克里斯托夫·加奎尔
人员信息
优化列表
2020年–今天
2023 [公元14年] Driss Aouladhadj公司 , Ettien Lazare Kpre公司 , 弗吉尼亚·德尼奥 , 艾曼·哈尔乔夫 , 克里斯托夫·格兰萨尔 , 克里斯托夫·加奎尔 :
使用射频识别信号的无人机检测和跟踪。 传感器 23 ( 17 ) : 7650 ( 2023 ) 2022 [j13] 伊萨·阿拉吉 , 冈田艾蒂安 , 丹尼尔·格洛里亚 , 纪尧姆·杜库诺 , 克里斯托夫·加奎尔 :
针对5G设备功耗优化的温度补偿功率检测器。 微电子。 J。 120 : 105351 ( 2022 ) 【c5】 威廉·R·艾森斯塔特 , 马克·罗斯 , 德文·莫里斯 , 何塞·路易斯·冈萨雷斯-吉梅内斯 , 基督莫内 , 曼努埃尔·J·巴拉根 , 吉尔达斯·莱格 , 弗洛伦特·西里奇 , 埃斯特尔·劳加·拉罗泽 , 萨尔瓦多·米尔 , 西尔万·布德尔 , 马克·马加列夫·罗维拉 , 伊萨·阿拉吉 , 海瑟姆·加尼姆 , 纪尧姆·杜库诺 , 克里斯托夫·加奎尔 :
RF/5G测试专题会议。 电动滑行系统 2022 : 1-9 2021 [公元12年] 伊萨·阿拉吉 , 瓦利德·奥伊梅尔 , 海塔姆·加尼姆 , 冈田艾蒂安 , 西尔维·莱皮利特 , 丹尼尔·格洛里亚 , 纪尧姆·杜库诺 , 克里斯托夫·加奎尔 :
针对5G器件功耗优化设计零偏置功率检测器。 微电子。 J。 111 : 105035 ( 2021 ) [公元11年] 马克·马加列夫·罗维拉 , 奥利维尔·奥切罗 , 阿卜杜勒哈利姆·萨阿迪 , 瓦妮莎·阿夫拉莫维奇 , 西尔维·莱皮利特 , 洛伊克·文森特 , 曼努埃尔·J·巴拉根 , 埃曼纽尔·皮斯托诺 , 西尔万·布德尔 , 克里斯托夫·加奎尔 , 菲利普·法拉利 :
用于安全测量应用的毫米波通过负载元件。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 68 ( 8 ) : 3170-3183 ( 2021 ) 【c4】 马克·马加列夫·罗维拉 , 克里斯托夫·加奎尔 , 安东尼奥·奥古斯托·里斯博亚·德索萨 , 洛伊克·文森特 , 曼努埃尔·J·巴拉根 , 埃马纽埃尔·皮斯托诺 , 弗洛伦斯·波德温 , 菲利普·法拉利 :
毫米波单极双掷开关:基于HBT与MOSFET的设计。 新WCAS 2021 : 1-4 2020 [公元10年] 穆罕默德·阿卜杜勒·阿利姆 , A.塔辛 , 阿里·雷扎德 , 克里斯托夫·加奎尔 :
多偏置条件下GaN HEMT非线性泰勒级数系数的提取。 微电子。 J。 96 : 104700 ( 2020 ) [公元9年] 穆罕默德·阿卜杜勒·阿利姆 , 玛亚莎·阿里 , 阿里·雷扎德 , 克里斯托夫·加奎尔 :
GaN HEMT泰勒级数系数和互调失真特性的温度依赖性。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 39 ( 三 ) : 552-559 ( 2020 ) [c3] 马克·马加列夫·罗维拉 , 阿卜杜勒哈利姆·萨阿迪 , 西尔万·布德尔 , 曼努埃尔·J·巴拉根 , 埃曼纽尔·皮斯托诺 , 克里斯托夫·加奎尔 , 菲利普·法拉利 :
基于55-nm BiCMOS技术的现场矢量网络分析仪的毫米波吞吐量负载开关。 新WCAS 2020 : 82-85 [i2] 阿伦·巴斯卡 , 贾斯汀·菲利普 , 瓦妮莎·阿夫拉莫维奇 , 弗拉维·布劳德 , Jean-François Robillard女士 , 塞德里克·杜兰德 , 丹尼尔·格洛里亚 , 克里斯托夫·加奎尔 , 艾曼纽尔·杜布瓦 :
SOI电感衬底工程以提高Q因子并应用于LNA。 CoRR公司 abs/2008.09030 ( 2020 ) [i1] 阿伦·巴斯卡 , 贾斯汀·菲利普 , 弗拉维·布劳德 , 冈田艾蒂安 , 瓦妮莎·阿夫拉莫维奇 , Jean-François Robillard女士 , 塞德里克·杜兰德 , 丹尼尔·格洛里亚 , 克里斯托夫·加奎尔 , 艾曼纽尔·杜布瓦 :
