米兰佩西奇
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2020年–今天
2024 [第16条] 巴斯蒂安·贝尔特兰多 , 马可·维莱纳 , 蒙多尔·阿尼克·库马尔 , Shruba Gangopadhyay公司 , Deepak Kamalanathan公司 , E.史密斯 , 纳斯林·卡泽姆 , 加扎勒·萨赫利 , 史提芬韦克斯 , 迈克尔·哈弗蒂 , 穆图库马尔·卡利亚潘 , 安德烈亚·帕多瓦尼 , S.Krishnan公司 , 杰弗里·安提斯 , 卢卡·拉彻 , 米兰佩西奇 :
自我矫正非易失性隧道突触:多尺度模型增强发育。 IMW公司 2024 : 1-4 [第15条] 托马索·罗洛 , 罗汉塞尔 , 卢卡·拉彻 , 克里斯托弗·奥尔森 , 米兰佩西奇 :
阻断氧化物材料工程以改善3D NAND中的保留损失:建模过程优化研究。 IRPS公司 2024 : 1-5 [第14条] 巴斯蒂恩·贝尔特兰多 , 布鲁诺·科波列利 , 金正贝 , 杨和贝 , 史提芬韦克斯 , 丽莎·恩曼 , 加扎勒·萨赫利 , 戴维德·科尼格利 , 斯图亚特·布林克利 , 马克·萨利 , 卢卡·拉彻 , 董基业(Dong Kil Yim) , 米兰佩西奇 :
低功率晶体管缺陷工程高迁移率金属氧化物BEOL晶体管。 IRPS公司 2024 : 4 [第13条] 安德烈亚·帕尔米耶里 , 马赫迪·塔瓦科利 , Chi Ching公司 , 郑文凯 , 施友 , 张晓东 , 戴维德·科尼格利 , 迈克尔·哈弗蒂 , 纳维尼特·辛格 , 卢卡·拉彻 , 莫妮卡·杰米森 , 阿杰·巴特纳加 , 亚历山大·詹森 , 最大规格 , 建设堂 , 萨米尔·德斯潘德 , 布莱恩·布朗 , 阿伦·斯里瓦萨 , 梅胡尔·奈克 , 谢波(Bo Xie) , 杰里·格拉托斯 , 李钟珠(Joung Joo Lee) , 唐显民 , 高拉夫·塔雷加 , 米兰佩西奇 :
最新BEOL中TDDB的表征和多尺度建模。 IRPS公司 2024 : 10 2023 [第12条] 洛伦佐·贝纳蒂 , 萨拉·维奇 , 米兰佩西奇 , 弗朗西斯科·玛丽亚·普格利西 :
缺陷和界面退化对铁电HZO电容器老化的作用。 IRPS公司 2023 : 1-6 [第11条] 米兰佩西奇 , 巴斯蒂恩·贝尔特兰多 , 托马索·罗洛 , 克里斯蒂安·赞贝利 , 安德烈亚·帕多瓦尼 , 里诺·米开罗尼 , 丽塔·马吉 , 丽莎·恩曼 , 马克·萨利 , 杨和贝 , 金正贝 , 董基业(Dong Kil Yim) , 卢卡·拉彻 :
深入了解3D NAND中设备和材料的来源以及交叉温度背后的物理机制。 IRPS公司 2023 : 1-8 2022 [第10条] 米兰佩西奇 , 安德烈亚·帕多瓦尼 , 托马索·罗洛 , 巴斯蒂恩·贝尔特兰多 , 杰克斯特兰德 , 帕尼卡·阿格拉瓦尔 , 亚历山大·施卢格 , 卢卡·拉彻 :
铁电3D NAND中的可变性和干扰源以及与电荷陷阱等效物的比较。 IMW公司 2022 : 1-4 【c9】 安德里亚·帕多瓦尼 , 米兰佩西奇 , 费德里科·纳尔迪 , 瓦莱里奥·米洛 , 卢卡·拉彻 , 蒙多尔·阿尼克·库马尔 , 祖奈德·巴滕 :
神经形态应用的非易失性记忆装置的可靠性:建模视角(邀请)。 IRPS公司 2022 : 三 【c8】 米兰佩西奇 , 巴斯蒂恩·贝尔特兰多 , 安德烈亚·帕多瓦尼 , 宫下俊彦 , 南松金 , 卢卡·拉彻 :
