四名工程师和IEEE研究员因在图像传感器方面的重大创新而获得了100万英镑的奖金伊丽莎白女王工程奖.诺贝尔奖赢家乔治·E·史密斯和迈克尔·汤普塞特获得电荷耦合器件（CCD）成像仪，与Nobukazu Teranishi共同获奖，Nobukazzu Teranishi通过发明固定光电二极管和埃里克·R·福森他发明了CMOS成像仪，这项技术在大多数应用中取代了CCD，并允许智能手机和其他移动设备中的摄像头大量增加。
在一个电荷耦合器件，每个像素都是一个势阱。落在像素上的光通过光电效应转化为电荷。电荷在井内累积，然后从井到井推动，直到到达测量电荷量的电路，并生成电荷的数字表示。
这个奖项对汤普塞特来说一定特别甜蜜，因为他错过了2009年的诺贝尔CCD成像仪奖。1969年发明时，史密斯是Tompsett在贝尔实验室的老板。史密斯和已故的威拉德·博伊尔在试图发明一种新的存储器时发明了CCD。史密斯说，这项发明在成像方面的应用是显而易见的，但实际上是汤普塞特促成了这一点。
IEEE研究员尤金·戈登（Eugene I.Gordon）告诉我们：“如果不是迈克的坚持不懈，贝尔实验室就不会对CCD进行任何成像工作。”IEEE综览2009年。当CCD发明时，Gordon为Boyle工作，他是Smith的主管。(尤金·戈登他对CCD的发明提出了自己的主张波义耳以及史密斯强烈否认。）
作为IEEE综览当时的解释是：
20世纪70年代，托姆普塞特（Tompsett）管理贝尔实验室的CCD小组，是美国专利号4085456“电荷转移成像设备”中列出的唯一发明人。该专利于1971年申请，涵盖线性扫描仪和区域成像仪。
Tompsett的关键发明是一种称为帧传输的方案。本发明解决了将CCD用作成像仪的一个大问题：即使读出每一行像素，CCD仍会继续感应光线并收集电荷，从而沿着电荷转移的方向涂抹图像。Tompsett的想法是将整个CCD结构复制到芯片上未暴露于图像的部分。他找到了一种方法，可以快速将成像CCD中收集的电荷转移到隐藏的CCD中。然后从隐藏的CCD读出图像，而成像侧拍摄另一张照片。
汤普塞特拍摄了第一张公开的CCD图像，这张照片是他妻子玛格丽特·汤普赛特博士的照片，登上了数码产品杂志。
这个钉扎光电二极管-Teranishi于1980年在NEC发明，但直到1984年才被命名为像素中的吸光结构，它解决了早期CCD的许多问题，并保留在后来的CMOS成像器中固定光电二极管IEEE电子器件学会杂志[PDF]于2014年发布。Teranishi自己的评论于2016年出版IEEE电子器件汇刊）
的像素CMOS成像器比CCD成像仪更复杂，因为每个成像仪都有自己的放大器。福苏姆的任务是设计微型摄像机系统，他发明了这种电路，1992年在美国宇航局喷气推进实验室称之为CMOS有源像素传感器。随着光刻技术的改进和投资的涌入，CMOS逐渐取代了CCD，并允许相机芯片安装在低功耗的小型设备中。根据颁奖公告，每秒制作100个新的CMOS图像。
