超导体热涨落的一般插值方案

L.Marotta、M.Camarda、G.G.N.Angilella和F.Siringo
物理学。版本B73,104517–2006年3月29日出版

摘要

我们提出了超导体热涨落现象学效应的一般插值理论。对于Ginzburg-Landau静态模型,涨落由高斯有效势的简单规范不变扩展来描述。该方法被证明是一种真正的变分方法,并且对于Landau规范周围的无穷小规范变化是稳定的。根据所考虑的材料类别,相关长度和穿透长度在临界状态以下的较大温度范围内偏离平均场行为。该方法非常通用,对于非常不同的材料,可以很好地插值实验数据。

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  • 收到日期:2005年7月25日

DOI(操作界面):https://doi.org/10.103/PhysRevB.73.104517

©2006美国物理学会

作者和附属机构

L.马洛塔,M.卡马达,G.G.N.安吉列拉、和F.Siringo公司

  • 卡塔尼亚大学科学与天文学研究生院、卡塔尼亚国家科学研究所、MATIS-INFM实验室和CNISM Sez。意大利卡塔尼亚I-95123,Via S.Sofia 64,di Catania

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第73卷,第。2006年3月10日至1日

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