里卡多·德佩罗
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2020年–今天
2020 【c2】 安德里亚·纳塔尔·塔拉里科 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 里卡多·德佩罗 , 朱塞佩·克罗斯 , 恩里科·桑吉奥吉 , 克劳迪奥·费格纳 :
充分理解p沟道功率LDMOS晶体管退化中的热电子和热/冷空穴。 IRPS公司 2020 : 1-5
2010 – 2019
2019 [c1] 费德里科·朱利亚诺 , 里卡多·德佩罗 , 朱塞佩·克罗斯 , 安德烈亚·纳塔莱·塔拉里科 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 安东尼奥·格努迪 , 恩里科·桑吉奥吉 , 克劳迪奥·费格纳 , 马蒂亚·罗塞蒂 , 安东尼奥·莫尔费斯 , 斯特凡诺·曼齐尼 :
p型LDMOS晶体管中热电子注入的TCAD预测。 ESSDERC公司 2019 : 86-89 2018 [注2] 苏珊娜·雷吉亚尼 , 马蒂亚·罗塞蒂 , 安东尼奥·格努迪 , 安德烈亚·纳塔莱·塔拉里科 , 安东尼奥·莫尔费斯 , 斯特凡诺·曼齐尼 , 里卡多·德佩罗 , 朱塞佩·克罗斯 , 恩里科·桑吉奥吉 , 克劳迪奥·费格纳 :
新一代技术中热电子注入的TCAD研究。 微电子。 Reliab公司。 88-90 : 1090-1093 ( 2018 ) 2017 [j1] 安德烈亚·纳塔莱·塔拉里科 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 保罗·马格农 , 朱塞佩·克罗斯 , 里卡多·德佩罗 , P.加塔里 , 恩里科·桑吉奥吉 , 克劳迪奥·费格纳 :
定制厚氧化物功率LDMOS晶体管热载流子退化的研究。 微电子。 Reliab公司。 76-77 : 475-479 ( 2017 )
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