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ESSDERC 2013：罗马尼亚布加勒斯特

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2013年9月16日至20日在罗马尼亚布加勒斯特举行的欧洲固态设备研究会议记录，ESSDERC 2013。电气与电子工程师协会 2013
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普洛斯:
汽车电子和能源效率。 1-2

A2L-A联合全体会议：W.Maszara（全球铸造厂）

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维托尔德·P·马斯扎拉,M.-R.林:
FinFET-技术和电路设计挑战。 3-8

B2L-A联合全体会议：S.Finkbeiner（博世）

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斯特凡·芬克贝纳:
用于汽车和消费电子的MEMS。 9-14

C1L-A联合全体会议：M.Maharbiz（加州大学伯克利分校）

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蒂莫西·J·布兰奇,约书亚·保罗·范·克莱夫,彼得·莱多霍维奇,特拉维斯·L·梅西,瑞基·穆勒,东进Seo,米歇尔·马哈比兹:
半械虫、神经尘埃和其他东西：在合成物和多细胞生物之间建立接口。 15

C2L-A联合全体会议：J.del Alamo（麻省理工学院）

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杰苏斯·德尔·阿拉莫:
用于THz和CMOS技术的纳米级InGaAs场效应晶体管。 16-21

A4L-E ESSDERC主题演讲：T.Kimoto（京都大学）

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津尼诺布·基莫托:
用于未来电力基础设施的超高压SiC设备。 22-29

B3L-E ESSDERC主题演讲：L.Baldi（微米）

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利维奥·巴尔迪,古特吉·桑杜:
新兴记忆。 30-36
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魏曹,嘉浩康,刘伟（音译）,亚辛·哈塔米,黛琳娜·萨卡尔,考斯塔夫·班纳吉:
二维电子学：石墨烯及其他。 37-44

A3L-A新兴FET器件

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森田幸奈里,森隆弘,Shinji Migita公司,Wataru Mizubayashi公司,明仁天皇,福田康一,松川隆,内藤和彦,Shin-ichi O'Uchi先生,刘永勋,梅绍库·马萨哈拉,大田弘之:
平行电场隧道FET的性能极限以及通过改进栅极和沟道配置进行的改进。 45-48
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阿尔贝托·雷维兰特,皮耶保罗·帕莱斯特里,帕特里克·奥斯格纳赫,丹尼尔·利齐特,卢卡·塞尔米:
关于SiGe和III-V族化合物异质结隧道FET器件的优化。 49-52
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索菲亚·约翰逊,Jiongjiong Mo公司,埃里克·林德:
使用射频跨导方法表征III-V MOSFET中的边界陷阱。 53-56

A3L-C GaN和NEMS

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阿兰·阿格博顿,尼古拉斯·德夫兰斯,菲利普·阿伦塔斯,瓦内萨·阿夫拉莫维奇,阿德里安·卡特维特,雷兹基·乌哈奇,让-克洛德·德·耶格尔,萨米拉·布齐德·德里德,哈桑·马赫尔,米歇尔·伦沃塞,彼得·弗里林克:
硅衬底上AlGaN/GaN HEMT的电子延迟分析和图像电荷效应。 57-60
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戴维德·比西,马泰奥·梅内基尼,安东尼奥·斯托科,朱利娅·西宾,阿莱西奥·潘泰里尼,安东尼奥·南尼,克劳迪奥·兰齐埃里,恩里科·扎诺尼,Gaudenzio Meneghesso先生:
氟基干法刻蚀对AlGaN/GaN-on-Si高电子迁移率晶体管电参数的影响。 61-64
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奥利维尔·马丁,埃里克·科林特,埃里克·塞奇,塞西莉亚·杜普雷,帕特里克·维拉德,塞巴斯蒂安·亨茨,劳伦特·杜拉夫,托马斯·恩斯特:
过程可变性对用于重量检测的频率寻址NEMS阵列传感器的影响。 65-68

