邹，J.P。;王立杰。;田·L·L·。;于振平。 Ge 2DHG沟道中栅诱导自旋进动的建模。 （英语） Zbl 1118.81482号 物理学。莱特。，一个 322，第3-4号，179-185（2004）. 摘要：利用蒙特卡罗输运模型研究了Ge二维空穴气体（2DHG）通道中的栅诱导自旋进动。由自旋-位耦合引起的Rashba进动矢量由散射事件随机化，导致通道中初始自旋极化空穴布居的自旋相干损失不容忽视。然而，蒙特卡罗模拟的结果表明，通过在液氮温度下操作或使用窄的二维通道，可以有效地保持自旋相干。此外，漏电流的栅控自旋效应导致跨导大幅提高，或产生负跨导效应。 MSC公司： 82C70码 含时统计力学中的输运过程 关键词：自旋场效应晶体管;自旋位耦合;蒙特卡罗输运模型 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit｛J.P.Zou｝等人，Phys。莱特。，A 322，编号3--4，179-185（2004；Zbl 1118.81482） 全文： 内政部 参考文献： [1] 拉什巴，E.I.，Sov。物理学。固态，21109（1960） [2] Yu Bychkov。答：。；拉什巴，E.I.，Sov。物理学。JETP信函。，第39、78页（1984年） [3] 达塔，S。；Das，B.，应用。物理学。莱特。，56, 665 (1990) [4] Th.Schapers。；恩格斯，G。；兰格，J。；科洛克，Th。；霍尔菲尔德，M。；Lüth，H.，J.应用。物理。，83, 4324 (1998) [5] J.尼塔。；Akazaki，T。；Takayanagi，H。；Enoki，T.，Phys等人。修订稿。，78, 1347 (1997) [6] Bournel，A。；多尔夫斯，P。；加尔丁，S。；穆萨勒姆，F.X。；Hesto，P.，固态通讯。，104, 85 (1997) [7] 安德里夫斯基，V.V。；Yu Komnik。F、。；Myronov，M。；米罗诺夫，O.A。；Rozheshchenko，A。；Whall，T.E.，Physica E，18，145（2003） [8] Gordon，J.P.，《物理学》。修订稿。，1, 368 (1958) [9] Dyakonov，M.I。；佩雷尔，V.I.，苏联。物理学。JETP，33，1053（1971） [10] 迪亚科诺夫，M.I。；佩雷尔，V.I.，苏联。物理学。固态，13023（1972） [11] Elliott，R.J.，物理学。修订版，96、266（1954年）·兹比尔0056.45205 [12] Yafet，Y.（Seitz，F.；Turnbull，D.，固态物理，第14卷（1963年），学术：纽约学术出版社），1 [13] Bir，G.L。；Aronov，A.G。；Pikus，G.E.，苏联。物理学。JETP，42，705（1976） [14] Lommer，G。；Malcher，F。；美国罗斯勒，物理。修订稿。，60, 728 (1988) [15] Lommer，G。；Malcher，F。；美国罗斯勒，物理。修订版B，326965（1985） [16] Pfeffer，P。；扎瓦兹基，W.，Phys。B版，51，14332（1995） [17] Yu Bychkov。答：。；拉什巴，E.I.，J.Phys。C、 17、6039（1984） [18] 罗，J。；Munekata，H。；方，F.F。；Stiles，P.J.，《物理学》。B版，38，10142（1988） [19] 达斯，B。；密勒特区。；达塔，S。；Reifenberger，R。；Hong，W.P。；巴塔查亚，P.K。；辛格，J。；Jaffe，M.和Phys。B版，39，1411（1989） [20] 雅各布尼，C。；Lugli，P.（Selberherr，S.，半导体器件模拟的蒙特卡罗方法（1989），Springer-Verlag:Springer-Verlag纽约） [21] Bournel，A。；Delmouly，V。；多尔夫斯，P。；Tremblay，G。；Hesto，P.，Physica E，10，86（2001年） 此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配，可能包含数据转换错误。在某些情况下，zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献，而不要求完整或完全匹配。