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刚果民主共和国2022：美国俄亥俄州哥伦布市

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设备研究会议，DRC 2022，哥伦布，俄亥俄州，美国，2022年6月26-29日。电气与电子工程师协会 2022，国际标准图书编号978-1-6654-9883-8
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张杰（音译）,曾玉萍:
使用TiO2作为通道和介质的高性能TiO2薄膜晶体管。 1-2
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赵紫晶,徐凯（Kai Xu）,刘佳伦,魏江,霍戎琉,Shaloo Rakheja公司,托尼·洛,朱文娟:
基于二维和铁电材料的纳米器件。 1-2
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比尔·齐瓦萨提恩拉（Bill Zivasatienraj）,W.阿兰·杜利特:
一种经实验验证的通用记忆电阻模型，支持时间神经形态计算。 1-2
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王萍,丁旺,舒巴姆·蒙达尔,泽田弥:
全外延铁电III-氮化物半导体：从材料到器件。 1-2
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帕特里克·费伊,尼维希塔·文卡泰桑（Nivedhita Venkatesan）,正月（Jeong-Sun-Moon）:
用于高效率和线性的III-N毫米波晶体管的极化工程。 1-2
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陈宝春,彼得·马斯贝克,沙迪·A·达耶:
独立式高功率GaN多引脚骆驼二极管变容二极管。 1-2
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沙米乌尔·阿拉姆,Mazharul Islam马里兰州,Shafayat Hossain医生,艾哈迈杜拉·阿齐兹:
基于超导约瑟夫森结FET的低温电压传感放大器。 1-2
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Saikat Chakraborty公司,杰德普·库尔卡尼:
低温DRAM：用于低温计算的基于门控晶闸管的无电容DRAM。 1-2
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金恩均,张泽萱,贾珊·辛加尔,野本一木,奥斯汀·希克曼,Masato Toita公司,德布迪夫·耶拿（Debdeep Jena）,慧丽格蕾丝·星:
首次在单晶AlN衬底上演示N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT。 1-2
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阿斯米塔·索尔,Sourodeep Roy公司,阿披实米斯拉,Bhaswar Chakrabarti公司:
高性能阈值开关记忆器件的2D-MoS2可控缺陷工程。 1-2
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Saikat Chakraborty公司,杰德普·库尔卡尼:
作为节能可靠的1T-NVM的埋沟铁电FET。 1-2
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  - conf/drc/NegmZPLHSSLBQNG22
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努尔·内格姆,莎拉·扎尤纳,沙扬·帕里兹卡尔,彭胜林,黄波汉,斯蒂芬·苏克沃,斯蒂芬·施罗德,埃莉诺拉·德卢卡,弗洛里娅·奥托利奥·布里亚诺,阿恩·奎尔马尔兹,弗兰克·尼克劳斯,克里斯汀·吉尔法森,马克斯·克里斯蒂安·莱姆:
石墨烯波导集成热红外发射器。 1-2
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钟文信,田沼正男,J.皮奥,大米顺伊奇罗（Shun’ichiro Ohmi）:
高速低压MFSFET用超薄铁电非掺杂HfO2。 1-2
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吴伯豪,Shaloo Rakheja公司:
AlScN/AlN/GaN异质结构的电荷电压特性建模。 1
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亚当·查纳斯,杰克逊·安德森,张杰（音译）,郑东奇,达娜·温斯坦,佩德·D·叶:
记录具有埋栅结构的超薄氧化铟晶体管的射频性能。 1-2
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里沙布·梅赫拉,S.S.Teja Nibhanupudi公司,杰德普·库尔卡尼:
2T1R增益单元RRAM比特单元的统计分析，以实现高效、高性能和可靠的多级单元操作。 1-2
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  - conf/drc/StecconiPGHFPHB22
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托马索·斯特科尼,尤里·波波夫,罗伯托·吉多,马蒂亚·哈尔特,多纳托·弗朗西斯科·法尔科内,安东尼奥·拉波塔,福克特·霍斯特,劳拉·贝贡·洛斯,玛丽莲·索萨,伯特·J·奥夫林,瓦莱里娅·布拉加利亚:
基于TaOx/HfOx的RRAM的等效电路建模，具有优化的电阻窗口和多级状态。 1-2
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法尼什·查瓦,渡边贤治,谷口隆,托马斯·米科拉吉克,曼弗雷德·赫尔姆,阿图尔·埃尔贝:
WSe2-MoS2异质结晶体管中的隧道传输由二维器件架构实现。 1-2
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林肯尼思,尼丁·普拉萨德,G.威廉·伯格,渡边贤治,谷口隆,伊曼纽尔·图图克:
