维姆Schoenmaker；汉斯·格奥尔格·布拉赫滕多夫；凯·比特纳；凯伦·蒂申多夫；克里斯蒂安·斯特罗姆 EM方程，与热量和电路的耦合。 （英语） 兹比尔1441.78004 ter Maten，E.Jan W.（编辑）等，《纳米电子耦合问题解决方案》。查姆：斯普林格。数学。印第安纳州29，25-41（2019）。 小结：在本章中，我们将介绍本书余下部分所述系统的基本物理方程。考虑了两种耦合，特别是：（1）电磁场与电路的耦合；（2）功率晶体管中的电热耦合。这些案例并非详尽无遗，但通常用于确定解决耦合问题的通用准则。有关整个系列，请参见[Zbl 1433.78001号]. MSC公司： 78A25型 电磁理论（通用） 78A35型 带电粒子的运动 78-02 与光学和电磁理论相关的研究展览会（专著、调查文章） 94C05（二氧化碳） 解析电路理论 65升80 微分代数方程的数值方法 80甲19 扩散和对流传热传质、热流 35K05美元 热量方程式 60年第35季度 与光学和电磁理论相关的PDE 81年第35季度 与半导体器件相关的PDE 关键词：麦克斯韦方程组；本构关系；半导体；标量势；矢量电势；库仑计；洛伦兹压力计；基尔霍夫定律；电磁场与电路的耦合；功率晶体管中的电热耦合 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{W.Schoenmaker}等人，《数学》。Ind.29，25-41（2019年；Zbl 1441.78004） 全文： 内政部 参考文献： [1] 1.Al，G.，Culpo，M.，Pulch，R.，Romano，V.，Schöps，S.：PDEA建模与离散化。摘自：Günther，M.（Edt.）：《耦合多尺度模拟与优化》，《21世纪工业数学》，施普林格出版社，第15-102页，2015年·1330.00027兹罗提 [2] 2.Anile，A.M.、Nikiforakis，N.、Romano，V.和Russo，G.：半导体器件问题的离散化（II）。收录于：Schilders，W.H.A.和ter Maten，E.J.W.（编辑）：《电磁学中的数值方法》，第十三卷，《数值分析手册》，Elsevier B.V.，第443-522页，2005年·Zbl 1207.78001号 [3] 3.Baumanns，S.：耦合电磁场/电路模拟。建模和数值分析。科隆大学博士论文，2012年。 [4] 4.Brezzi，B.F.、Marini，L.D.、Micheletti，S.、Pietra，P.、Sacco，R.和Wang，S:半导体器件问题的离散化（I）。收录于：Schilders，W.H.A.和ter Maten，E.J.W.（编辑）：《电磁学中的数值方法》，第十三卷，《数值分析手册》，Elsevier B.V.，第317-4412005页·Zbl 1179.82150号 [5] 5.Chandra，R.：跨多个子系统领域具有热意识的半导体芯片设计。美国专利号US 74723632008。 [6] 6.Chauffleur，X.、Tounsi，P.、Dorkel，J.-M.、Dupuy，P.和Fradin，J.-P.：功率MOS芯片的非线性三维电热研究。In：程序。IEEE 2004 BCTM，加拿大蒙特利尔，第156-1592004页。 [7] 7.Denison，M.、Pfost，M.，Pieper，K.-W.、Märkl，S.、Metzner，D.和Stecher，M.：非均匀电流分布对集成DMOS晶体管热SOA的影响。In：程序。ISPSD，日本北九州，2004年5月。 [8] 8.Digele，G.、Lindenkreuz，S.和Kasper，E.：全耦合动态电热模拟。IEEE超大规模集成电路系统传输，第5（3）页，250-2571997年9月。 [9] 9 此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配，可能包含数据转换错误。在某些情况下，zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献，而不要求完整或完全匹配。