卡蒂娅·德弗里恩特
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2020年–今天
2022 【c4】 阿纳贝拉·维洛索 , 安妮·朱丹 , D.萝卜 , 陈荣美 , G.阿鲁切尔万 , B.奥沙利文 , Hiroaki Arimura先生 , 米歇尔·斯图奇 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , M.侯赛尼 , T.霍普夫 , K.D'Have公司 , S.Wang(王) , E.杜佩 , G.曼纳特 , 凯文·范德斯米森 , S.Iacovo公司 , P.玛丽恩 , S.Choudhury公司 , F.Schleicher先生 , F.塞巴伊 , 尤素克·奥尼基 , X.周 , A.古普塔 , 汤姆·施拉姆 , B.布里格斯 , C.洛兰特 , E.罗塞尔 , 安德烈·希卡维 , 罗杰·鲁 , J.盖宾 , D.巴托克 , G.T.马丁内斯 , J.P.苏利 , 卡蒂娅·德弗里恩特 , B.T.陈 , S.Demuynck公司 , 加斯帕德·希博特 , 吉尔特·范德普拉斯 , 朱利安·里卡特 , 杰拉尔德·拜尔 , E.Dentoni Litta公司 , 埃里克·贝恩 , Naoto Horiguchi公司 :
通过使用两个晶圆侧通过埋地电源轨进行布线的缩放FinFET。 超大规模集成电路技术与电路 2022 : 284-285 2021 【c3】 加斯帕德·希博特 , 努尔丁·拉苏尔 , Lieve Teugels公司 , 卡蒂娅·德弗里恩特 , 阿德里安·维斯曼·查辛 , 米歇尔·范·塞滕 , 阿蒂利奥·贝尔蒙特 , 罗曼·德尔霍恩 , 古里·桑卡尔·卡尔 :
IGZO nTFT中的过程诱导充电损伤。 IRPS公司 2021 : 1-8
2010 – 2019
2018 【c2】 A.万德门 , 利斯贝斯·威特斯 , 雅各布·佛朗哥 , 阿林达姆·马利克 , 伯特兰·帕维斯 , Z.Wu先生 , 艾米·沃克 , V.德斯潘德 , E.罗塞尔 , 安德烈·希卡维 , W.李 , L.Peng(李鹏) , 努尔丁·拉苏尔 , 杰拉尔丁·杰米森 , 井上文弘 , G.韦宾宁 , 卡蒂娅·德弗里恩特 , Lieve Teugels公司 , N.海伦 , E.维奇奥 , T·郑 , 尼亚姆·沃尔德龙 , 文森特·德海恩 , 丹·莫库塔 , 纳丁·科勒特 :
Sequential 3D:先进半导体缩放的关键集成挑战和机遇。 ICICDT公司 2018 : 145-148 2017 [c1] 汤姆·施拉姆 , 昆汀·斯梅茨 , 本杰明·格罗文 , M.H.海恩 , E.昆南 , A.蒂亚姆 , 卡蒂娅·德弗里恩特 , 安妮莉丝·德拉比 , 丹尼斯·林 , M.勒克斯 , 丹尼尔·奇佩普 , I.阿瑟伯格 , S.布鲁斯 , 塞德里克·惠格巴特 , S.Sayan公司 , A.容克 , 马蒂·凯马 , 尤利安娜·拉杜 :
300 mm晶圆上的WS2晶体管与BEOL兼容。 ESSDERC公司 2017 : 212-215