双栅极扭控双单层石墨烯-hBN异质结构中的栅极可调谐共振隧穿。 1-2
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丹尼斯·布劳恩,塞巴斯蒂安·卢卡斯,卢卡斯·沃尔克尔,奥利弗·哈特维格,马克西米利安·普雷什特,梅尔卡穆·贝莱特,Satender Kataria公司,托尔斯滕·沃尔布林,阿尔文·道斯,乔治·杜斯伯格,马克斯·克里斯蒂安·莱姆:
基于PtSe2的交叉点电容器中的非易失性电阻开关。 1-2
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李文申,德布迪夫·耶拿（Debdeep Jena）,慧丽格蕾丝·星:
全电场范围肖特基势垒反向电流的复合TE-TFE-FE模型。 1-2
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  - conf/drc/HoangDWKKQISWP22
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劳伦·黄,阿尔文·道斯,苏马亚·瓦希德,权继民（Jimin Kwon）,郑秀科,秦胜军,Mahnaz伊斯兰,克里希纳·C·萨拉斯瓦特,H.-S.Philip Wong先生,埃里克·波普:
ITO晶体管的偏置应力稳定性及其对介电性能的依赖性。 1-2
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马克·贾基松,杰瑞·杨致远,凯瑟琳·尼尔森,埃里克·波普,克里希纳·C·萨拉斯瓦特:
使用拉伸应力氮化硅覆盖层提高单层MoS2晶体管的迁移率。 1-2
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奥赞·雅卡尔,Burkay Uzlu公司,丹尼尔·施耐德,安妮卡·格兰德曼,塞伦·贝克尔,扬·S·尼豪斯,亨德里克·施利克,迈克尔·休肯,霍尔格·卡利什,安德烈·维斯坎,王振兴,马克斯·克里斯蒂安·莱姆:
柔性衬底上的MoS2/量子点混合光电探测器。 1-2
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大米顺伊奇罗（Shun’ichiro Ohmi）,井原昭夫,田沼正男,Jooyoung Pyo公司,钟文信:
用于模拟存储器应用的带有铁电HfN的MFSFET。 1-2
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S.S.Teja Nibhanupudi公司,德米特里·维克斯勒,阿努帕姆·罗伊,马修·库宾,凯文·马修斯,杰米·沃纳,Gennadi Bersuker公司,杰德普·库尔卡尼,桑杰·班纳吉:
二维六角氮化硼电阻存储器件中亚纳秒开关的实验演示。 1-2
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王宝元,金雅素,吴天利:
在混合定向硅基绝缘体（SOI）衬底上生长图形化GaN RF MIS-HEMT的演示。 1-2
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  - conf/drc/IslamMDLGSWSDTL22
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艾哈迈德·伊斯兰,亚当·米斯尔,M.迪茨,凯文·李迪,S.神经节,G.Subramanyam公司,王伟松,尼古拉斯·塞佩拉克,丹尼尔·德莱顿,斯蒂芬·泰特拉克,凯尔·J·利迪,安德鲁·格林,凯尔森·D·查巴克:
（010）β-Ga2O3衬底上ALD生长的SiO2和Al2O3的热稳定性。 1-2
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  - conf/drc/JoishiKRLR22
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钱丹·乔西,Nidhin Kurian Kalarickal公司,瓦希杜尔·拉赫曼,吴璐,西德哈斯·拉詹:
用于毫米波应用的超宽带隙半导体晶体管。 1
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  - conf/drc/PariharHWIC22
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Shivendra Singh Parihar公司,Jun Z.Huang（黄军）,王伟科,木村和彦,Yogesh Singh Chauhan先生:
5nm技术节点FinFET的自加热特性和建模。 1-2
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  - conf/drc/DabhiPSH22
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车坛K.达比,吉里什·帕瓦,赛义夫·S·萨拉赫丁,胡正明:
基于GIDL的陷阱辅助隧道的紧凑模型。 1-2
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  - conf/drc/YuSDLSSZC22
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水清余,格雷戈里·萨拉莫,魏都,李宝华,格雷格·孙,理查德·索里夫,张永行,郭恩昌:
用于All-Group-IV光子学的SiGeSn技术。 1-2
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陈英晨,贾斯汀·斯托弗,法维安·维拉努埃瓦,乔丹·贝弗利:
环境对嵌入式NVM应用程序的可重编程只读无选择存储器的影响。 1-2
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宋金阳,弗兰克·马卡尔,保罗彼得森,杰森·阿利克帕拉,克里斯托弗·卢思,桑杰·库马尔·巴纳吉,安德烈亚斯·罗斯勒,德吉·阿金万德:
基于单层氮化硼的D波段频率记忆开关。 1-2
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托马斯·米科拉吉克,乌韦·施罗德,斯特凡·斯莱萨泽克:
利用氧化铪释放集成铁电器件的潜力。 1-2
