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.2015年10月;22(10):1714-26.
doi:10.1038/cdd.2015.26。 Epub 2015年5月1日。

DRAM-3调节自噬并促进缺乏葡萄糖的细胞存活

附属公司

DRAM-3调节自噬并促进缺乏葡萄糖的细胞存活

M rschtik女士等。 细胞死亡差异. 2015年10月.

勘误表in

摘要

大自噬是一种膜运输过程,将细胞质成分输送到溶酶体进行降解。这一过程是在基本条件下进行的,作为一种机制来转换受损或错误折叠的蛋白质和细胞器。因此,它在保持细胞完整性和生存能力方面发挥着重要作用。除了这一基本功能外,还可以调节大自噬以应对各种形式的细胞应激,并且可以调整大自噬的速率和负荷,以促进特定情况下的适当细胞反应。宏观自噬机制由一组进化上保守的自噬相关(ATG)蛋白和其他一些自噬调节器调节,这些自噬调控器要么具有组织限制性表达,要么在特定环境下运作。我们在这里报道了一种新的自噬调节器的特性,我们称之为DRAM-3,因为它与损伤调节自噬调制器(DRAM-1)具有显著的同源性。DRAM-3在广泛的正常组织和肿瘤细胞中表达,但与DRAM-1不同,DRAM-3不是由p53或DNA损伤剂诱导的。免疫荧光研究表明,DRAM-3定位于溶酶体/自溶体、内体和质膜,但不定位于内质网、吞噬细胞、自噬体或高尔基体,表明与DRAM-1定位和与大自噬相关的细胞器有显著重叠。在这方面,我们进一步证明DRAM-3的表达在基础条件下导致自噬体的积累并增强自噬通量。反过来,CRISPR/Cas9介导的DRAM-3的破坏会损害自噬流量,从而证实DRAM-3是宏观自噬的调节剂。由于大自噬在饥饿条件下具有细胞保护作用,我们还测试了DRAM-3是否可以促进营养缺乏时的存活。这表明DRAM-3可以抑制细胞死亡,并促进在缺乏葡萄糖的情况下生长的细胞的长期克隆存活。然而,有趣的是,这种作用是与宏观自噬无关的。总之,这些发现构成了DRAM-3作为宏观自噬和饥饿条件下细胞存活调节器的主要特征。

