掺碳Ge2Sb2Te5相变存储器件具有降低重置电流和功耗的特点。 ESSDERC公司 2012 : 286-289
2000 – 2009
2009 【j4】 泽维尔·加洛斯 , 米卡·卡塞 , 拉菲克先生 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 吉尔斯·兰博德 , 弗朗索瓦·马丁 , 克劳迪娅·维默 , F.布朗格 :
先进HK MG堆栈中BTI可靠性的过程依赖性。 微电子。 Reliab公司。 49 ( 9-11 ) : 982-988 ( 2009 ) 2007 [j3] 吉尔斯·兰博德 , 杰罗姆·米塔德 , 泽维尔·加洛斯 , 查尔斯·勒鲁 , 杰拉德·吉巴多 , 弗朗索瓦·马丁 :
Hf-基氧化物/TiN堆中的初始和PBTI诱导陷阱和电荷。 微电子。 Reliab公司。 47 ( 4-5 ) : 489-496 ( 2007 ) [注2] 查尔斯·勒鲁 , 杰拉德·吉巴多 , 吉尔斯·兰博德 :
精确测定先进MOS结构中的平带电压。 微电子。 Reliab公司。 47 ( 4-5 ) : 660-664 ( 2007 ) 2001 [j1] 吉尔斯·兰博德 , T.波鲁 :
等离子体充电损伤机制及其对新技术的影响。 微电子。 Reliab公司。 41 ( 7 ) : 959-965 ( 2001 )
合著者索引
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