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1990;37(6):543-50.
doi:10.1109/58.63111。

表面分子吸附和解吸引起的谐振器频率波动模型

附属公司

表面分子吸附和解吸引起的谐振器频率波动模型

Y K Yong先生等。 IEEE Trans Ultrason铁电体频率控制 1990

摘要

利用吸附分子的质量负载效应原理,研究了分子在平板电极上吸附和解吸引起的谐振频率波动。这项研究是基于一个525 MHz的AT切割石英谐振器,该谐振器封装在一个小的晶体支架中。推导了晶体支架表面吸附速率与压力之间的关系方程,发现其为吸附速率的二次多项式函数。基于这些方程的计算表明,当温度变化时,具有较高解吸能量的污染物气体会产生较大的压力变化。描述因任何一个污染物位置引起的频率波动的函数是一个连续时间马尔可夫链。推导了马尔可夫链的Kolmogorov方程和自相关函数。推导了谐振腔频率起伏的自相关函数和谱密度函数。研究了1Hz频率波动的光谱密度与压力、温度和分子解吸能的关系。发现含有一种分子的污染气体的噪声级在低解吸能量下较低,在低压力下较高。

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