A3L-F新兴FET类建模

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  - conf/essderc/BaravelliGGGRB13
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伊曼纽尔·巴拉维利,埃琳娜·格纳尼,罗伯托·格拉西,安东尼奥·格努迪,苏珊娜·雷吉亚尼,乔治·巴卡拉尼:
在相同的InAs/Al0.05Ga0.95Sb平台上的互补n型和p型TFET。 69-72
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乔瓦尼·贝蒂·贝内万蒂,埃琳娜·格纳尼,安东尼奥·格努迪,苏珊娜·雷吉亚尼,乔治·巴卡拉尼:
将InAs TFET通电电流提高到1 mA/μm以上，无泄漏损失。 73-76
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阿尔罗·萨博,马修·路易斯尔:
p型超尺寸硅纳米线晶体管的全频带模拟。 77-80
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帕斯夸尔·马约拉诺,埃琳娜·格尼,安东尼奥·格努迪,苏珊娜·雷吉亚尼,乔治·巴卡拉尼:
优化门堆栈以最小化超晶格场效应晶体管的功耗。 81-84

A5L-E ESSDERC邀请会议I

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  - conf/essderc/DuesbergKLMWY13
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乔治·杜斯伯格,金慧英（Hye Young Kim）,李康浩,尼尔·麦克沃伊,Sinead Winters公司,尹昌英（Chanyoung Yim）:
碳硅肖特基二极管及其作为化学传感器的应用研究。 85-90
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  - conf/essderc/ReggianiGGBPWCTD13
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苏珊娜·雷吉亚尼,埃琳娜·格纳尼,安东尼奥·格努迪,乔治·巴卡拉尼,斯特凡诺·波利,里克怀斯,Ming-Yeh Chuang先生,田伟东,玛丽·丹尼森:
功率MOSFET中热载流子应力退化的建模和表征（受邀）。 91-94

A6L-E射频和电源应用技术和设备

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蒂莫·扎维希卡,马丁·普福斯特,迈克尔·埃布里,德拉戈斯·科斯塔切斯库:
一项具有增强能量能力的集成DMOS晶体管的实验研究。 95-98
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萨拉菲斯Panagiotis Sarafis,埃马努埃尔·霍尔达基斯,安德鲁拉·纳西奥波卢（Androula G.Nassiopoulou）:
射频无源器件集成用多孔硅介电参数提取：测量和模拟。 99-102
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米哈拉·亚历山德鲁,维奥雷尔·巴努,菲利普·戈迪农,米克尔·维尔维希,何塞·米兰:
专门为高温集成电路设计和制造的4H-SiC MESFET。 103-106
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川谷隆正,Kuniyuki Kakushima公司,片冈义行,西山明彦,Nobuyuki Sugii公司,Hitoshi Wakabayashi先生,鹤嘴咀,本田贤治,岩井洋:
TiN肖特基栅在改善AlGaN/GaN HEMT的电气特性方面优于传统镍。 107-110
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Vasileios Papageorgiou公司,阿塔·哈立德,马修·斯蒂尔,李冲（Chong Li）,大卫·R·S·卡明:
平面耿氏二极管和pHEMT并排的单片制造。 111-114
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吉田智宏,小林健吾,大冢泰一,铃木Tetsuya Suemitsu:
InGaAs-HEMT中T栅杆高度对寄生栅延迟时间的影响。 115-118

A6L-F光电和光子器件

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朱利娅·皮科洛,阿米尔·萨马克,雷蒙德·J·E·休廷,朱里安·施密茨,Lis K.Nanver女士:
结深在硅p-i-n发光二极管发光中的作用。 119-122
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格雷西尔·巴蒂斯特尔,约翰内斯·斯图姆:
标准CMOS技术中的无滤波器彩色传感器。 123-126
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安德烈·瓦乔维克,斯特凡·斯莱萨泽克,保罗·乔丹,尤尔根·霍尔茨,托马斯·米科拉吉克:
基于单光谱可调谐光电二极管的新型颜色传感器概念。 127-130
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  - conf/essderc/SedghiZRHMH13
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纳赛尔·塞奇奇,张静伟（Jingwei Zhang）,杰森·拉尔夫,一黄,伊沃纳·Z·米特罗维奇,史蒂夫·霍尔:
朝向用于太阳能收集的矩形天线。 131-134
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瓦卡斯·艾哈迈德,马库斯·特尔马尼,亨利克·舍兰:
用于全集成光学接收器的深亚微米CMOS工艺中的光电二极管。 135-138