采用沟槽分析的大面积飞秒激光铣削硅。 CoRR公司 abs/2008.13205 ( 2020 )
2010 – 2019
2018 【c2】 亚历克西斯·高瑟 , 朱利安·博雷尔 , 帕斯卡骑士 , 格雷戈里·阿维尼尔 , A.蒙塔尼 , M.朱厄尔 , R.杜鲁 , L.-R.Clément公司 , C.博罗威克 , 米歇尔·布兹科 , 克里斯托夫·加奎尔 :
450千兆赫 T型 SiGe:C HBT,在55-nm CMOS节点中植入集电极。 BCICTS公司 2018 : 72-75 2015 [j8] 塞巴斯蒂安·佩蒂迪耶 , 范妮·贝歇 , 扬尼克·古赫尔 , Jean-Lionel Trolet女士 , 菲利普·玛丽 , 克里斯托夫·加奎尔 , 伯特兰·布达特 :
电陷阱对AlInN/GaN HEMT可靠性影响的表征和分析。 微电子。 Reliab公司。 55 ( 9-10 ) : 1719-1723 ( 2015 ) 2014 【c1】 彼得罗·费雷拉 , 科拉驴 , 卡梅尔·哈达迪 , 图阿米·拉斯里 , 吉尔斯·达姆布赖恩 , 克里斯托夫·加奎尔 , 托马斯·奎梅莱斯 , 丹尼尔·格洛里亚 :
1-20 Ghz kΩ范围BiCMOS 55 nm反射计。 新WCAS 2014 : 385-388 2012 [j7] 范妮·贝歇 , 扬尼克·古赫尔 , 哈米德·瓜卢斯 , 伯特兰·布达特 , Jean-Lionel Trolet女士 , 马克·皮奇奥内 , 克里斯托夫·加奎尔 :
用低热中子辐射通量辐照AlGaN/GaN HEMT消除电陷阱效应。 微电子。 Reliab公司。 52 ( 9-10 ) : 2159-2163 ( 2012 ) [j6] 弗洛伦特·加芒 , 李明东 , 克里斯托夫·加奎尔 :
功率放大器应用的10-MHz GaN HEMT DC/DC升压转换器。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 第59页-第II页 ( 11 ) : 776-779 ( 2012 ) 2011 [j5] 范妮·贝歇 , 扬尼克·古赫尔 , 哈米德·瓜卢斯 , 伯特兰·布达特 , Jean-Lionel Trolet女士 , 马克·皮奇奥内 , 克里斯托夫·加奎尔 :
使用拉曼光谱表征电应力期间AlGaN/GaN HEMT的自涂层。 微电子。 Reliab公司。 51 ( 9-11 ) : 1796-1800 ( 2011 )
2000 – 2009
2009 【j4】 马利克·加斯苏米 , 让-马里·布鲁特 , 克里斯托夫·加奎尔 , 杰拉德断头台 , Hassen Maaref公司 :
碳化硅衬底上AlGaN/GaN HEMT的深能级和非线性表征。 微电子。 J。 40 ( 8 ) : 1161-1165 ( 2009 ) 2006 [j3] 纳比尔·斯盖尔 , 穆罕默德·特拉贝尔西 , 努雷丁·亚库比 , Jean-Marie布鲁特 , 阿卜杜勒卡德·苏伊菲 , 杰拉德断头台 , 克里斯托夫·加奎尔 , J.C.德杰格 :
硅和蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT的陷阱中心和深缺陷对电流不稳定性的贡献。 微电子。 J。 37 ( 4 ) : 363-370 ( 2006 ) 2004 [注2] 法比亚娜·兰帕佐 , 罗伯托·皮耶罗邦 , D.帕塞塔 , 克里斯托夫·加奎尔 , 迪迪埃·塞隆 , 伯特兰·布达特 , Gaudenzio Meneghesso先生 , 恩里科·扎诺尼 :
GaN基MESFET中的热载流子老化退化现象。 微电子。 Reliab公司。 44 ( 9-11 ) : 1375-1380 ( 2004 ) 2003 [j1] 阿诺·库特切特 , 纳塔莉·马尔伯特 , 纳撒利·拉巴特 , 安德烈·图布尔 , 克里斯托夫·加奎尔 , A.明科 , 迈克尔·尤伦 :
硅、碳化硅和蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN HEMT的低频漏极噪声比较。 微电子。 Reliab公司。 43 ( 9-11 ) : 1713-1718 ( 2003 )