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ICICDT 2015：比利时鲁汶

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2015年国际集成电路设计与技术会议，ICICDT 2015，比利时鲁汶，2015年6月1日至3日。电气与电子工程师协会 2015，国际标准图书编号978-1-4799-7669-0
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三谷由一郎,松泽一弥:
预测ESD测试下超薄栅绝缘体击穿电压的简单技术。 1-4
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赵明珠（Moonju Cho）,阿莱西奥·斯佩索特,本·卡泽尔,马克·奥利奇（Marc Aoulaiche）,罗曼·里森塔勒,汤姆·施拉姆,皮埃尔·法赞,Naoto Horiguchi公司,迪米特里·林顿:
先进p-MOSFET的非稳态应力退化机制。 1-4
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尼古拉·安德烈,李国丽,皮埃尔·杰拉德,奥利维尔·蓬塞雷特,Yun Zeng（曾云）,赛义德·泽珊·阿里,弗洛林·乌德雷亚,劳伦特·弗朗西斯,丹尼斯·弗兰德:
悬挂式微型孔板平台上硅-绝缘体光电二极管的宽带研究。 1-4
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Wataru Mizubayashi公司,森隆弘,福田康一,刘永训,松川隆,石川夕紀,内藤和彦,Shin-ichi O'Uchi先生,津田纯一,山内博美,盛田由纪,Shinji Migita公司,大田弘之,梅绍库·马萨哈拉:
N型隧道FinFET的PBTI。 1-4
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冈田裕久,沟口浩二（Koji Eriguchi）,小野洋一:
等离子体处理过程中离子轰击损伤的表面取向依赖性。 1-5
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Motoki Amagasaki公司,钱照,饭田正弘,森弘库加,Toshinori Sueyoshi先生:
简单的晶圆堆叠3D-FPGA架构。 1-4
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菲利普·X·L·冯:
NEMS交换机：新兴IC技术的机遇和挑战。 1-6
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Thuy Dao公司,穆林格尔,左江凯:
SOI高压深沟隔离中起始隧穿电压（Vonset）跳变的表征。 1-4
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  - conf/icicdt/IkedaTYKEO15
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池田芋,阿基拉·塔尼哈拉,山本信彦,石破茂（Shigeru Kasai）,沟口浩二（Koji Eriguchi）,小野洋一:
Culine布局增强了低k电介质上等离子体诱导的光子辐照损伤。 1-4
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华帆,刘克宏,刘爱龙,吕立山,乔志良,李强:
提高高性能ADC线性度的方法概述。 1-4
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Athanasios Kiouseloglou公司,加布里埃尔·纳瓦罗,亚历山德罗·卡布里尼,吉多·托雷利,卢卡·佩尼奥拉:
用于创新PCM多电平单元编程的电流脉冲发生器。 1-4
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谢庆武,陈建钜,陈寅年,Vita Pi Ho Hu女士,Pin Su公司,Ching Te Chuang公司:
使用混合隧穿FET和FinFET器件的32位进位查找加法器电路的评估。 1-4
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Anuj Grover公司,普罗莫德·库马尔,行政专员,G.S.维斯瓦兰,Chittoor R.Parthasarathy公司,珍妮·菲利佩·诺埃尔,大卫·特吉斯,巴斯蒂安·吉罗,纪尧姆·莫里茨:
低待机功率电容耦合传感放大器，用于双轨SRAM的宽电压范围操作。 1-4
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彼得·威克斯,本·卡泽尔,菲利普·罗塞尔,弗兰基·卡特（Francy Catthoor）,吉多·格罗塞内肯:
在先进的HK/MG技术中，时间依赖性变化对6T SRAM细胞产量和性能的影响。 1-4
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博格丹·戈沃利亚努（Bogdan Govoreanu）,张乐琪,马尔戈扎塔·尤尔恰克:
高密度交叉点存储器阵列的选择器：设计考虑、设备实现和未来的一些挑战。 1-4
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  - conf/icicdt/ZografosRSVCSLR15
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奥德赛-佐格拉夫斯,普拉文·拉加万,亚西尔·谢拉齐,阿德里安·维塞特,弗洛琳·丘博塔鲁,巴特·索里,鲁迪·劳伦斯,尤利安娜·拉杜,亚伦·提安:
与先进的CMOS相比，SWD电路的面积和布线效率。 1-4
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米尔科·舒尔茨,Shih-Hung Chen先生,吉尔特·海林斯,迪米特里·林顿,罗曼·波施克:
本地互连对ESD设计的影响。 1-4
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赫尔曼·奥普林斯,弗拉基米尔·切尔曼,吉尔特·范德普拉斯,F.L.T.马吉奥尼,乔里·德沃斯,埃里克·贝恩:
高功率3D封装的热实验和建模分析。 1-4
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Azusa大岛,彼得·威克斯,本·卡泽尔,Kazutoshi Kobayashi小林,松本隆:
通过电路级模拟评估随机电报噪声对环形振荡器的影响。 1-4