B4L-A新兴设备

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金圣贤（SangHyeon Kim）,横山正美,Yuki Ikku公司,中关龙雄,Osamu Ichikawa公司,大田武森,Masahiko Hata先生,竹中光郎,高木信一:
单轴应变InGaAs-OI MOSFET中电子迁移率的物理理解。 139-142
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卢卡斯·佐诺马兹,尼古拉斯·戴克斯,普拉尼塔·科尔伯,凯文·李斯特,丹尼尔·凯米,克里斯托夫·罗塞尔,玛丽莲·索萨,伊曼纽尔·乌切利,让·丰佩林:
硅上超薄体和BOX InGaAs MOSFET的可扩展性。 143-146
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Benoit Voisin公司,Benoit Roche公司,伊娃·杜邦·费里尔,贝诺伊·斯科莱纳（Benoit Sklénard）,曼努埃尔·科比安,泽维尔·杰尔,奥尔加·库托,罗曼·瓦克斯,莫德·维奈,亚恩·米歇尔·尼奎特,西尔瓦诺·德·弗朗切斯基,马克·桑克:
耦合原子晶体管：首次在FDSOI硅纳米线中植入浅施主。 147-150

B4L-B处理与集成

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Ionut半径,格维尔塔斯·高丁,威廉·范登·戴勒,织物字母,卡洛斯·马祖尔,莱亚·迪西奥西奥,托马斯·拉卡夫,弗雷德里克·马赞,帕斯卡·谢布林,托马斯·西格纳马尔凯克斯,索林·克里斯托洛瓦努:
用于高密度器件集成的新型低温3D晶片堆叠技术。 151-154
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Eugenio Dentoni Litta公司,Per-Erik Hellström公司,米凯尔·奥斯汀:
通过在0.65nm EOT高k/金属栅MOSFET中集成TmSiO IL来提高迁移率。 155-158
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Doyoung Jang先生,玛丽·加西亚·巴登,德米特里·亚基米特,宫口贤一,安·德·科尔斯基（An De Keersgieter）,托马斯·齐亚雷拉,罗曼·里森塔勒,莫林·德汉,阿卜杜勒卡里姆·默查:
STI和eSiGe源极/漏极外延诱导应力建模，采用28nm技术和替换栅（RMG）工艺。 159-162
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根纳迪·伯苏克,布赖恩·布彻,大卫·吉尔默,保罗·基尔希,卢卡·拉彻,安德烈亚·帕多瓦尼:
将RRAM性能与铪基电介质的性能联系起来。 163-165
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弗朗西斯科·玛丽亚·普格利西,保罗·帕万,安德烈亚·帕多瓦尼,卢卡·拉彻:
随机电报噪声分析，以研究HRS中基于HfO2的RRAM有源陷阱的特性。 166-169
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布巴卡尔·特拉奥雷,伊丽莎·维亚内洛,加布里埃尔·莫拉斯,马克·盖利,Jean-François Nodin先生,埃里克·贾拉奎尔,菲利普·布莱塞,芭芭拉·德·萨尔沃,莱昂纳多·丰塞卡,薛侃浩,西西义雄:
基于HfOx的RRAM器件的无成形操作：实验和从头计算。 170-173
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西井义文,塞巴斯蒂安·施梅尔泽,乌尔里希·博特格,Rainer Waser公司:
基于氧化钽薄膜的电阻开关动力学的Weibull分析。 174-177
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桑亨·李,Daeseok Lee公司,Jiyong Woo公司,尤俊查,Hyunsang Hwang（黄贤生）:
通过可控灯丝实现高均匀电阻开关ReRAM的两步设置操作。 178-181

