沃尔特·施瓦岑巴赫
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2020年–今天
2010 – 2019
2019 【c8】 沃尔特·施瓦岑巴赫 , 路易斯安那州 , 文森特·约瑟夫 , 劳伦特·维拉沃 , 奥利维尔·莫罗 , 塞巴斯蒂安·拉塞雷 , 碧颜阮 :
22FD-SOI可变性改进得益于原子尺度的SmartCut厚度控制。 ESSDERC公司 2019 : 64-65 【c7】 沃尔特·施瓦岑巴赫 , 碧颜阮 , 纪尧姆·贝斯纳德 :
低温SmartCutTM支持高密度3D SoC应用。 ICICDT公司 2019 : 1-2 2017 【c6】 沃尔特·施瓦岑巴赫 , 曼纽尔·塞利尔 , 碧颜阮 , 克里斯托夫·吉拉德 , 克里斯托夫·马列维尔 :
FD-SOI材料使CMOS技术从65nm中断到12nm及更远。 ICICDT公司 2017 : 1-2 2015 【c5】 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 亚历山大·苏比拉特斯(Alexandre Subirats) , 弗朗索瓦·安德烈 , X.费代斯皮尔 , 拉菲克先生 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , 吉勒·赖姆博尔德 , 奥利维尔·费诺 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
先进平面FDSOI技术中应变SOI晶体管的性能和可靠性。 IRPS公司 2015 : 2 2014 【c4】 弗朗索瓦·安德烈 , 米卡·卡塞 , E.Baylac公司 , P.佩罗 , O.尼尔 , 丹尼斯·里多 , R.贝特伦 , 弗兰克·普科恩 , A.波菲尔斯基 , 芭芭拉·德·萨尔沃 , C.加仑 , 文森特·马佐奇 , D.驳船 , C.高默 , O.古尔汉特 , A.克罗斯 , V.巴拉 , 罗塞拉·拉尼卡 , 尼古拉斯·普莱恩斯 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , E.理查德 , 伊曼纽尔·乔西 , 奥利维尔·韦伯 , 弗兰克·阿尔诺 , 莫德·维奈 , 奥利维尔·费诺 , M.Haond先生 :
双沟道(sSOI衬底,SiGe沟道)平面FDSOI MOSFET中的应变和布局管理。 ESSDERC公司 2014 : 106-109 【c3】 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , P.Nguyen先生 , W.van den Daele先生 , P.雷纳德 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , D.德尔普拉特 , 康斯坦丁·布戴尔 , 吉尔斯·兰博德 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于高级CMOS技术节点的应变FDSOI nMOSFET的卓越性能和热载流子可靠性。 ESSDERC公司 2014 : 226-229 2012 【c2】 沃尔特·施瓦岑巴赫 , N.达瓦尔 , S.Kerdiles公司 , G.查巴内 , C.菲格 , S.Guerroudj公司 , O.波宁 , 十、柯西 , 碧颜阮 , 克里斯托夫·马列维尔 :
用于完全耗尽应用的绝缘体衬底上的应变硅。 ICICDT公司 2012 : 1-4 2010 【c1】 卡洛斯·马祖尔 , 理查德·费伦特 , 碧颜阮 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , 塞西尔·穆林 :
FDSOI:从衬底到器件和电路应用。 欧洲社会保障监督委员会 2010 : 45-51