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罗曼·里森塔勒,汤姆·施拉姆,吉尔特·埃内曼,安达·莫库塔,Naoto Horiguchi公司,亚伦·冯·尤恩,阿莱西奥·斯佩索特,马克·奥利奇（Marc Aoulaiche）,皮埃尔·法赞,K.B.诺,Y.儿子:
DRAM外围应用的SiGe量子阱晶体管评估。 1-4
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Kazuyuki Tomida公司,平贺敬三,莫林·德汉,吉尔特·海林斯,Doyoung Jang先生,宫口贤一,托马斯·齐亚雷拉,金民秀,安达·莫库塔,Naoto Horiguchi公司,阿卜杜勒卡里姆·默查,Diederik Verkest公司,亚伦·提安:
翅片形状变化对朝向10nm节点的器件性能的影响。 1-4
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  - conf/icicdt/BoschkeGSCHVL15
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罗曼·博施克,吉多·格罗塞内肯,米尔科·舒尔茨,Shih-Hung Chen先生,吉尔特·海林斯,彼得·弗海恩（Peter Verheyen）,迪米特里·林顿:
光学中间层技术中的ESD保护二极管。 1-4
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  - conf/icicdt/AkbalRGV15
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M.阿克巴尔,G.肋骨,M.吉勒米特,L.瓦利埃:
全耗尽SOI技术中的等离子体诱导损伤研究。 1-4
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奥利维尔·韦伯,伊曼纽尔·乔西,J.Mazurier公司,米歇尔·豪德:
14nm FDSOI技术中的静态和动态功率管理。 1-4
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  - conf/icicdt/WangFOT15
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王胜成,法沙德·菲鲁齐,费比安·奥博里尔,梅迪·巴拉达兰·塔胡里:
3D平面规划中的死区软件电源/地面TSV规划。 1-4
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  - conf/icicdt/AqeeliAHH15
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穆罕默德·阿基利,阿卜杜拉·阿尔布赖坎,黄贤军,胡志润:
低相位噪声变化压控振荡器实现无电阻数字控制变容二极管。 1-4
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  - conf/icicdt/RaduNGM15
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Ionut半径,碧颜阮,格维尔塔斯·高丁,卡洛斯·马祖尔:
3D单片集成：堆叠技术和应用。 1-3
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  - conf/icicdt/SchoenmakerG15
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维姆·肖恩梅克,菲利普·盖利:
集成了微电子保护装置中电磁场、洛伦兹力效应和快速电流浪涌的前端/后端模拟。 1-4
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  - conf/icicdt/RitzenthalerSCM15会议
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罗曼·里森塔勒,汤姆·施拉姆,M.J.Cho先生,安达·莫库塔,Naoto Horiguchi公司,亚伦·冯·尤恩,阿莱西奥·斯佩索特,克里斯蒂安·凯利亚特,马克·奥利奇（Marc Aoulaiche）,皮埃尔·法赞,K.B.诺,Y.儿子:
使用扩散和栅替换（D&GR）栅堆栈集成的I/O厚氧化物器件集成。 1-4
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  - conf/icicdt/FievetRBRMVT15
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Nathalie Fievet公司,普拉文·拉加万,罗杰·贝特,弗雷德里克·罗伯特,阿卜杜勒卡里姆·默查,Diederik Verkest公司,亚伦·提安:
器件和互连工艺可变性对时钟分布的影响。 1-4
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  - conf/icicdt/MeneghessoMZVM15
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Gaudenzio Meneghesso先生,马泰奥·梅内吉尼,恩里科·扎诺尼,彼得·范米尔贝克（Piet Vanmeerbeek）,彼得·莫恩斯:
功率开关应用中GaN-HEMT中的陷阱诱导寄生效应。 1-4
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  - conf/icicdt/SpessotRSACTHF15
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阿莱西奥·斯佩索特,罗曼·里森塔勒,汤姆·施拉姆,马克·奥利奇（Marc Aoulaiche）,赵明珠（Moonju Cho）,玛丽亚·托莱达诺·卢克,Naoto Horiguchi公司,皮埃尔·法赞:
先进掺杂技术对DRAM外围MOSFET可靠性的影响。 1-4
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  - conf/icicdt/PourghaderiMT15
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M.Ali Pourghaderi先生,安达·莫库塔,亚伦·提安:
新型晶体管中IIIV材料的非抛物性和限制效应。 1-3