从设备到电路I的B4L-D可靠性方面

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陈敏,维杰·雷迪,斯里坎思·克里希南,杰伊·昂德鲁塞克,曹宇:
ACE：用于高k/金属栅SoC的鲁棒可变性和老化传感器。 182-185
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丁杰,戴夫·里德,坎贝尔·米勒,阿森·阿塞诺夫:
使用BTI感知统计紧凑模型研究SRAM。 186-189
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马克·奥利奇,埃迪·西蒙,罗曼·里森塔勒,汤姆·施拉姆,Hiroaki Arimura先生,赵明珠（Moonju Cho）,托马斯·考劳夫,吉多·格罗塞内肯,Naoto Horiguchi公司,亚伦·提安,安东尼奥·费德里科,费利斯·克鲁皮,阿莱西奥·斯佩索特,克里斯蒂安·凯利亚特,皮埃尔·法赞,Hyuokju Na公司,Y.儿子,K.B.诺:
Al2O3位置对高k金属栅DRAM外围晶体管性能和可靠性的影响。 190-193

B5L-A硅基器件

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谢尔盖·马科维耶夫,巴巴克·卡齐米·埃斯菲,Jean-Pierre Raskin女士,丹尼斯·弗兰德,瓦莱丽亚·基尔奇茨卡,弗朗索瓦·安德烈:
UTBB mosfet中全局变化背景下的阈值电压提取技术和温度效应。 194-197
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雷米·科昆德,西尔万·巴拉德,米卡·卡塞,小山正弘,维吉尼·马菲尼·阿尔瓦罗,玛丽·皮埃尔·萨姆森,露西·托斯蒂,泽维尔·梅斯科特,杰拉德·吉巴多,圣埃芬·蒙弗雷,弗雷德里克·博夫（Frédéric Boeuf）,奥利维尔·费诺,芭芭拉·德·萨尔沃:
SOI和sSOI纳米线至8nm宽的低温传输特性：IDS和迁移率振荡的证据。 198-201
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Wataru Mizubayashi公司,福田康一,森隆弘,内藤和彦,刘永勋,松川隆,Shin-ichi O'Uchi先生,石川夕紀,Shinji Migita公司,盛田由纪,田边明仁,冢田纯一,山内博美,梅绍库·马萨哈拉,大田弘之:
单金属栅电极和双金属栅电极隧道FinFET对称阈值电压指南。 202-205

B5L-B硅掺杂

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  - conf/essderc/KoffelPLBNS13公司
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圣埃芬·科菲尔,彼得·皮克勒,尤尔根·洛伦茨,加布里埃尔·比索宁,恩里科·纳波利塔尼,戴维德·德·萨尔瓦多:
关于砷致应变成硅。 206-209
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  - conf/esderc/GolshaniMRN13会议
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尼金·戈尔沙尼,瓦希德·穆罕默德,西瓦·拉梅什,Lis K.Nanver女士:
使用纳米薄纯硼化学镀覆层的高电阻。 210-213
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  - conf/essderc/哈肯伯格RRLPHNFMTQ13
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莫里茨·哈肯伯格,马蒂亚斯·隆美尔,马克西米利安·鲁姆勒,尤尔根·洛伦茨,彼得·皮克勒,卡里姆·休特,拉兹万·内格鲁,朱塞佩·费西卡罗,安东尼诺·拉马格纳,纳吉布·塔勒布,莫里斯·奎莱克:
使用一个或多个脉冲进行脉冲激光热退火期间的熔体深度和时间变化。 214-217