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数字

图1
图1
DRAM-3在各种人体组织和癌细胞系中表达。()DRAM-3和DRAM-1的对齐。DRAM-3在氨基酸水平上与DRAM-1有30%的相同性和43%的相似性。(b条)DRAM-3的示意图。DRAM-3预计编码233-aa蛋白,具有六个假定的跨膜结构域和一个预测的N末端信号肽。(c(c))DRAM-3 mRNA在不同组织中的表达不同。Origene TissueScan人类正常cDNA阵列的qRT-PCR产物,在2%琼脂糖凝胶上使用针对DRAM-3的Origene引物。(d日)定量qRT-PCR(c(c)). GAPDH被用作标准。(e(电子))一组癌细胞系中DRAM-3 mRNA的表达。通过qRT-PCR获得的结果。所有数值均测量为三倍,并归一化为18S RNA。红线表示qRT-PCR的检测限。((f))一组癌细胞系中DRAM-1 mRNA的表达。通过qRT-PCR获得的结果。所有数值均为三倍,并归一化为18S RNA。所有数值均高于检测限
图2
图2
DRAM-3在选定癌细胞系中的表达调控。()添加和不添加强力霉素的Saos-2 tet-on p53细胞的Western blot。强力霉素以时间依赖的方式诱导p53。(b条)DRAM-3不是由p53诱导的。在Saos-2 tet-on p53细胞中,添加强力霉素后不会诱导DRAM-3 mRNA,而DRAM-1 mRNA上调。通过qRT-PCR获得的结果。所示数据来自三个独立的实验,并绘制为平均值;误差条为S.E.M(c(c),d日)p53-null Saos-2细胞DRAM-3 mRNA水平对各种刺激的反应分析(c(c))或p53野生型U2OS细胞(d日). 通过qRT-PCR获得的结果。显示的值是相对于控制的,控制被规范化为1。所示数据来自三个独立的实验,并绘制为平均值;误差条为S.E.M(e(电子),(f))p53-null Saos-2细胞DRAM-1 mRNA水平对各种刺激的反应分析(e(电子))和p53野生型U2OS细胞((f)). 通过qRT-PCR获得的结果。显示的值是相对于控制的,控制被规范化为1。所示数据来自三个独立的实验,并绘制为平均值;误差条为S.E.M(c(c)(f))不含10%透析FBS的葡萄糖培养基
图3
图3
DRAM-3适用于多种蜂窝隔间(d日). 外源DRAM-3部分位于自噬体标记LC3B附近(),早期内体标记EEA1(b条),溶酶体标记LAMP2(c(c))和肌动蛋白涂层凹坑(d日). 肌动蛋白染色使用磷灰石红进行α-Myc-Tag抗体。免疫荧光分析在Zeiss 710共聚焦显微镜上进行,×63物镜。(e(电子))含有DRAM-3的小泡与活细胞中含有Rab5的小泡紧密结合。通过磷酸钙转染将GFP标记的DRAM-3和RFP标记的早期内体标记物Rab5共同转染到Saos-2细胞。在Andor旋转盘共焦系统上至少2天后进行肝细胞成像。((f))含有DRAM-3的小泡部分位于活细胞中含有Rab7的小泡附近。通过磷酸钙转染将GFP标记的DRAM-3和RFP标记的晚期内体标记物Rab7共同转染到Saos-2细胞。在Andor旋转盘共焦系统上至少2天后进行肝细胞成像。()外源性DRAM-3不与高尔基体标记GM130共定位。免疫荧光分析在Olympus FV1000共聚焦显微镜上进行,×60物镜。(小时)外源性DRAM-3与内质网标记Calnexin不共定位。免疫荧光分析在Olympus FV1000共聚焦显微镜上进行,共聚焦显微镜×60物镜
图4
图4
DRAM-3不影响凋亡细胞死亡或细胞生长过程。()DRAM-3过表达不会诱导细胞凋亡。用强力霉素处理Saos-2 Tet-On DRAM-3细胞48h,并通过FACS分析Sub-G1含量(凋亡死亡的可靠测量)。所示数据来自三个独立的实验,并绘制为平均值。误差条代表S.E.M.进行统计分析t吨-测试。(b条)强力霉素处理Saos-2 Tet-On DRAM-3细胞后强烈诱导DRAM-3表达。用强力霉素诱导细胞24、48和72h、 并进行western blot分析以确保DRAM-3的表达。多西环素诱导的结构与Myc-His标签融合α-使用Myc标签抗体检测外源蛋白。(c(c))通过Saos-2 EcoR细胞的嗜生性病毒感染产生稳定过度表达DRAM-3-Myc-His的细胞。通过qRT-PCR三次测量DRAM-3过度表达的程度,并将DRAM-3测量值归一化为18S RNA。数据表示平均值。误差线为S.D(d日)Saos-2 pWZL DRAM-3细胞表达DRAM-3蛋白。通过western blot,使用α-Myc-tag抗体。(e(电子))稳定过度表达DRAM-3的Saos-2细胞不会出现增殖缺陷。DRAM-3过表达细胞和对照细胞在指定的天数内计数三倍,并生成6天的生长曲线。((f))用表达DRAM-3的逆转录病毒构建物(pWZL)感染Saos-2细胞不会影响标准生长条件下的克隆形成存活。选择后1周,低密度接种Saos-2 pWZL和pWZL-DRAM-3细胞
图5
图5
