帕哈特·艾哈迈特
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2010 – 2019
2014 [j13] 春梦豆 , Tomoya Shoji先生 , 中岛一弘 , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 , 吉诺里·卡托卡(Yoshinori Kataoka) , 西山明彦 , Nobuyuki Sugii公司 , Hitoshi Wakabayashi先生 , 鹤嘴咀 , 本田贤治 , 岩井洋 :
用电荷泵测量表征三维硅纳米结构的界面态密度。 微电子。 Reliab公司。 54 ( 4 ) : 725-729 ( 2014 ) 2012 [公元12年] 春梦豆 , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 , 鹤嘴咀 , 西山明彦 , Nobuyuki Sugii公司 , 名取健二 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
CeO的电阻开关行为 2 与硅缓冲层结合的ReRAM单元。 微电子。 Reliab公司。 52 ( 4 ) : 688-691 ( 2012 ) [公元11年] M.Mamatrishat先生 , T.库博塔 , T.塞基 , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 , 鹤嘴咀 , 吉诺里·卡托卡(Yoshinori Kataoka) , 西山明彦 , Nobuyuki Sugii公司 , 本田贤治 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
超薄W/La中氧化物和界面陷阱密度的估算 2 O(运行) 三 /硅MOS电容器。 微电子。 Reliab公司。 52 ( 6 ) : 1039-1042 ( 2012 ) 【c1】 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 , 吉诺里·卡托卡(Yoshinori Kataoka) , 西山明彦 , Nobuyuki Sugii公司 , 鹤嘴咀 , 本田贤治 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
(100)和(110)取向的nMOSFET,在La-silate/Si接口中具有高度规模的EOT,用于多门架构。 ESSDERC公司 2012 : 89-92 2011 [公元10年] 岩井洋 , 本田贤治 , Kenji Shiraishi先生 , 岩田俊一 , 大山Atsushi Oshiyama , 山田庆寿 , 大森贤治 , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 :
硅纳米线FET及其建模。 科学。 中国信息科学。 54 ( 5 ) : 1004-1011 ( 2011 ) [公元9年] D.扎德 , 佐藤索史 , Kuniyuki Kakushima公司 , A.斯利瓦斯塔瓦 , 帕哈特·艾哈迈特 , 鹤嘴咀 , 西山明彦 , Nobuyuki Sugii公司 , 本田贤治 , 武藤忠雄 , 钱丹·库马尔·萨卡尔 , 岩井洋 :
镧的影响 2 O(运行) 三 并入HfO 2 门控nMOSFET对低频噪声的影响。 微电子。 Reliab公司。 51 ( 4 ) : 746-750 ( 2011 ) [j8] 佐藤索史 , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 , 大森贤治 , 本田贤治 , 山田庆寿 , 岩井洋 :
矩形沟道横截面对硅纳米线场效应晶体管电学特性的结构优势。 微电子。 Reliab公司。 51 ( 5 ) : 879-884 ( 2011 ) 2010 [j7] 小林由介(Yusuke Kobayashi) , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 , V.兰戈帕尔·拉奥 , 鹤嘴咀 , 岩井洋 :
双栅MOSFET中短沟道效应对沟道厚度的依赖性分析。 微电子。 Reliab公司。 50 ( 三 ) : 332-337 ( 2010 ) [j6] Kuniyuki Kakushima公司 , 冈本康夫 , T.小柳 , M.Kouda先生 , Kiichi Tachi先生 , 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , J.宋 , 帕哈特·艾哈迈特 , 野平浩 , 鹤嘴咀 , Nobuyuki Sugii公司 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
La的SrO封顶效应 2 O(运行) 三 /铈硅栅电介质。 微电子。 Reliab公司。 50 ( 三 ) : 356-359 ( 2010 ) [j5] Kuniyuki Kakushima公司 , Kiichi Tachi先生 , 帕哈特·艾哈迈特 , 鹤嘴咀 , Nobuyuki Sugii公司 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
在等效氧化层厚度小于0.5 nm的栅介质中进一步缩放La的优势 2 O(运行) 三 栅极电介质。 微电子。 Reliab公司。 50 ( 6 ) : 790-793 ( 2010 )
2000 – 2009
2008 【j4】 帕哈特·艾哈迈特 , 中川健太郎 , Kuniyuki Kakushima公司 , 野平浩 , 鹤嘴咀 , Nobuyuki Sugii公司 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
含镧MOSFET的电气特性 2 O(运行) 三 /Y(Y) 2 O(运行) 三 闸门组。 微电子。 Reliab公司。 48 ( 11-12 ) : 1769-1771 ( 2008 ) 2007 [j3] 乔尔·莫利娜·雷耶斯 , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 , 鹤嘴咀 , Nobuyuki Sugii公司 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
W-La的载流子分离和Vth测量 2 O(运行) 三 栅极MOSFET结构在电应力作用下。 IEICE电子。 快递 4 ( 6 ) : 185-191 ( 2007 ) [注2] 小林由介(Yusuke Kobayashi) , C.拉古纳森·马诺吉 , 鹤嘴咀 , 文卡纳拉扬·哈里哈兰 , Kuniyuki Kakushima公司 , V.兰戈帕尔·拉奥 , 帕哈特·艾哈迈特 , 岩井洋 :
多栅MOSFET中的寄生效应。 IEICE传输。 电子。 90摄氏度 ( 10 ) : 2051-2056 ( 2007 ) 2006 [j1] 吴振恩 , Nobuyuki Sugii公司 , Kuniyuki Kakushima公司 , 帕哈特·艾哈迈特 , 鹤嘴咀 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
镧的有效迁移率和界面态密度 2 O(运行) 三 沉积后退火后的nMISFET。 IEICE电子。 快递 三 ( 13 ) : 316-321 ( 2006 )
合著者索引
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