FeFET中的电子辅助开关:记忆窗口动力学-保留捕获机制和相关性。 红外光谱 2022 : 4 2021 【c7】 米兰佩西奇 , 巴斯蒂恩·贝尔特兰多 , 安德烈亚·帕多瓦尼 , Shruba Gangopadhyay公司 , 穆图库马尔·卡利亚潘 , 迈克尔·哈维蒂 , 马可·维莱纳 , 恩里科·皮奇尼尼 , 马泰奥·贝尔托基 , 托尼·蒋 , 卢卡·拉彻 , 杰克斯特兰德 , 亚历山大·施卢格 :
3D-FeFET的可变性来源和可靠性。 IRPS公司 2021 : 1-7
2010 – 2019
2019 【c6】 费利克斯·温克勒 , 米兰佩西奇 , 克劳迪娅·里希特 , 贺明开 , 托马斯·米科拉吉克 , 约翰·巴萨(Johann W.Bartha) :
p沟道Hafnia基铁电场效应晶体管的演示和耐久性改进。 刚果民主共和国 2019 : 51-52 【c5】 安德烈亚·帕多瓦尼 , 米兰佩西奇 , 蒙多尔·阿尼克·库马尔 , 彼得·布洛姆 , 亚历山大·苏比拉特斯 , Senthil Vadakupudhupalayam公司 , 祖奈德·巴滕 , 卢卡·拉彻 :
理解3D CT-NAND Flash中横向电荷迁移的可变性,包括带盖工程屏障和不带盖工程壁垒。 IRPS公司 2019 : 1-8 2017 【b1】 米兰佩西奇 :
新兴的基于极化的非易失性存储器的门堆栈工程。 德国德累斯顿理工大学, BoD按需图书 2017 ,国际标准图书编号 978-3-7448-6788-7 ,第1-137页 【c4】 米兰佩西奇 , 贺明开 , 克劳迪娅·里希特 , 斯特凡·斯莱萨泽克 , 托马斯·坎普夫 , Lukas M.工程 , 托马斯·米科拉吉克 , 乌韦·施罗德 :
反铁电ZrO2,低功耗非易失性1T-1C和1T随机存取存储器的使能器。 ESSDERC公司 2017 : 160-163 【c3】 米兰佩西奇 , 贺明开 , 克劳迪娅·里希特 , 斯特凡·斯莱萨泽克 , 乌韦·施罗德 , 托马斯·米科拉吉克 :
类反铁电ZrO2非易失性存储器:在最先进的DRAM中实现非易失。 NVMTS公司 2017 : 1-4 2016 【c2】 乌韦·施罗德 , 米兰佩西奇 , 托尼·申克 , 哈利德·穆拉奥斯马诺维奇 , 斯特凡·斯莱萨泽克 , 约翰内斯·奥克 , 克劳迪娅·里希特 , 叶卡捷琳娜·尤丘克 , K.Khullar公司 , 约翰内斯·米勒 , 帕特里克·波拉科夫斯基 , E.D.格里姆利 , J.M.勒博 , 斯特凡·弗拉乔夫斯基 , S.詹森 , 萨宾·科洛丁斯基 , 拉尔夫·范·本特姆 , 阿尔弗雷德·科什 , 克里斯托弗·库内斯 , 托马斯·米科拉吉克 :
场循环对基于HfO2的非易失性存储设备的影响。 ESSDERC公司 2016 : 364-368 [c1] 弗兰兹·P·G·冯勒 , 米兰佩西奇 , 谢尔盖·斯塔希奇 , 西奥多·施奈勒 , 乌尔里希·博特格 , 托尼·申克 , Min Hyuk公园 , 托马斯·米科拉吉克 , 乌韦·施罗德 :
未来非挥发性FRAM应用中铪基和PZT基铁电体的比较。 ESSDERC公司 2016 : 369-372
合著者索引
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