ESSDERC 2014:意大利威尼斯丽都
第44届欧洲固态器件研究会议,ESSDERC 2014,意大利威尼斯利多,2014年9月22日至26日。 电气与电子工程师协会 2014 ,国际标准图书编号 978-1-4799-4378-4 格雷格·阿特伍德 , 斯科特·德波尔 , 柯克·普拉尔 , 琳达·萨默维尔 :
半导体存储器开发和制造前景。 1-6 塞哈特·苏塔尔贾 :
摩尔定律的放缓标志着智能一切的开始。 7-8 沃尔特·斯诺 :
芯片是如何帮助CERN发现希格斯玻色子的。 9-19 法比奥·马尔基奥 , 鲍里斯·维托雷利 , 罗伯托·科伦坡 :
汽车电子:应用与技术大趋势。 23-29 托马斯·H·李 :
太赫兹电子:最后的前沿。 30-34 埃里克·波普 , 克里斯·英格利希 , 冯雄 , 连菲菲 , 谢洛夫 , 李遵义 , 沙纳利·伊斯兰 , 文森特·多根 :
一维和二维电子学中的能量效率和转换。 35-37 染矢高雄 :
使用柔性有机装置的仿生皮肤。 38-41 哈利德·穆拉奥斯马诺维奇 , C.蒙齐奥·孔皮诺尼 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , G.狂欢节 , D.文崔斯 , 保罗·范蒂尼 , 亚历山德罗·斯皮内利 , 安德烈亚·拉凯塔 , A.Benvenuti公司 :
数据再生和干扰T-RAM细胞的免疫力。 46-49 桑永公园 , Seongwook Choi先生 , Kwang Sun Jun先生 , 金惠中(HuiJung Kim) , 李成文 , Young June公园 :
利用自洽模拟研究电荷捕获存储器中保持的多重激活能。 50-53 乔瓦尼·保卢奇 , M.贝尔图乔 , C.蒙齐奥·孔帕尼奥尼 , 西尔维娅·贝尔特拉米 , 亚历山德罗·斯皮内利 , 安德烈亚·拉凯塔 , 安吉洛·维斯康蒂 :
纳米级NAND闪存中循环诱导的阈值电压不稳定性:对阵列背景模式的敏感性。 54-57 Kyunghwan Lee(李京焕) , 鸭嘴王 , Hyungcheol Shin先生 , 桑津权(Sangjin Kwon) , 金信铉 , Yuchul Hwang(黄禹锡) :
亚20纳米NAND闪存擦除状态下的失效机制分析。 58-61 贾科莫·朗菲尔德 , 塞萨尔·巴法 , 保罗·米诺蒂 , 安东尼奥·隆戈尼 , 亚历山德罗·托奇奥 , 莎拉·泽比尼 :
具有开关电流开关的洛伦兹力MEMS磁强计的操作。 62-65 克里斯托弗·劳伦斯·阿亚拉 , 丹尼尔·格罗格 , 安东尼奥斯·巴齐戈斯 , 蒙特塞拉特·费尔南德斯·博拉尼奥斯·巴迪亚 , 乌尔斯·杜里格 , 米歇尔·德斯蓬特 , 克里斯托夫·哈格利特纳 :
一种6.7MHz的纳米机电环形振荡器,使用涂有非晶碳的弯曲悬臂开关。 66-69 马可·巴巴托 , 安德烈亚·塞斯特 , 薇薇安娜·穆洛尼 , Benno Margesin公司 , 乔治·德·帕斯奎尔 , 奥雷里奥·索玛 , Gaudenzio Meneghesso先生 :
在不同温度下承受重复冲击循环的电容式RF MEMS开关的可靠性。 70-73 萨芬娜·侯赛因 , 理查德·杰格 , 杰弗里·苏林 :
CMOS FET压阻系数对(100)硅的电流依赖性。 74-77 乔治·穆蒂纳 , 伊莉丝·布鲁特 , 奥列娜·尤尔琴科 , 埃尔玛·劳本德 , 杰拉尔德·A·厄本 , 安东·科克 , 斯蒂芬·斯坦豪尔 , 乔格·西格特 , 卡尔·罗哈彻 , 弗兰兹·施兰克 , 马丁·施雷姆斯 :
用于优化CMOS集成SnO2气体传感器器件的双金属纳米粒子。 78-81 阿尔贝托·托西 , 米尔科·桑扎罗 , 尼科洛·卡兰德里 , 亚历山德罗·鲁格里 , 法比奥·阿塞尔比 :