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  - conf/icicdt/SpagnoloVDW15
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安纳奇亚拉·斯帕格诺洛,鲍勃·维尔布鲁根,斯特凡诺·达米科,皮特·旺巴克（Piet Wambacq）:
规模缩小的CMOS中的高速模数转换器。 1-4
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  - conf/icicdt/WangTL15
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王楚钦,Tsung-Yi Tsai先生,魏琳:
采用40-nm CMOS技术的PVTL检测高速2×VDD输出缓冲器。 1-4
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  - conf/icicdt/BaoSRYMVTW15
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Trong Huynh Bao公司,苏希尔·萨哈雷,朱利安·里卡特,德米特里·亚基米特,阿卜杜勒卡里姆·默查,Diederik Verkest公司,亚伦·冯·尤恩,皮特·旺巴克（Piet Wambacq）:
设计技术协同优化，实现5nm栅极全圆纳米线6T SRAM。 1-4
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  - conf/icicdt/AthanasiouCG15
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S.Athanasiou公司,索林·克里斯托洛瓦努,菲利普·盖利:
FDSOI UTBB CMOS技术中用于ESD保护的硅薄膜中BIMOS晶体管的初步3D TCAD电热模拟。 1-4
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  - conf/icicdt/AmouriBMGD15
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埃姆娜·阿穆里,希瓦姆大教堂,伊夫·马修,塔里克·格拉巴,Jean-Luc危险:
在基于树的FPGA中对抗DPL设计的早期传播和路由不平衡。 1-4
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  - conf/icicdt/EnemanKMCT15
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吉尔特·埃内曼,安·德·科尔斯基（An De Keersgieter）,安达·莫库塔,纳丁·科勒特,亚伦·提安:
对于14nm及以下的节点，FinFET在替代晶片和沟道方向上的应力源效率。 1-4
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宫口贤一,伯特兰·帕维斯,拉尔斯·奥克·拉格纳森,皮特·旺巴克（Piet Wambacq）,普拉文·拉加万,阿卜杜勒卡里姆·默查,安达·莫库塔,Diederik Verkest公司,亚伦·提安:
14nm及以上节点的FinFET金属栅堆叠电阻建模。 1-4
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  - conf/icicdt/AbadiGSARRNCMPW15会议
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A.鲁希·纳贾夫·阿巴迪,W.Guo先生,十、太阳,K.本·阿里,Jean-Pierre Raskin女士,Martin Rack公司,C.罗达·内夫,M.Choi先生,V.莫罗兹,吉尔特·范德普拉斯,英格丽德·沃尔夫,埃里克·贝恩,菲利普·阿布西尔:
通过硅通孔到三维集成电路中的FinFET噪声耦合。 1-4
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  - conf/icicdt/YakimetsJREMSMB15
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德米特里·亚基米特,Doyoung Jang先生,普拉文·拉加万,吉尔特·埃内曼,汉斯·默滕斯,P.舒丁克,阿林达姆·马利克,玛丽·加西亚·巴登,纳丁·科勒特,阿卜杜勒卡里姆·默查,Diederik Verkest公司,亚伦·提安,克里斯汀·德梅耶:
7nm以上节点的横向NWFET优化。 1-4
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玛丽·加西亚·巴登,P.舒丁克,普拉文·拉加万,Doyoung Jang先生,德米特里·亚基米特,阿卜杜勒卡里姆·默查,Diederik Verkest公司,亚伦·提安:
10nm以下功率和性能的尺寸：FinFET缩放的限制。 1-4
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罗纳德·路易斯滕,Matteo Cossale公司,罗尔夫·克劳伯格,安德烈亚斯·德林:
DOME 28nm 1.8GHz 24线程ppc64μServer计算节点的功率测量和冷却。 1-4
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阿希什·库马尔,威内库玛,多里·凯达尔·贾纳丹,G.S.维斯瓦兰,考希克·萨哈:
采用28nm FDSOI技术的6T-SRAM，Vmin为0.52V，使用辅助读写操作。 1-4
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杜洪乐,Nobuyuki Sugii公司,Shiro Kamohara先生,玄川阮,石桥小一郎,Cong-Kha Pham公司:
采用65nm SOTB工艺设计低功耗定点16位数字信号处理器。 1-4
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山内吉隆,柳原由纪夫,广岛福克塔,Takayasu Sakurai公司,Makoto Takamiya公司:
物联网应用中非连续导电模式下最大化单电感多输出降压变换器效率的优化设计。 1-4
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扬·阿克特,托尼·科尔帕特,阿迪蒂·马利克,马里奥·冈萨雷斯:
塑封电子功率器件金属化方案优化。 1-4

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