晶体生长中的双向脉冲混沌控制

无缺陷的单晶硅晶体对集成电路行业至关重要。单晶硅晶体拉拔器柔性轴旋转提升系统中的混沌摆动对晶体质量造成危害，在晶体生长过程中必须加以抑制。从控制系统的观点来看，FSRL系统的约束可以概括为没有可测量的状态变量用于状态反馈控制，并且只有一个参数可以操作，即转速。从应用方面来看，一个额外的限制是控制应尽可能少地影响结晶物理生长过程。这些约束使得FSRL系统中的混沌抑制成为一项具有挑战性的任务。在这项工作中，利用摄动分析导出了FSRL系统摆动的解析周期解。然后提出了一种双向脉冲控制方法来抑制混沌。此控制方法不会改变平均转速。因此，与单向脉冲控制相比，结晶过程是最佳的。仿真结果验证了所提混沌控制方法对参数不确定性的有效性和鲁棒性。