低暗计数率和低定时抖动InGaAs/InP单光子雪崩二极管。 82-85 萨列姆·汗 , Ravinder S.Dahiya公司 , 莱安德罗·洛伦泽利 :
基于转移印刷硅微丝的柔性热电发生器。 86-89 A.埃里卡·本迪戈·德洛斯 , 埃德蒙多·古铁雷斯-D。 , 乔尔·莫利娜·雷耶斯 , 费尔南多·瓜林 :
非均匀空间机械应变导致MOSFET中的非对称磁隧穿电导。 90-93 卡亚·坎·阿基尔 , 洛伦佐·齐安波利尼 , 奥利维尔·托马斯 , 大卫·特吉斯 , 热拉尔·吉巴多 :
随机电报信号对28nm UTBB FD-SOI中6T高密度SRAM的影响。 94-97 布莱恩·齐默 , 奥利维尔·托马斯 , Seng Oon Toh先生 , 泰勒·文森特 , 克里斯特·阿萨诺维奇 , 鲍里沃耶·尼科利奇 :
随机变化和RTN对28nm块体和FDSOI SRAM动态可写性的联合影响。 98-101 Trong Huynh Bao公司 , 德米特里·亚基米特 , 朱利安·里卡特 , 伊万·西奥菲 , 罗杰·贝特 , 阿纳贝拉·维洛索 , Jürgen Bömmels公司 , 纳丁·科勒特 , 菲利普·罗塞尔 , S.Demuynck公司 , 普拉文·拉加万 , 阿卜杜勒卡里姆·默查 , Zsolt Tokei公司 , Diederik Verkest公司 , 亚伦·提安 , 皮特·旺巴克(Piet Wambacq) :
电路和工艺协同设计,采用垂直栅全圆纳米线FET技术,将CMOS缩放扩展至5nm及更高技术。 102-105 弗朗索瓦·安德烈 , 米卡·卡塞 , E.巴亚克 , P.佩罗 , O.尼尔 , 丹尼斯·里多 , R.贝特伦 , 弗兰克·普科恩 , A.波菲尔斯基 , 芭芭拉·德·萨尔沃 , C.加仑 , 文森特·马佐奇 , D.驳船 , C.高默 , O.古尔汉特 , A.克罗斯 , V.巴拉 , 罗塞拉·拉尼卡 , 尼古拉斯·普莱恩斯 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , E.理查德 , 伊曼纽尔·乔西 , 奥利维尔·韦伯 , 弗兰克·阿尔诺 , 莫德·维奈 , 奥利维尔·费诺 , M.Haond先生 :
双沟道(sSOI衬底,SiGe沟道)平面FDSOI MOSFET中的应变和布局管理。 106-109 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 伯纳德·普雷维塔利 , 佩琳·巴图德 , F.内穆奇 , 米卡·卡塞 , 泽维尔·加洛斯 , L.托斯蒂 , 尼尔斯·兰巴尔 , 多米尼克·拉丰德 , H.丹萨斯 , 巴西尼乳杆菌 , 劳伦特·布鲁内特 , 法比安·德普拉特 , M.格雷戈雷 , 梅利埃先生 , 莫德·维奈 :
FDSOI底部MOSFET的稳定性与顶部晶体管的热预算相比,具有3D单片集成特性。 110-113 Anh-Tuan Pham公司 , Seonghoon Jin先生 , 崔和成(Woosung Choi) , M.J.Lee先生 , S.H.Cho先生 , Y.-T.金 , K.-H.李 , Y.公园 :
InGaAs反转层的能带结构、静电学和基于8带k·p理论的迁移率建模。 114-117 汉密尔顿·卡里略-努内兹 , 马修·路易斯尔 , 安德烈亚斯·申克 :
InAs-Si异质结纳米线隧道FET的分析:极限限制与体。 118-119 张鹏英 , 郎曾 , 刘晓燕 , 杜刚 :
锑化铟基器件中的空穴迁移率:依赖于表面取向、体厚度和应变。 122-125 恩里科·皮奇尼尼 , 马西莫·鲁丹 , 法布里奇奥·布塞米 , 罗塞拉·布鲁内蒂 :
