×

多孔{111}和{100}硅表面外延生长的三维模型。 (英语) Zbl 0994.82563号


MSC公司:

82C80码 时间相关统计力学的数值方法(MSC2010)
80A22型 Stefan问题、相位变化等。
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
全文: 内政部

参考文献:

[1] 佐藤,N。;Sakaguchi,K。;山形县。;Y.藤山。;Yonehara,T.,J.电子化学。《社会学杂志》,1423116(1995)
[2] 罗曼诺夫,S.I。;马沙诺夫,V.I。;Sokolov,L.V。;古塔科夫斯基,A。;Pchelyakov,O.P.,应用。物理学。莱特。,75, 4118 (1999)
[3] Yasumatsu,Y。;伊藤,T。;西泽,H。;Hiraki,A.,应用。冲浪。科学。,48/49, 414 (1991)
[4] Novikov,P.L。;Aleksandrov,L.N。;Dvurechensky,A.V。;齐诺夫,V.A.,JETF Lett。,67、512(1998),(俄语)
[5] 托瑞,J.D。;医学博士鲁哈尼。;马利克,R。;Esteve,D。;Landa,G.,J.应用。物理。,84, 5487 (1998)
[6] Neizvestny,I.G。;Shwartz,N.L。;Yanovitskaja,Z.Sh。;Zverev,A.V.,《固体薄膜》,380,61(2000)
[7] Neizvestny,I.G。;Shwartz,N.L。;Yanovitskaja,Z.Sh。;Zverev,A.V.,《半导体》,35,1022(2001)
[8] Natori,A。;M.巴巴。;Maruyama,N.,冲浪科学。,233, 392 (1990)
[9] Boland,J.J.,高级物理。,42, 129 (1993)
[10] Grube,H。;Boland,J.J.,《冲浪科学》。,407, 152 (1998)
此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配,可能包含数据转换错误。在某些情况下,zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献,而不要求完整或完全匹配。