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2024
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Nur K.Alam女士,Sergiu气候,本·卡泽尔,菲利普·罗塞尔,布莱希特·特鲁伊扬,拉尔斯·奥克·拉格纳森,陆口猪笼草,马克·海恩斯,简·范·霍特:
铁电体Landau双阱势的过渡态理论解释。 CoRR公司腹肌/2404.13138(2024)
2023
【c9】
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  - conf/vlsit/ArimuraBFOVCCKS23
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Hiroaki Arimura先生,S.布鲁斯,雅各布·佛朗哥,尤素克·奥尼基,A.万德门,T.科纳德,B.T.陈,B.坎南,萨米先生,W.李,P.德明斯基,E.谢罗,J.贝克,N.乔丹,G.阿莱西奥·维尼,J.W.梅斯,M.吉文斯,拉尔斯·奥克·拉格纳森,杰罗姆·米塔德,E.Dentoni Litta公司,N.Horiguchi公司:
氮化钼作为CFET的可伸缩和热稳定pWFM。超大规模集成电路技术与电路 2023:1-2
2022
【c8】
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  - conf/imw2/RonchiRCKKMBbH22
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尼科洛·隆奇,拉尔斯·奥克·拉格纳森,翁贝托·塞拉诺,本·卡泽尔,卡兹马雷克,K.班纳吉,肖恩·麦克米切尔,吉尔特·范登博世,简·范·霍特:
用于存储器应用的掺杂HfO2-FeFET的综合可变性研究。 IMW公司 2022:1-4
2021
【c7】
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雅各布·佛朗哥,Hiroaki Arimura先生,J.-F.de马内夫,A.万德门,拉丁美洲。拉格纳松,吴志成,迪特尔·克莱斯,E.Dentoni Litta公司,N.Horiguchi公司,克里斯·克罗斯,迪米特里·林顿,胫骨格拉瑟,本·卡泽尔:
用于未来逻辑器件技术中BTI可靠性的新型低热预算门堆栈解决方案：邀请论文。 ICICDT公司 2021:1-4

2010 – 2019

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2016
【c6】
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托马斯·齐亚雷拉,斯特凡·库比切克,E.罗塞尔,罗曼·里岑萨勒,安德烈·希卡维,P.Eyben先生,安·德·科尔斯基（An De Keersgieter）,拉丁美洲。拉格纳松,M.-S.金,S.-A.Chew公司,汤姆·施拉姆,S.Demuynck公司,米罗斯拉夫·库帕克,吕克·里恩德斯,莫林·德汉,Naoto Horiguchi公司,杰罗姆·米塔德,丹·莫库塔,安达·莫库塔,亚伦·冯·尤恩:
朝着高性能亚10nm finW块状FinFET技术迈进。 ESSDERC公司 2016:131-134
2015
【c5】
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  - conf/icicdt/MiyaguchiPRWRMM15
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宫口贤一,伯特兰·帕维斯,拉尔斯·奥克·拉格纳森,皮特·旺巴克（Piet Wambacq）,普拉文·拉格万,阿卜杜勒卡里姆·默查,安达·莫库塔,Diederik Verkest公司,亚伦·提安:
14nm及以上节点的FinFET金属栅堆叠电阻建模。 ICICDT公司 2015:1-4
2014
【c4】
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朱利娅·皮科洛,P.I.库因德斯马,拉丁美洲。拉格纳松,雷蒙德·J·E·休廷,纳丁·科勒特,朱里安·施密茨:
FinFET技术中的硅LED。 ESSDERC公司 2014:274-277
2012
[j5]
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  - 期刊/mr/FrancoGKCRGG12
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雅各布·佛朗哥,S.格拉齐亚诺,本·卡泽尔,费利斯·克鲁皮,拉尔斯·奥克·拉格纳森,胫骨格拉瑟,吉多·格罗塞内肯:
用于亚阈值逻辑的超薄EOT MOSFET的BTI可靠性。微电子。Reliab公司。 52(9-10):1932-1935(2012)
【c3】
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罗曼·里森塔勒,汤姆·施拉姆,埃里克·伯里,杰罗姆·米塔德,拉丁美洲。拉格纳松,吉多·格罗塞内肯,N.Horiguchi公司,亚伦·提安,阿莱西奥·斯佩索特,克里斯蒂安·凯拉特,V.斯里维迪亚,皮埃尔·法赞:
低功耗DRAM兼容替换门-高-k/金属门堆栈。 ESSDERC公司 2012:242-245
【c2】
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雅各布·佛朗哥,本·卡泽尔,杰罗姆·米塔德,玛丽亚·托莱达诺·卢克,费利斯·克鲁皮,吉尔特·埃内曼,J.Rousse博士,胫骨格拉瑟,M.Cho先生,托马斯·考劳夫,利斯贝斯·威特斯,Geert地狱,拉丁美洲。拉格纳松,Naoto Horiguchi公司,马克·海恩斯,吉多·格罗塞内肯:
用于VLSI逻辑应用的高迁移率SiGe沟道pMOSFET具有卓越的可靠性和降低的时间依赖性可变性。 ICICDT公司 2012:1-4
2011
【j4】
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  - 期刊/先生/OConnorHKR11
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罗伯特·奥康纳,格雷格·休斯,托马斯·考劳夫,拉尔斯·奥克·拉格纳森:
薄ZrO的可靠性₂栅介质层。微电子。Reliab公司。 51(6):1118-1122(2011)

2000 – 2009

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2009
[c1]
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  - conf/esscirc/ChiarellaWMKDRO09
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托马斯·齐亚雷拉,利斯贝斯·威特斯,阿卜杜勒卡里姆·默查,克里斯托夫·科纳,Rok Dittrich公司,米查尔·拉科夫斯基,克劳德·奥托兰,拉尔斯·奥克·拉格纳森,伯特兰·帕维斯,安·德·科尔斯基（An De Keersgieter）,斯特凡·库比切克,奥古斯托·雷多尔菲,R.Rooyackers公司,C.弗兰肯,S.布鲁斯,A.洗衣机,菲利普·阿西尔,S.比塞曼,托马斯·霍夫曼:
从平面迁移到FinFET以进一步扩展CMOS：SOI还是批量？欧洲社会保障监督委员会 2009:84-87
2005
[j3]
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汤姆·施拉姆,拉丁美洲。拉格纳松,G.S.卢扬,W.杜威,J.Chen（陈）,W.Tsai先生,K.亨森,R.J.P.兰德,J.C.胡克,J.韦托曼:
自对准HfO的性能改进₂/TaN和SiON/TaN nMOS晶体管。微电子。Reliab公司。 45(5-6):779-782(2005)
[注2]
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  - 期刊/mr/DeweerdKCSSRDPEM05
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W.杜威,维迪亚·考希克,J.Chen（陈）,Y.岛本,汤姆·施拉姆,L.Å。拉格纳松,安妮莉丝·德拉比,路易吉·潘蒂萨诺,B.艾肯,J.W.梅斯:
V的潜在补救措施_T型/V（V）_{联邦调查局}-氟化氢/多晶硅基栅堆栈的移位问题：基于解决方案的调查。微电子。Reliab公司。 45(5-6):786-789(2005)
[j1]
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G.S.卢扬,维姆·马格纳斯,拉丁美洲。拉格纳松,斯特凡·库比切克,斯特凡·德根特,马克·海恩斯,克里斯汀·德梅耶:
模拟介质电荷的远程库仑散射导致的迁移率退化及其对MOS器件性能的影响。微电子。Reliab公司。 45(5-6):794-797(2005)

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