硫族化合物中热辅助trap-limited传导的有效数值。 126-129 亚历斯·查拉 , 丹尼尔·多诺瓦尔 , 卢卡斯·纳吉 , 尤拉吉·马雷克 , 帕特里克·普里伯蒂尼 , 玛丽安·莫尔纳 :
多芯片DC-DC变换器模块的三维电热器件/电路仿真。 130-133 安托万·利蒂 , 西尔维·奥托兰德 , 多米尼克·戈兰斯基 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于5V能量管理应用的超薄FDSOI中的双接地层EDMOS。 134-137 邵世谦 , 魏成留置权 , 艾登·马拉拉尼 , 阿尔伯特·P·皮萨诺 :
集成4H-碳化硅二极管桥式整流器,适用于高温(773K)环境。 138-141 勒米·加斯卡 , M.加耶夫斯基 , J.邓 , R.贾恩 , G.西明 , 迈克尔·舒尔 :
工作温度高达500°C的新型AlInN/GaN集成电路。 142-145 F.梅德杜布 , E.冈田 , 伯特兰·格林伯特 , D.杜卡托 , 里卡多·西尔维斯特里 , 马泰奥·梅内基尼 , 恩里科·扎诺尼 , Gaudenzio Meneghesso先生 :
高性能高可靠性AlN/GaN DHFET。 146-149 马蒂厄·弗洛伦丁 , 何塞·米兰 , 菲利普·戈迪农 , 米哈伊拉·亚历山德鲁 , 极光常数 , 伯恩德·施密特 :
低质子辐照能量对氮氧化物栅4H-SiC MOSFET的积极影响。 150-153 詹姆斯·莫恩 , 马丁·谢伦伯格 , 洛塔·普菲茨纳 :
半导体制造中的工厂集成路线图。 154-156 马库斯·布鲁迈耶 , 斯特凡·福希舍姆 :
任务智能生产 1 . 157-159 马丁·施雷姆斯 , 乔格·西格特 , 彼得·多菲 , Jochen卡夫 , 埃瓦尔德·斯图克勒 , 弗兰兹·施兰克 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 :
制造3D集成传感器和电路。 162-165 杨尚 , 郝宇 , 长阳 , 胡三明 , Minkyu Je公司 :
一种高灵敏度135GHz毫米波成像仪,采用65nm CMOS差分传输在线加载分裂谐振器。 166-169 卢西奥·潘切里 , 菲利波·萨瓦齐 , 吉安·弗兰科·达拉·贝塔 , 大卫·斯托帕 , 毛里齐奥·博斯卡丁 :
带有三维电极的红外优化硅解调检测器。 170-173 Z.科拉杜斯·埃斯法哈尼 , T.马 , 亨克·范泽尔 , G.Q.张 , A.罗斯塔米安 , 穆罕默德·科拉杜兹 :
LED晶圆级封装中用于光反馈的蓝色选择性光电二极管。 174-177 克里斯蒂安·舒尔特·布洛克 , 西蒙·里克特 , 拉尔斯·诺尔 , 卢卡·塞尔米 , 赵庆泰 , 齐格弗里德·曼特尔 :
GAA-NW-TFET中模拟器件性能改进的实验演示。 178-181 盛田由纪 , 森隆弘 , Migita真司 , Wataru Mizubayashi公司 , 福田康一 , 松川隆 , 内藤和彦 , Shin-ichi O'Uchi先生 , 刘永勋 , 梅绍库·马萨哈拉 , 大田弘之 :
改善重砷和硼掺杂硅表面上的外延沟道质量以及对隧道FET性能的影响。 182-185 杰姆·阿尔珀 , 皮耶保罗·帕莱斯特里 , 利维奥·拉坦齐奥 , 何塞·L·帕迪拉 , 阿德里安·伊奥内斯库 :
低维隧道器件的二维量子力学模拟。 186-189 尼莱·达格特金 , 阿德里安·伊奥内斯库 :
用于低功率集成光学传感的部分选通硅隧道FET的研究。 190-193 路易吉·奥奇芬蒂 :