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阿尼尔班·卡尔,斯瓦普娜·萨克,阿维鲁普·达斯古普塔,Yogesh Singh Chauhan先生:
圆角对先进技术节点GAA纳米片FET中量子限制的影响。 1-2
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Mazharul Islam马里兰州,沙米乌尔·阿拉姆,尼基尔·舒克拉,艾哈迈杜拉·阿齐兹:
超导纳米线低温振荡器的设计空间分析。 1-2
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朱利奥·加尔德里西,托马斯·米科拉吉克,Jens Trommer公司:
稳健的可重构场效应晶体管工艺路线，支持硬件安全应用的多V T器件制造。 1-2
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菲利普·纽德克,大卫·J·斯普里,迈克尔·克拉索夫斯基,陈良玉:
通向现实ASIC电子产品部署到以前不现实的极端应用环境的道路。 1-2
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内尔·查特吉,亚当·魏德林（Adam M.Weidling）,莎拉·斯威舍:
光子固化：塑料上氧化物薄膜晶体管的快速热处理。 1-2
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米尔·蒙塔西尔·侯赛因,普拉蒂乌斯·潘迪,阿基夫·阿布拉尔,卡拉·冈萨雷斯-塞拉诺,特德·莫伊斯,罗德里格斯,K.R.Udayakumar公司,苏曼·达塔,艾伦·C·西博:
揭示铁电存储器中极化连续性的脉冲电流-电压协议：对部分状态存储的启示。 1-2
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詹姆斯·斯潘塞·伦德,汉纳·N·马斯滕,小平佐佐木,阿兰·雅各布斯,哲程,约瑟夫·斯宾塞,陈雷（Lei Chen）,詹姆斯·C·加拉格尔,安德鲁·科勒,凯塔·科尼西,塞缪尔·格雷厄姆,黑田明,卡尔·霍巴特,马克·塔杰尔:
用于下一代功率器件近结热管理的AlN封端P-（AlxGal-x）2O3/Ga2O3异质结构场效应晶体管。 1-2
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苏珊娜·霍夫曼-艾弗特:
用于神经形态计算的基于HfO2的纳米级忆阻器件。 1-2
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苏马亚·瓦希德,阿尔文·道斯,权继民（Jimin Kwon）,秦胜军,郑秀科,克里希纳·C·萨拉斯瓦特,H.-S.Philip Wong先生,埃里克·波普:
顶部镀膜ITO晶体管的首次演示：通道钝化的影响。 1-2
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沙米乌尔·阿拉姆,Mazharul Islam马里兰州,Shafayat Hossain医生,凯尼,维杰里什南·纳拉亚南,艾哈迈杜拉·阿齐兹:
基于铁电SQUID和加热器低温管的低温存储阵列。 1-2
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拉格文德拉·丹吉,阿赫蒂沙姆·潘普里,Pragya Kushwaha公司,埃克塔·雅达夫,桑塔努·辛哈,Yogesh Singh Chauhan先生:
GaN HEMT的宽标度SPICE紧凑模型，包括自噬效应。 1-2
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宫崎富久,田中高久,伊藤义木,井川正之（Masayuki Ichikawa）,中川淑雅,石黑博树,坂本俊寿,穆内希罗·塔达,Ken Uchida先生:
65-nm块状低温CMOS晶体管中浅杂质在4K下电离时间长导致瞬态模式下漏电流增强。 1-2
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苏里拉·古格拉尼,阿维鲁普·达斯古普塔,明彦高,胡正明,Sourajeet Roy公司:
用于14nm FinFET的有效设计空间探索的人工神经网络代理模型。 1-2
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李可欣,松田隆志,Eiji Yagyu公司,Koon Hoo Teo公司,Shaloo Rakheja公司:
掺铁和掺碳缓冲层GaN HEMT中的陷阱现象。 1-2
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巴瓦尼·尚卡尔,柯曾,布伦丹·冈宁,拉斐尔·佩雷斯·马丁内斯,孟传哲,杰克·弗利克,安德鲁·宾德,杰瑞米·雷·迪克森,罗伯特·卡普拉,斯拉班蒂·乔杜里:
UIS应力下垂直GaN P-N二极管中电流丝的运动及其对雪崩稳定性的影响。 1-2
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巴纳雷拉,昆汀·斯梅茨,Devin Verreck公司,汤姆·施拉姆,戴尔·科特,I.阿瑟伯格,本·卡泽尔:
300mm集成双栅WS2场效应晶体管中BTI的分析。 1-2
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金圣贤（Sanghyeon Kim）,林金哈,Joonsup垫片,大明根:
基于Ge的中红外集成光子学传感平台。 1-2
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维沙克·塔莱萨拉,张宇轩,Junao Cheng先生,赵宏平,吴璐:
高介电常数GaN二极管的击穿电压增强。 1-2
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杰夫什·库马尔,马扬克·施里瓦斯塔瓦:
氩气和氮气对石墨烯装置真的是惰性的吗？ 1-2
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郑旺（音）,Nujhat Tasneem公司,杭晨,施蒙于（Shimeng Yu）,温斯顿·切尔,阿西夫·伊斯兰·汗:
铁电器件中电子开关提高了耐用性。 1-2

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