从设备到电路II的B5L-D可靠性方面

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本杰明·雷巴菲特,文森佐·德尔拉·马卡,帕斯卡·马森,Jean-Luc奥吉尔,马克·曼特利,奥利维尔·鲍利特,洛朗·洛佩兹,罗曼·拉芬特:
SiOCH金属间介电结构中存在的离子的影响。 218-221
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  - conf/essderc/SolaroFLFFC13
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约汉·索拉罗,帕斯卡·丰特内奥,查尔斯·阿莱克安德烈·罗格朗,克莱尔·费努伊勒特·贝兰格,菲利普·法拉利,索林·克里斯托洛瓦努:
用于FDSOI ESD保护的新型后备UTBB横向SCR。 222-225
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  - conf/essderc/BazuIVGSRUW13
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马吕斯·巴祖,维吉尔·埃米尔·伊利安,德拉戈斯·瓦塞斯库,卢西安·加拉提努,维利·西基奥,Meelis Reimets公司,沃尔克·乌尔,曼努埃尔·韦斯:
区分QFN包装技术变体的可靠性试验。 226-229

B6L-A新兴MOS：可变性和缺陷

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维哈尔·乔治耶夫,斯坦尼斯拉夫·马尔科夫,莱亚·维拉·纳达尔,克里斯托夫·布什,勒罗伊·克罗宁,阿森·阿塞诺夫:
多尺度计算框架，用于评估具有分子存储的闪光灯的编程窗口中的可变性。 230-233
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王兴盛,程斌杰,安德鲁·R·布朗,坎贝尔·米勒,Jente B.Kuang,萨尼·纳西夫,阿森·阿塞诺夫:
统计可变性和电荷捕获对14nm SOI FinFET SRAM电池稳定性的影响。 234-237
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  - conf/essderc/PaydavosiVSNHDMZ13会议
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纳维德·佩达沃西,Sriramkumar Venugopalan公司,安加达·B·萨希德,阿里·M·尼克贾德,胡正明,萨格尼克·戴伊,撒母耳·马丁,张欣（Xin Zhang）:
先进CMOS技术中的闪烁噪声：光环植入的影响。 238-241
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维克托里亚·乌赫内维奥纳克,克里斯蒂安·斯特林格,亚历山大·布伦科夫,V.莫特,埃琳娜·贝德尔·佩雷拉,尤尔根·洛伦茨,彼得·皮克勒:
n沟道MOSFET的特性：电气测量和模拟分析。 242-245

B6L-B纳米线电子

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沃尔特·韦伯,Jens Trommer公司,多米尼克·马丁,马提亚斯·格鲁布,安德烈·海因齐格,托马斯·米科拉吉克:
可重构纳米线电子学。器件原理和电路前景。 246-251
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菲利普·门施,齐格弗里德·F·卡格,伯恩德·戈斯曼,Pratyush Das Kanungo公司,沃尔克·施密特,瓦伦蒂娜·特隆克莱,亨茨·施密德,海克·瑞尔:
选通InAs纳米线的电学和热电特性。 252-255
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西蒙·里克特,斯维特兰娜·维图塞维奇,Sergii Pud公司,李静（音译）,拉尔斯·诺尔,斯特凡·特雷伦坎普,安娜·谢弗,斯特菲·伦克,赵庆泰,安德烈亚斯·奥芬哈泽尔,齐格弗里德·曼特尔,康斯坦丁·K·布尔代尔:
应变硅纳米线阵列MOSFET和隧道FET中的低频噪声。 256-259

B6L-C新兴记忆II

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托尼·申克,斯蒂芬·穆勒,乌韦·施罗德,罗宾·马特里克,阿尔弗雷德·科什,米哈拉·波波维奇,克里斯托夫·阿德尔曼,斯文·范·埃尔肖赫特,托马斯·米科拉吉克:
掺锶氧化铪薄膜：铁电存储器的宽工艺窗口。 260-263
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乔治·帕尔马,伊丽莎·维亚内洛,奥利维尔·托马斯,Houcine Oucheikh先生,桑托什·翁卡拉亚,阿兰·托福利,凯瑟琳·卡拉巴斯,加布里埃尔·莫拉斯,芭芭拉·德·萨尔沃:
一种用于可重构逻辑应用的新型HfO2-GeS2-Ag导电桥RAM。 264-267
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劳伦特·德尔曼,阿布·塞巴斯蒂安,瓦拉·普拉萨德·琼纳拉加达,克劳迪娅·桑蒂尼,Wabe W.Koelmans公司,克里斯托弗·罗塞尔,埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥埃莱夫塞里奥:
基于氢化非晶碳的非易失性电阻存储器件。 268-271