大面积电子产品的创新制造。 194-197 朱卡·哈斯特 , 萨米·伊姆 , 朱卡·塔帕尼·梅基宁 , Kimmo Keränen先生 , 马库斯·托米科斯基 , 卡里·隆卡 , 哈里·科波拉 :
使用R2R打印和混合集成技术的自由形式和柔性电子制造。 198-201 伊莎贝尔·沙蒂尔 , 圣埃芬妮·雅各布 , M.Charbonneau先生 , 阿卜杜勒卡德尔·阿利安 , 奥雷利亚·普利洪 , 罗曼·科帕德 , 罗曼·格沃齐茨基 , J.M.Verilhac公司 , 克里斯托夫·塞尔库托维兹 , 奥利维尔·迪兹 , 尤金尼奥·坎塔托雷 , 法布里斯·多明格斯-多斯桑托斯 :
智能传感表面应用的印刷OTFT互补电路和矩阵。 202-205 杰伦·范登布兰德 , 玛格丽特·德角 , 阿肖克·斯里达尔 , 马尔滕·考韦 , Rik Verplancke公司 , 弗雷德里克·博叙伊 , 约翰·德·贝茨 , Jan Vanfleteren女士 :
可穿戴式医疗保健的柔性和可伸缩电子产品。 206-209 克里斯汀·哈伦特 , 于自力 , 约阿希姆·N·伯格哈特(Joachim N.Burghartz) , 扬·科斯特尼克 , 安德烈亚斯·库格勒 , 斯特凡·萨勒 :
箔片混合系统(HySiF)开发超薄柔性芯片。 210-213 Eleftherios G.Ioanidis公司 , 塞巴斯蒂安·亨德勒 , 克里斯托弗罗斯·G·西奥多罗 , 尼古拉斯·普莱恩斯 , C.A.迪米特里亚迪斯 , 热拉尔·吉巴多 :
28nm FD-SOI MOSFET动态变化的统计分析。 214-217 Hiromitsu Awano公司 , 广本正行 , 佐藤隆志 :
器件退化的可变性:3996个晶体管NBTI的统计观察。 218-221 谢尔盖·马科维耶夫 , B.卡齐米·埃斯菲 , Jean-Pierre Raskin女士 , 瓦莱丽亚·基尔奇茨卡 , 丹尼斯·弗兰德 , V.巴拉 , 尼古拉斯·普莱恩斯 , M.浩德 :
UTBB MOSFET模拟优值在宽频率范围内的可变性。 222-225 纪尧姆·贝斯纳德 , 泽维尔·加洛斯 , 弗朗索瓦·安德烈 , P.Nguyen先生 , W.van den Daele先生 , P.雷纳德 , 沃尔特·施瓦岑巴赫 , D.德尔普拉特 , 康斯坦丁·布戴尔 , 吉尔斯·兰博德 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
用于高级CMOS技术节点的应变FDSOI nMOSFET的卓越性能和热载流子可靠性。 226-229 安德烈亚·卡塔内奥 , S.皮纳雷洛 , J.E.米勒 , 罗伯特·魏格尔 :
直流和射频Fowler-Nordheim应力下MOSFET退化。 230-233 毛里齐奥·里齐 , 尼古拉·乔奇尼 , 丹尼尔·伊尔米尼 , 安德烈亚·盖蒂 , 保罗·范蒂尼 :
设置/重置相变存储器阵列中的统计和动力学。 234-237 安德里亚·雷代利 , 卢卡·劳林 , S.拉维扎里 , C.库佩塔 , G.Servalli公司 , A.Benvenuti公司 :
高离子/离合比BJT选择器,适用于32单元串电阻RAM阵列。 238-241 斯特凡诺·安布罗乔 , 西蒙·巴拉蒂 , 丹尼尔·伊尔米尼 , D.C.吉尔默 :
互补电阻开关(CRS)交叉杆阵列的分析建模和泄漏优化。 242-245 弗朗西斯科·玛丽亚·普格利西 , 保罗·帕凡 , 卢卡·拉彻 , 安德烈亚·帕多瓦尼 :
LRS中HfO2 RRAM装置的RTN和循环变异性分析。 246-249 彭黄 , 陈兵(Bing Chen) , 李海通 , 哲晨 , Bin Gao公司 , 刘晓燕 , 金凤康 :
