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.2008年12月;8(12):4670-4.
doi:10.1021/nl8026795。

纳米结构p型硅锗块体合金中增强的热电特性

附属公司

纳米结构p型硅锗块体合金中增强的热电特性

吉里·乔西等。 Nano Lett公司. 2008年12月.

摘要

在p型纳米结构体硅锗(SiGe)合金中实现了0.95的无量纲热电比容(ZT),比目前在航天飞行任务中使用的材料高出约90%,比p型SiGe合金中的记录高出50%。这些纳米结构块体材料是通过使用机械合金纳米粉的直接电流诱导热压制成的,机械合金纳米粉末最初是通过商业级硅和锗块体与硼粉的球磨合成的。ZT的增强是由于纳米结构晶界处声子散射的增加以及高温下功率因数的增加导致热导率的大幅降低。

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