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胡晓宇;刘崇信

简化记忆Hodgkin-Huxley神经元模型的动态特性分析和电路实现。 （英语） Zbl 1430.92005年

非线性Dyn。 97，第2期，1721-1733（2019）.
小结：本文分析了一种简化记忆霍奇金-霍克斯利（SMHH）神经元模型的动态特性，并根据数学方程设计了一个电路来完全实现它。SMHH神经元模型中的钠离子通道和钾离子通道可分别视为二阶记忆电阻器和一阶记忆电阻器。在不同的刺激下，SMHH神经元模型可以呈现尖峰或爆发活动。特别是，当周期性正弦电流施加在神经元上时，电活动表现为突发，并且其频率与外部强迫电流密切相关。随着周期性正弦电流刺激频率的增加，爆发活动的起始电流值先增大后减小，这与传统的神经自适应方法不一致。其潜在机制是离子通道忆阻器的频率依赖性影响SMHH神经元的阈值动态。此外，还设计了一个模拟电路来完全实现SMHH神经元模型。由于基于电导的神经元模型具有数学复杂性，因此为这种神经元模型设计的模拟电路很少，这表明，本文设计的电路单元将为研究基于电导的神经元的动力学乃至神经网络在电路级的集体行为提供极大的便利。

引用于5文件

MSC公司：

92B20型 用于/用于生物研究、人工生命和相关主题的神经网络
92C20美元 神经生物学
94C05（二氧化碳） 解析电路理论

关键词：

神经元模型;记忆电阻器;动态特性;电路实现
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
\textit{X.Hu}和\textit{C.Liu}，非线性动力学。97，第2期，1721-1733（2019；Zbl 1430.92005）
全文： 内政部

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