基于HfOX的RRAM参数提取。 250-253 弗雷德里克先生 , Y.丹尼斯 , 丹尼斯·里多 , V.淬火 , 吉尔斯·古吉特 , Clément酒馆 , 埃尔维·贾温 , 热拉尔·吉巴多 , 乔里斯·拉科德 :
间隔区对解释28nm Bulk和FDSOI技术中短信道移动性崩溃的重要性。 254-257 托马斯·霍尔蒂吉 , 迈克尔·格雷夫 , 亚历山大·克洛斯 , 本杰明·伊尼格斯 :
纳米级无连接三栅纳米线MOSFET的三维紧凑模型。 258-261 F.维拉尼 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
异质结和同质结隧道FET中电势分布的准2D半分析模型。 262-265 阿尔琼·阿杰库马尔 , Xing Zhou公司 , 比尼特·萨马尔 , 萧本嘉(Siau Ben Chiah) :
矩形量子阱异质结构HEMT的紧凑费米势模型。 266-269 菲利波·阿拉吉 , 马蒂亚·罗塞蒂 , 罗伯托·斯特拉 , 埃马努埃莱·维甘奥 , 菲利普·雷诺德 :
任意应力波形下参数失稳的紧凑模型。 270-273 朱利娅·皮科洛 , P.I.库因德斯马 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , 雷蒙德·J·E·休廷 , 纳丁·科勒特 , 朱里安·施密茨 :
FinFET技术中的硅LED。 274-277 Shinji Migita公司 , 松川隆 , 森隆弘 , 福田康一 , 盛田由纪 , Wataru Mizubayashi公司 , 内藤和彦 , 刘永训 , Shin-ichi O'Uchi先生 , 梅绍库·马萨哈拉 , 大田弘之 :
隧道-FET的变化行为源于源区掺杂浓度和沟道边缘结构。 278-281 塞巴斯蒂亚诺·斯特兰戈 , 皮耶保罗·帕莱斯特里 , 戴维·埃塞尼 , 卢卡·塞尔米 , 费利斯·克鲁皮 :
使用最先进的硅纳米线实现的基于TFET的6T SRAM电池的分析。 282-285 加斯帕德·希博特 , 昆汀·拉菲 , 弗雷德里克·博夫(Frédéric Boeuf) , 杰拉德·吉巴多 :
MOSFET亚阈值区反转电荷的量子调制影响。 286-289 卢卡·帕尔马森 , 尼尔·A·W·达顿 , 尼尔·J·考尔德 , 安德鲁·霍姆斯 , 林赛·A·格兰特 , 罗伯特·亨德森 :
9.8μm采样保持时间-幅度转换器CMOS SPAD像素。 290-293 费德里卡·维拉 , 达尼洛·布朗齐 , 米歇尔·维尔加尼 , 于邹 , 亚历山德罗·拉杰里 , 弗朗科·扎帕 , 阿尔贝托·达拉·莫拉 :
平面CMOS技术中的模拟SiPM。 294-297 尼古拉·拉钦 , 安德烈亚·塞斯特 , 尼科尔·拉戈 , Gaudenzio Meneghesso先生 , 里卡多·达帕斯 , 安德烈亚·斯特凡尼 , 吉多·图拉蒂 , 米歇尔·穆奇尼 :
恒压应力对有机互补逻辑逆变器的影响。 298-301 阿杰·布洛卡姆 , 马诺伊·纳格 , 阿德里安·维斯曼·查辛 , Soeren Steudel公司 , 简·葛诺 , 格温·盖林克 , 吉多·格罗塞内肯 , 保罗·埃里曼斯 :
刻蚀阻挡层对非晶态铟镓锌氧化物晶体管负偏压照明应力的影响。 302-304 C.穆克吉 , 塞巴斯蒂安·弗雷戈内塞 , 司马涛 , 克里斯特尔·马努斯 , 亨利·快乐 , 大卫·梅勒 :
通过脉冲测量和温度变化对SiC衬底上外延石墨烯FET进行定性评估。 305-308 山姆·瓦齐里 , 安德森·D·史密斯 , 格热戈兹·卢皮纳 , 马克斯·克里斯蒂安·莱姆 , 米凯尔·奥斯汀 :
