拉丁美洲。 拉格纳松
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2020年–今天
2024 [i1] Nur K.Alam女士 , Sergiu气候 , 本·卡泽尔 , 菲利普·罗塞尔 , 布莱希特·特鲁伊扬 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , 陆口猪笼草 , 马克·海恩斯 , 简·范·霍特 :
铁电体Landau双阱势的过渡态理论解释。 CoRR公司 腹肌/2404.13138 ( 2024 ) 2023 【c9】 Hiroaki Arimura先生 , S.布鲁斯 , 雅各布·佛朗哥 , 尤素克·奥尼基 , A.万德门 , T.科纳德 , B.T.陈 , B.坎南 , 萨米先生 , W.李 , P.德明斯基 , E.谢罗 , J.贝克 , N.乔丹 , G.阿莱西奥·维尼 , J.W.梅斯 , M.吉文斯 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , 杰罗姆·米塔德 , E.Dentoni Litta公司 , N.Horiguchi公司 :
氮化钼作为CFET的可伸缩和热稳定pWFM。 超大规模集成电路技术与电路 2023 : 1-2 2022 【c8】 尼科洛·隆奇 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , 翁贝托·塞拉诺 , 本·卡泽尔 , 卡兹马雷克 , K.班纳吉 , 肖恩·麦克米切尔 , 吉尔特·范登博世 , 简·范·霍特 :
用于存储器应用的掺杂HfO2-FeFET的综合可变性研究。 IMW公司 2022 : 1-4 2021 【c7】 雅各布·佛朗哥 , Hiroaki Arimura先生 , J.-F.de马内夫 , A.万德门 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , 吴志成 , 迪特尔·克莱斯 , E.Dentoni Litta公司 , N.Horiguchi公司 , 克里斯·克罗斯 , 迪米特里·林顿 , 胫骨格拉瑟 , 本·卡泽尔 :
用于未来逻辑器件技术中BTI可靠性的新型低热预算门堆栈解决方案:邀请论文。 ICICDT公司 2021 : 1-4
2010 – 2019
2016 【c6】 托马斯·齐亚雷拉 , 斯特凡·库比切克 , E.罗塞尔 , 罗曼·里岑萨勒 , 安德烈·希卡维 , P.Eyben先生 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 拉丁美洲。 拉格纳松 , M.-S.金 , S.-A.Chew公司 , 汤姆·施拉姆 , S.Demuynck公司 , 米罗斯拉夫·库帕克 , 吕克·里恩德斯 , 莫林·德汉 , Naoto Horiguchi公司 , 杰罗姆·米塔德 , 丹·莫库塔 , 安达·莫库塔 , 亚伦·冯·尤恩 :
朝着高性能亚10nm finW块状FinFET技术迈进。 ESSDERC公司 2016 : 131-134 2015 【c5】 宫口贤一 , 伯特兰·帕维斯 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , 皮特·旺巴克(Piet Wambacq) , 普拉文·拉格万 , 阿卜杜勒卡里姆·默查 , 安达·莫库塔 , Diederik Verkest公司 , 亚伦·提安 :
14nm及以上节点的FinFET金属栅堆叠电阻建模。 ICICDT公司 2015 : 1-4 2014 【c4】 朱利娅·皮科洛 , P.I.库因德斯马 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , 雷蒙德·J·E·休廷 , 纳丁·科勒特 , 朱里安·施密茨 :
FinFET技术中的硅LED。 ESSDERC公司 2014 : 274-277 2012 [j5] 雅各布·佛朗哥 , S.格拉齐亚诺 , 本·卡泽尔 , 费利斯·克鲁皮 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , 胫骨格拉瑟 , 吉多·格罗塞内肯 :
用于亚阈值逻辑的超薄EOT MOSFET的BTI可靠性。 微电子。 Reliab公司。 52 ( 9-10 ) : 1932-1935 ( 2012 ) 【c3】 罗曼·里森塔勒 , 汤姆·施拉姆 , 埃里克·伯里 , 杰罗姆·米塔德 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , 吉多·格罗塞内肯 , N.Horiguchi公司 , 亚伦·提安 , 阿莱西奥·斯佩索特 , 克里斯蒂安·凯拉特 , V.斯里维迪亚 , 皮埃尔·法赞 :
低功耗DRAM兼容替换门-高-k/金属门堆栈。 ESSDERC公司 2012 : 242-245 【c2】 雅各布·佛朗哥 , 本·卡泽尔 , 杰罗姆·米塔德 , 玛丽亚·托莱达诺·卢克 , 费利斯·克鲁皮 , 吉尔特·埃内曼 , J.Rousse博士 , 胫骨格拉瑟 , M.Cho先生 , 托马斯·考劳夫 , 利斯贝斯·威特斯 , Geert地狱 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , Naoto Horiguchi公司 , 马克·海恩斯 , 吉多·格罗塞内肯 :
用于VLSI逻辑应用的高迁移率SiGe沟道pMOSFET具有卓越的可靠性和降低的时间依赖性可变性。 ICICDT公司 2012 : 1-4 2011 【j4】 罗伯特·奥康纳 , 格雷格·休斯 , 托马斯·考劳夫 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 :
薄ZrO的可靠性 2 栅介质层。 微电子。 Reliab公司。 51 ( 6 ) : 1118-1122 ( 2011 )
2000 – 2009
2009 [c1] 托马斯·齐亚雷拉 , 利斯贝斯·威特斯 , 阿卜杜勒卡里姆·默查 , 克里斯托夫·科纳 , Rok Dittrich公司 , 米查尔·拉科夫斯基 , 克劳德·奥托兰 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , 伯特兰·帕维斯 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 斯特凡·库比切克 , 奥古斯托·雷多尔菲 , R.Rooyackers公司 , C.弗兰肯 , S.布鲁斯 , A.洗衣机 , 菲利普·阿西尔 , S.比塞曼 , 托马斯·霍夫曼 :
从平面迁移到FinFET以进一步扩展CMOS:SOI还是批量? 欧洲社会保障监督委员会 2009 : 84-87 2005 [j3] 汤姆·施拉姆 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , G.S.卢扬 , W.杜威 , J.Chen(陈) , W.Tsai先生 , K.亨森 , R.J.P.兰德 , J.C.胡克 , J.韦托曼 :
自对准HfO的性能改进 2 /TaN和SiON/TaN nMOS晶体管。 微电子。 Reliab公司。 45 ( 5-6 ) : 779-782 ( 2005 ) [注2] W.杜威 , 维迪亚·考希克 , J.Chen(陈) , Y.岛本 , 汤姆·施拉姆 , L.Å。 拉格纳松 , 安妮莉丝·德拉比 , 路易吉·潘蒂萨诺 , B.艾肯 , J.W.梅斯 :
V的潜在补救措施 T型 /V(V) 联邦调查局 -氟化氢/多晶硅基栅堆栈的移位问题:基于解决方案的调查。 微电子。 Reliab公司。 45 ( 5-6 ) : 786-789 ( 2005 ) [j1] G.S.卢扬 , 维姆·马格纳斯 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , 斯特凡·库比切克 , 斯特凡·德根特 , 马克·海恩斯 , 克里斯汀·德梅耶 :
模拟介质电荷的远程库仑散射导致的迁移率退化及其对MOS器件性能的影响。 微电子。 Reliab公司。 45 ( 5-6 ) : 794-797 ( 2005 )
合著者索引
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