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冯·温克尔，G。；克里希纳，S。；E.A.库齐亚斯。

半导体异质结构的谱元建模。 （英语） Zbl 1140.82331号

数学。计算。建模 43，第5-6号，582-591（2006）.
摘要：我们提出了一种快速有效的谱方法，用于计算一维分段光滑势的本征值和本征函数，如外延生长半导体异质结构的情况。许多物理器件，如量子阱红外光电探测器和量子级联激光器依赖于束缚态和准束缚态或连续态之间的跃迁；因此，必须确定共振谱和束缚态。我们的方法不尝试近似辐射边界条件，而是使用奇异映射，并将坐标系变形为复杂平面中的轮廓，以构造完全匹配层的半无限元。我们表明，完全匹配的层单元不需要基于平滑的轮廓来吸收向外传播的波，并且谐振本征值可以按机器精度计算。还介绍了一种在谱域中用正交精度快速计算量子力学算符内积和期望值的方法。

引用于三文件

MSC公司：

82天37分 半导体统计力学
65号35 偏微分方程边值问题的谱、配置及相关方法

关键词：

一维薛定谔方程；特征值问题；光谱法；复坐标缩放；半导体建模

软件：

ARPACK公司
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
\textit{G.Von Winckel}等人，《数学》。计算。建模43，编号5-61582-591（2006；Zbl 1140.82331）
全文： 内政部

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