使用中间聚合物层的PDMS支撑石墨烯转移。 309-312 瓦莱里奥·迪莱切 , 罗伯托·格拉西 , 安东尼奥·格努迪 , 埃琳娜·格纳尼 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 乔治·巴卡拉尼 :
石墨烯基异质结晶体管中晶体取向和杂质散射对太赫兹操作的影响。 313-316 恩里克·马林 , 弗朗西斯科·哈维尔·加西亚·鲁伊斯 , 安德烈斯·戈多伊 , 伊莎贝尔·M·田达·露娜 , 弗朗西斯科·加米斯 :
InAs纳米线中尺寸依赖的电子迁移率。 317-320 亚历山大欧·费拉拉 , 彼得·史蒂尼肯 , 博尼·K·博克斯特恩 , 安科·赫林加 , 安德里斯·肖尔滕 , 朱里安·施密茨 , 雷蒙德·J·E·休廷 :
通过分析稳定性分析确定LDMOS晶体管的失效机制。 321-324 一、帝国 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 乔治·巴卡拉尼 , 卢阮(Luu Nguyen) , 玛丽·丹尼森 :
高压、高温操作条件下封装层的TCAD建模。 325-328 乔治娅·隆戈巴迪 , 弗洛林·乌德雷亚 , 斯蒂芬·斯奎 , 杰罗恩·克罗恩 , 弗雷德·赫克斯 , 简·桑斯基 :
表面固定电荷和施主陷阱对GaN MISFET的C(V)和传输特性的影响-实验和TCAD模拟。 329-332 F.蒙蒂 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 盖塔诺男爵 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 乔治·巴卡拉尼 , 斯特凡诺·波利 , 庄明业 , 田伟东 , D.瓦尔盖塞 , 里克怀斯 :
交流应力条件下LDMOS器件中HCS降解的TCAD分析。 333-336 吉尔伯托·库拉托拉 , 安德烈亚斯·卡斯曼胡 , 谢尔盖·尤弗雷夫 , 约格·弗兰克 , 吉安马罗·波佐维沃 , 西蒙·拉万加 , 格哈德·普雷什特 , 托马斯·德策尔 , 奥利弗·海伯伦 :
GaN虚拟原型:从陷阱建模到系统级共源共栅优化。 337-340 E.M.巴齐兹 , 阿尔班·扎卡 , 汤姆·赫尔曼 , 弗朗西斯·贝尼斯坦特 , J.H.M.丁 , J.P.高 , L.Jiang(江) , M.乔希 , H.van Meer先生 , 科拉勒夫 :
使用全3D工艺/设备模拟,先进的TCAD用于预测FinFET Vth失配。 341-344 R.Valín , 安东尼奥·马丁内兹 , 曼纽尔·奥尔德根德 , 约翰·R·巴克 :
使用量子输运模拟研究离散掺杂对超尺度FinFET的影响。 345-348 王兴生 , 程斌杰(Binjie Cheng) , 安德鲁·布朗 , 坎贝尔·米勒 , 阿森·阿塞诺夫 :
精确模拟基于纳米FinFET的SRAM单元稳定性的工艺和统计可变性之间的相互作用。 349-352 维哈尔·P·格奥尔基耶夫 , 萨尔瓦多·M·阿莫罗索 , 莱亚·维拉·纳达尔 , 克里斯托夫·布什 , 勒罗伊·克罗宁 , 阿森·阿塞诺夫 :
低功率闪光应用中可变性降低的FDSOI分子闪光电池。 353-356 毛罗·西亚帕 , 埃姆雷·伊尔古恩萨蒂罗格鲁 , 亚历克谢·余(Alexey Yu)。 伊拉里奥诺夫 , F.线虫 , C.桑蒂尼 :
通过临界尺寸扫描电子显微镜在纳米尺度上提取粗糙度参数的蒙特卡罗建模。 357-360 玛丽亚姆·奥利亚伊 , B.冈纳尔·马尔姆 , Eugenio Dentoni Litta公司 , Per-Erik Hellström公司 , 米凯尔·奥斯汀 :