B6L-C新兴记忆II

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  - conf/essderc/NakaneSSWYMTIS13
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中关龙雄,Yusuke Shuto公司,Hiroaki Sukegawa先生,温振超,山本修一郎,Seiji Mitani先生,日本选手田中雅明,猪小一郎,佐藤素原:
使用通过多项目晶圆服务制造的定制CMOS芯片对伪自旋MOSFET进行单片集成。 272-275
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  - conf/essderc/BechererKBECS13会议
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马库斯·贝克勒,约瑟夫·基尔迈尔,斯蒂芬·布雷特克鲁兹,伊琳娜·艾奇瓦尔德,吉尔吉斯·萨巴,多丽丝·施密特·兰西德尔:
纳米磁性逻辑时钟频率为MHz。 276-279
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  - conf/essderc/孢子AGUSS13
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Radu A.孢子,阿卜杜拉·阿尔沙马里,斯塔马蒂斯·乔治科普洛斯,约翰·安德伍德,马克西姆·什库诺夫,S.拉维·P.席尔瓦:
用于大面积柔性电子器件的微尺度喷墨辅助数字光刻。 280-283

C3L-B MEMS器件与技术I

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  - conf/essderc/DoJSLYK13
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安团道,卡提克·G·贾亚拉曼,Pushpapraj Singh先生,蔡庚莉（Chua Geng Li）,Kiat Seng Yeo先生,托尼·泰亨·金:
设计并阵列实现了一种利用振动复位的悬臂梁式非易失性存储器。 284-287
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  - conf/essderc/VitaleFBDI13
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沃尔夫冈·维塔莱,蒙特塞拉特·费尔南德斯·博拉尼奥斯,安东尼奥斯·巴齐戈斯,凯瑟琳·德霍兰,阿德里安·米海·伊奥内斯库:
用于超低功耗唤醒电路应用的RF MEMS功率传感器。 288-291
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  - conf/essderc/DeheWFK13文件
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阿尔芬斯·德赫,马丁·维尔泽,马克·富尔德纳,乌尔里希·克伦宾:
高信噪比多晶硅MEMS麦克风的设计。 292-295

新型MOS FET结构的C3L-D高级表征

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  - conf/essderc/ChangCBLLMP13
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宋在昌,索林·克里斯托洛瓦努,玛丽莲·巴韦丁,李宗贤,李荣熙,Sutirtha Mukhopadhyay公司,本杰明·皮奥特:
FD MOSFET中的磁电阻测量和异常迁移行为。 296-299
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  - conf/essderc/KoyamaCCBGIR13
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小山正弘,米卡·卡塞,雷米·科昆德,西尔万·巴拉德,杰拉德·吉巴多,岩井洋,吉尔斯·兰博德:
器件尺度对SOI三栅N型和p型硅纳米线MOSFET低频噪声的影响。 300-303
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  - conf/essderc/NavarroBASC13
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卡洛斯·纳瓦洛,玛丽莲·巴韦丁,弗朗索瓦·安德烈,布鲁诺·萨格内斯,索林·克里斯托洛瓦努:
为什么FD-SOI MOSFET中的SCE被高估？ 304-307

C5L-E ESSDERC邀请会议II

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  - conf/essderc/LuisierR13
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马修·路易斯尔,雷托·雷纳:
纳米器件中电子和声子传输的原子模拟。 308-313

