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不对包含Cu和low-k膜的各层间绝缘膜给予化学的损坏,是CMP后的weha上残留了的金属杂质,partikuru,有机物能高效地洗净的CMP后洗净液。


产品一览

产品名称 应用程序 分类 特征
CMP-M02 Cu-CMP
W-CMP
酸性 ・酸性组成的标准品
・高金属杂质去除性
CMP-M200系列 W-CMP 酸性 ・高有机残渣去除性
・实现了除去微小分区
CMP-M300系列
(开发品)
Cu-CMP
W-CMP
酸性 ●比CMP-M02高的分区去除性
 CMP-B200系列 Cu-CMP
Co-CMP
碱性 ・高有机残渣去除性
●对应各种防护金属(Ta,Ti,Co等)
 CMP-B300系列 绝缘膜-CMP 酸性 ・高CeO2打圈除去性
・W伤害抑制
CMP-ML系列
(开发品)
Co-CMP 弱酸性
弱碱性
・特化Co上的有机残渣除去性


特征

CMP-M02
  • CMP-M02可作为Cu-CMP、W-CMP后清洗液使用。
  • 是晶片上的金属杂质的除去能力高的产品。
  • 其他的配线材料等几乎不给予伤害。

 CMP-M02①初始状态.jpg  CMP-M02③30倍稀释.jpg CMP-M02④50倍稀释.jpg 

初始状态

稀释三十倍

稀释五十倍

CMP三围墙强制污染的晶片表面清洗状态(分区大小:>100nm)


CMP-M200系列
  • CMP-M200系列是W-CMP后用洗涤液。
  • 是SiN上的微小聚会,有机残渣除去能力高的产品。
  • 其他的配线材料等几乎不给予伤害。

CMP-M205.jpg
 
CMP后清洗液后的效果图(SiN粘膜)



CMP-B200系列
  • CMP-M200系列是W-CMP后用洗涤液。
  • 是SiN上的微小聚会,有机残渣除去能力高的产品。
  • 其他的配线材料等几乎不给予伤害。

CMP-B210.jpg

CMP后清洗液后的效果图(SiN粘膜)


CMP-B300系列
  • CMP-B300系列是护垫用的CMP后洗净液。
  • 是ILD-CMP,STI-CMP后的CeO2砂轮粒的除去能力非常高的产品。
  • 与DHF相比,对绝缘膜的损坏非常少。

CMP-B310.jpg

CMP后清洗液表面Ce金属浓度






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