莱昂内尔·特罗杰曼
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2020年–今天
2023 [j3] 塔蒂亚娜·莫波西塔 , 埃斯特班·加隆 , 拉斐尔·德·罗斯 , 费利斯·克鲁皮 , 安德烈·弗拉迪米雷斯库 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 马可·拉努扎 :
SIMPLY+:用于内存计算的基于STT-MRAM的可靠智能材料隐含体系结构。 IEEE接入 11 : 144084-144094 ( 2023 ) [注2] 塔蒂亚娜·莫波西塔 , 埃斯特班·加隆 , 费利斯·克鲁皮 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 安德烈·弗拉迪米雷斯库 , 马可·拉努扎 :
神经激励计算中基于双载波磁隧道结的数字eNVM阵列的效率。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 70 ( 三 ) : 1254-1258 ( 2023 ) [第16条] 爱德华多·霍尔金 , 路易斯·米格尔·普罗塞尔 , 亚历克西斯·布伦斯 , 安德烈·弗拉迪米雷斯库 , 莱昂内尔·特罗杰曼 :
基于ULP比较器的自供电VEH系统的分析与设计。 LASCAS公司 2023 : 1-4 [第15条] 纳塔莉·波佐 , 路易斯·米盖尔·普洛塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 :
用于电源应用的增强型p-GaN比较器。 素数 2023 : 197-200 2022 [第14条] 埃斯特班·加尔松 , Ramiro塔可 , 路易斯·米盖尔·普洛塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 马可·拉努扎 :
基于DMTJ的节能嵌入式存储器STT-MRAM的电压和技术缩放。 拉萨 2022 : 1-4 [第13条] 塔蒂亚娜·莫波西塔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 费利斯·克鲁皮 , 马可·拉努扎 , 安德烈·弗拉迪米雷斯库 :
人工神经网络电压-电压Sigmoid神经元激活函数设计。 LASCAS公司 2022 : 1-4 [第12条] 阿里亚娜·穆塞洛 , 圣地亚哥·S·佩雷斯 , 马可·维莱加斯 , 路易斯·米盖尔·普洛塞尔 , Ramiro塔可 , 莱昂内尔·特罗杰曼 :
基于节能FinFET-Versus TFET的STT-MRAM比特单元。 LASCAS公司 2022 : 1-4 [第11条] 凯文·维库尼亚 , 路易斯·米盖尔·普洛塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , Ramiro塔可 :
基于DMTJ的非易失性三值内容寻址存储器,用于高能效高性能系统。 LASCAS公司 2022 : 1-4 [第10条] 爱德华多·霍尔金 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 路易斯·米盖尔·普鲁塞尔 , 亚历克西斯·布伦斯 , 安德烈·弗拉迪米雷斯库 :
基于振动MEMS的能量采集器的设计与优化。 素数 2022 : 209-212 [i1] 埃斯特班·加隆 , 拉斐尔·德·罗斯 , 费利斯·克鲁皮 , 莱昂内尔·特罗伊曼 , 亚当·特曼 , 马可·拉努扎 :
调整双载体MTJ的热稳定性以提高低温STT-MRAM的能量。 CoRR公司 abs/2204.09395 ( 2022 ) 2021 【c9】 埃利亚娜·阿库里奥 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 布里斯·德·杰格 , Benoit Bakeroot公司 , 斯特凡·德考特 :
GaN-ON-Si肖特基势垒二极管的静态可靠性:Si3N4 vs.Al2O3/SiO2 GET电介质。 IRPS公司 2021 : 1-6 【c8】 里卡多·埃斯科瓦尔 , 路易斯·米盖尔·普洛塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 马可·拉努扎 , Ramiro塔可 :
基于高速低能双模逻辑的单周期二进制比较器。 LASCAS公司 2021 : 1-4 【c7】 莱昂内尔·特罗杰曼 , 大卫·里瓦德内拉 , 马可·维莱加斯 , 埃利亚娜·阿库里奥 , 马可·拉努扎 , 路易斯·米盖尔·普鲁塞尔 , Ramiro塔可 :
基于32nm和TFET技术的射频能量采集器RF-DC乘法器。 拉萨 2021 : 1-4 2020 [j1] 埃斯特班·加隆 , 拉斐尔·德·罗斯 , 费利斯·克鲁皮 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 乔瓦尼·菲诺奇 , 马里奥·卡彭蒂埃里 , 马可·拉努扎 :
通过设备到系统级仿真框架评估基于缓存应用的双屏障MTJ的STT-MRAM。 集成。 71 : 56-69 ( 2020 ) 【c6】 埃斯特班·加隆 , 本杰明·赞布拉诺 , 塔蒂亚娜·莫波西塔 , Ramiro塔可 , 路易斯·米盖尔·普洛塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 :
用于逻辑内存应用的可重构CMOS/STT-MTJ非易失性电路。 LASCAS公司 2020 : 1-4 【c5】 大卫·里瓦德内拉 , 马可·维莱加斯 , 路易斯·米盖尔·普鲁塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 :
采用90nm技术设计的有源电压整流器/倍增器的优化。 LASCAS公司 2020 : 1-4
2010 – 2019
2019 【c4】 埃斯特班·加隆 , 菲利克斯·查韦斯 , 迭戈·贾拉米洛 , 路易斯桑切斯 , 索菲亚·拉拉 , 卡洛斯·马西亚斯 , 埃利亚娜·阿库里奥 , 路易斯·米盖尔·普鲁塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 艾蒂安·西卡德 :
使用Microwind在45 nm技术中直接蓝牙连接的微处理器设计。 LASCAS公司 2019 : 105-108 【c3】 阿德里亚娜·阿雷瓦洛 , 罗曼·利奥塔德 , 丹尼·罗梅罗 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 路易斯·米盖尔·普鲁塞尔 :
新一代SRAM的新见解:不同拓扑的隧道FET与FinFET。 SBCCI公司 2019 : 11 【c2】 埃斯特班·加隆 , 拉斐尔·德·罗斯 , 费利斯·克鲁皮 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 乔瓦尼·菲诺奇 , 马里奥·卡彭蒂埃里 , 马可·拉努扎 :
开发双载波MTJ用于高能效纳米STT-MRAM。 SMACD公司 2019 : 85-88 2015 [c1] 本·卡泽尔 , 雅各布·佛朗哥 , M.Cho先生 , 胫骨格拉瑟 , 菲利普·罗塞尔 , 斯坦尼斯拉夫·蒂亚吉诺夫 , M.比纳 , 扬尼克·威默 , 路易斯·米盖尔·普鲁塞尔 , 莱昂内尔·特罗杰曼 , 费利斯·克鲁皮 , 格雷戈里·皮特纳 , Vamsi Putcha公司 , 彼得·威克斯 , 埃里克·伯里 , Z.Ji先生 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , 托马斯·齐亚雷拉 , Naoto Horiguchi公司 , Guido Groeseneken公司 , 亚伦·提安 :
nFinFET中通道热载流子变化增加的起源和影响。 IRPS公司 2015 : 三
合著者索引
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