C6L-D碳基器件

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  - conf/essderc/LecceGGGRB13
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瓦莱里奥·迪莱切,罗伯托·格拉西,安东尼奥·格努迪,埃琳娜·格纳尼,苏珊娜·雷吉亚尼,乔治·巴卡拉尼:
用于太赫兹工作的石墨烯基晶体管的直流和小尺寸数值模拟。 314-317
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  - conf/essderc/川崎DEKKYSWTSRIOFKTY13
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  - https://dblp.org/rec/conf/essderc/川崎DEKKYSWTSRIOFKTY13
川崎铁杉,阿德里安·多布罗乌,塔卡诺里·埃托,久田由纪夫,小岛一贵,余晖亚贝,杉山弘子,渡边忠彦,Susumu Takabayashi公司,铃木Tetsuya Suemitsu,维克托·瑞芝（Victor Ryzhii）,岩崎胜美,大冢泰一,福田友一,金井俊一,Jun Terada先生,吉本直人:
用于亚太赫兹波段光子频率双混频转换的石墨烯通道FET。 318-321
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  - conf/essderc/DragomanDD13
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米尔恰·德拉戈曼,阿德里安·迪内斯库,丹妮拉·德拉戈曼:
高频应用的安全石墨烯二极管。 322-325
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  - conf/essderc/GuerinPPFDI13
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霍尔·盖林,海伦·勒波切,罗兰·波勒,蒙特塞拉特费尔南德斯·博拉尼奥斯,让·迪戎,阿德里安·伊奥内斯库:
碳纳米管电阻器作为气体传感器：利用各种金属纳米管接口进行选择性分析物检测。 326-329

C6L-E新兴内存建模

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  - conf/essderc/Vega-GonzalezGG13
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维克托·维加·冈萨雷斯,埃德蒙多·古铁雷斯-多明格斯,费尔南多·瓜林:
使用单个MOSFET实现从375 k到80 k的负微分电阻效应。 330-333
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  - conf/essderc/OsintsevSS13
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德米特里·奥斯汀塞夫,维克托·斯维尔德洛夫,齐格弗里德·塞尔伯赫:
应变硅薄膜中动量和自旋弛豫速率的降低。 334-337
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  - conf/essderc/XuSYCC13
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徐子汉,Ketul Sutaria公司,杨成恩（Chengen Yang）,查塔利·查克拉巴蒂,曹宇:
用于SPICE仿真的STT-MTJ紧凑建模。 338-341
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  - conf/essderc/Todorova BVF13公司
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Tsanka Z.Todorova公司,菲利普·布莱塞,伊丽莎·维亚内洛,莱昂纳多·丰塞卡:
通过从头计算模拟了解硫属化合物银掺杂Ag2S的导电机理。 342-345
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  - conf/essderc/MarcoliniGRBPBC13
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朱利亚诺·马可里尼,法比奥·乔瓦纳尔迪,马西莫·鲁丹,法布里奇奥·布塞米,恩里科·皮奇尼尼,罗塞拉·布鲁内蒂,安德里亚·卡佩利:
PCM的动态自愈建模。 346-349

C6L-F MEMS器件与技术II

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萨拉·里甘特,保罗·利维,马蒂亚斯·维普夫,克里斯汀·贝德纳,迪迪埃·布韦,安东尼奥斯·巴齐戈斯,亚历山德鲁·鲁苏,安德烈亚斯·希尔曼,阿德里安·伊奥内斯库:
具有高灵敏度电压读数的低功耗finfet ph-sensor。 350-353
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  - conf/esderc/SkotadisMTTB13会议
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Evangelos Skotadis公司,迪米特里斯·穆萨达科斯,约瑟夫·坦纳,迪米特里奥斯·苏卡拉斯,Broutas泛神经炎:
柔性铂纳米颗粒应变传感器。 354-357
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  - conf/essderc/摩加尔-波兰M13
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维克托·莫阿加尔·波拉迪安,加布里埃尔·莫阿加尔·波拉迪安:
用于高压线路的MEMS传感器。 358-361
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  - conf/essderc/MunzenriederPZGBST13
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尼科·穆恩泽里德,路易莎·佩蒂,克里斯托夫·齐塞特,Deniz Gork公司,拉尔斯·比提,乔瓦尼·萨尔瓦多,格哈德·特罗斯特:
对栅极材料延展性的研究使柔性a-IGZO TFT能够弯曲到1.7 mm的半径。 362-365

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