改进了0.3nm EOT硅酸铥界面层的低频噪声。 361-364 阿莱西奥·斯佩索特 , 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , 赵明珠(Moonju Cho) , 雅各布·佛朗哥 , 汤姆·施拉姆 , 罗曼·里森塔勒 , 本·卡泽尔 :
关态应力对高级高K金属栅NMOSFET的影响。 365-368 奥洛夫·恩格斯特罗姆 , 亨利克·普雷沃洛基(Henryk M.Przewlocki) , 伊沃纳·Z·米特罗维奇 , 冼德芬 :
用于高k氧化物/半导体带偏移测定的内部光电发射技术:半导体体特性的影响。 369-372 马塞利诺·塞夫 , 法比安·帕斯卡 , 布鲁诺·萨格内斯 , 阿兰·霍夫曼 , 塞巴斯蒂安·亨德勒 , 帕斯卡骑士 , 丹尼尔·格洛里亚 :
先进SiGe:C异质结双极晶体管低频噪声的研究。 373-376 法比奥·阿莱西奥·马里诺 , 戴维德·比西 , 马泰奥·梅内基尼 , 乔瓦尼·维尔泽莱西 , 恩里科·扎诺尼 , 马琳·范·霍夫 , 舒振友 , 斯特凡·德考特 , 丹尼斯·马肯 , 史蒂夫·斯托菲尔斯 , 尼科洛·隆奇 , Gaudenzio Meneghesso先生 :
GaN基MIS-HEMT器件的击穿研究。 377-380 伊莎贝拉·罗塞托 , 法比亚娜·兰帕佐 , 西蒙·杰拉尔丁 , 马泰奥·梅内基尼 , 玛尔塔·巴加廷 , 阿尔贝托·赞安德里亚 , 亚历山德罗·帕卡涅拉 , Gaudenzio Meneghesso先生 , 恩里科·扎诺尼 , 克里斯蒂安·杜瓦 , 玛丽·安托瓦内特·迪·福特·泊松 , 拉斐尔·奥布里 , 穆拉德·瓦利 , Sylvain L.Delage公司 :
不同质子注量下InAlN/GaN HEMT直流和脉冲特性的退化。 381-384 哈维尔·利昂 , 泽维尔·佩皮尼亚 , Miquel Vellvehí , 泽维尔·若尔达 , 菲利普·戈迪农 :
通过红外锁定传感研究SiC肖特基二极管在特定操作条件下的表面弱点。 385-388 戴维德·比西 , 安东尼奥·斯托科 , 马泰奥·梅内基尼 , 法比亚娜·兰帕佐 , 安德烈亚·塞斯特 , Gaudenzio Meneghesso先生 , 恩里科·扎诺尼 :
GaN基功率HEMT中高压电荷捕获效应的表征。 389-392 D.Cucak公司 , 米罗斯拉夫·瓦西奇 , 奥斯卡·加西亚 , 伊夫·布维尔 , 杰苏斯·安杰尔·奥利弗 , 佩德罗·阿洛 , 何塞·A·科布斯 , A.王 , S.Martin-Horcajo公司 , F.罗梅罗 , 费尔南多·卡利 :
高频开关应用中GaN HEMT设计优化的物理模型。 393-396 穆罕默德·阿尔沙赫德 , 自立余 , 霍斯特·雷姆普 , 李浩然 , 克里斯汀·哈伦特 , 约阿希姆·N·伯格哈特(Joachim N.Burghartz) :
超薄硅芯片的热特性和建模。 397-400 罗兰·索尔格 , J.快速 , 彼得·施利 , D.K.Bolze博士 , 托马斯·格拉博拉 :
低频MOS-CV技术,用于自洽测定高电阻率衬底中的暗电流。 401-404 G.A.Umana-Memberno公司 , S.-J.Chang , 玛丽莲·巴韦丁 , J.安托舍夫斯基 , 索林·克里斯托洛瓦努 , L.Faraone公司 :
全耗尽MOSFET中磁电阻的迁移谱分析。 409-412 哈尔·爱德华兹 , 牛进 , 范志厚 , 李仁财 , 特蕾西·克拉科夫斯基 , 昆塔尔·乔达尔 :
采用光环注入的CMOS晶体管中阈值电压波动的温度依赖性。 413-416
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