DRAM-3过度表达影响自噬过程。()在稳定过度表达DRAM-3的细胞中,LC3B puncta水平增加。用对照或饥饿培养基(EBSS)处理Saos-2细胞2h,免疫荧光检测。在Zeiss 710共聚焦显微镜上用LC3B特异性抗体在×63物镜下观察内源性自噬体。(b条)量化(). 免疫荧光堆栈以最大强度叠加,并使用图像J测量LC3B点相对于细胞面积的面积。每种情况下12个细胞的量化。学生的t吨-测试作为统计分析进行,图中的条形图表示平均值;错误为S.D。纳秒P(P)>0.05; **P(P)<0.01. (c(c))在正常生长条件下,DRAM-3过表达增加LC3-II水平。稳定过度表达DRAM-3的Saos-2细胞受到1或2h EBSS饥饿或补充10%FBS和谷氨酰胺的DMEM。(d日)DRAM-3过表达增加自噬流量。对稳定过度表达DRAM-3的Saos-2细胞进行5μM氯喹治疗(CQ)2小时(e(电子))DRAM-3过度表达加速了细胞有丝分裂。用12.5μM CCCP在24小时内两次h期,然后通过western印迹分析线粒体数量,使用α-COX IV抗体。((f))DRAM-3过表达调节不同细胞系中的自噬流量。对稳定过表达DRAM-3的MDA-MB-231细胞进行1或2次h EBSS饥饿或补充10%FBS和谷氨酰胺的DMEM。()DRAM-3过表达增加了不同细胞系的自噬通量。对稳定过度表达DRAM-3的MDA-MB-231细胞进行5μM氯喹治疗(CQ)2小时
图6
图6
德拉姆-3破坏并不影响吞噬体、自噬体和溶酶体的数量或定位。()lentCRISPR破坏DRAM-3(DRAM-3)在Saos-2细胞中。对感染含有慢病毒对照(GFP)或DRAM-3靶向结构的Saos-2细胞的基因组DNA进行CRISPR诱导的DNA移码测序。(b条)lentCRISPR细胞有效地灭活外源性DRAM-3-GFP的表达。将含有靶向GFP或DRAM-3的lentCRISPR结构的Saos-2细胞转染10μg DRAM-3-GFP质粒,转染2天后收集进行western blot分析。(c(c))DRAM-3基因敲除细胞饥饿自噬反应分析。Saos-2 DRAM-3被破坏,对照细胞被EBSS饥饿1-2次小时(d日)DRAM-3中断后,自噬通量降低。Saos-2 DRAM-3被破坏,对照细胞被+/-添加5μM氯喹(一种自噬流量的抑制剂)。(e(电子))与自噬相关的细胞结构(吞噬细胞、自噬小体和自溶小体/溶酶体)的外观在DRAM-3破坏时没有改变。Saos-2 DRAM-3被破坏,对照细胞生长在盖玻片上,并用LC3B和WIPI2或LAMP2抗体进行免疫荧光分析。成像在带有×63透镜的蔡司LSM710显微镜上进行
图7
图7
DRAM-3促进葡萄糖饥饿后的存活。()DRAM-3过度表达可提高葡萄糖饥饿后克隆形成存活率。将稳定过度表达DRAM-3或对照构建物(pWZL)的Saos-2细胞置于DMEM无葡萄糖培养基+2%透析FBSh将饥饿培养基与生长培养基交换,使细胞恢复2–3天,然后用Giemsa染色。(b条)量化(). 三个实验量化了细胞所占面积的百分比。一对学生的t吨-测试作为统计分析进行,图中的条形代表平均值;错误是S.E.M**P(P)<0.01。(c(c))DRAM-3过表达可防止葡萄糖饥饿后细胞死亡。将稳定过度表达DRAM-3或对照构建物(pWZL)的Saos-2细胞置于DMEM无葡萄糖培养基+2%透析FBSh收集细胞并与碘化丙啶(PI;5)孵育μg/ml)30min,然后分析FACS Calibur上的PI摄取。五次实验的结果以平均值显示,一式三份;误差条是S.E.M.使用学生的t吨-测试*P(P)<0.05 (d日)葡萄糖饥饿后的细胞死亡并不涉及Saos-2细胞中的DNA断裂。将稳定过度表达DRAM-3或对照构建物(pWZL)的Saos-2细胞置于DMEM无葡萄糖培养基+2%透析FBSh收集细胞,固定并进行细胞周期分析。G1亚组分表明DNA片段化,这是细胞凋亡的标志。三次实验的结果一式三份。(e(电子))添加10%透析血清和丙酮酸钠不会影响DRAM-3对葡萄糖饥饿诱导的细胞死亡的作用。将稳定过度表达DRAM-3或对照构建物(pWZL)的Saos-2细胞置于DMEM无葡萄糖培养基+10%透析FBS+0.11g/l丙酮酸钠。48岁之后h收集细胞,并与碘化丙锭(5μg/ml)30min,然后分析FACS Calibur上的PI摄取。三次实验的结果以平均值显示,一式三份;误差条是S.E.M.使用学生的t吨-测试**P(P)<0.01 ((f))在葡萄糖饥饿培养基中加入氯喹可阻断自噬流量。在全DMEM或无葡萄糖培养基中添加10微摩尔氯喹,补充2%的透析FBS,以阻止自噬体的周转。24天后采集蛋白质样本h并进行western印迹处理。()用氯喹阻断自噬并不能消除葡萄糖缺乏条件下DRAM-3过度表达的影响。24天后收集细胞进行PI排除FACS分析h.显示的数据来自四个独立实验,以平均值表示;误差条是S.E.M.学生的t吨-进行统计学分析*P(P)<0.05;纳秒P(P)>0.05

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