秦,Z。;剂量,S。;北卡罗来纳州吉拉利。;塔巴洛克,B。 液相电外延的有限元模型。 (英语) Zbl 0863.76033号 国际期刊数字。方法工程。 38,第23号,3949-3968(1995). 采用自适应有限元方法对液相电外延生长过程进行了数值分析。作者考虑了复杂的相互作用流动、热质传递、电迁移和移动边界的热电效应。我们认为,与能量平衡相对应的界面条件是物理公式的要点。一些数值结果显示了各种生长机制的相对贡献。审核人:C.I.Gheorghiu(Cluj-Napoca) 引用于1文件 MSC公司: 76M10个 有限元方法在流体力学问题中的应用 76D99型 不可压缩粘性流体 76T99型 多相流和多组分流 关键词:移动边界;Boussinesq近似;复杂相互作用流;传热与传质;电迁移;温差电动势效应;界面条件 软件:LAPACK公司 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{Z.Qin}等人,《国际数学家杂志》。方法工程38,No.23,3949--3968(1995;Zbl 0863.76033) 全文: 内政部 参考文献: [1] Bryskiewicz,J.Crystal Growth 129 pp 429–(1993) [2] Bryskiewicz,J.Crystal Growth 82第279页–(1987) [3] 贾斯特泽巴斯基,J.Appl。物理学。第5909页第49页–(1978年) [4] 丹尼尔,J.Appl。物理学。第48页,第914页–(1977年) [5] Bryskiewicz,项目。晶体生长特性。第12页第29页–(1986年) [6] Takenaka,J.Crystal Growth 108第519页–(1991) [7] Bryskiewicz,J.应用。物理学。第68页,3018页–(1990年) [8] 鲍彻,J.Appl。物理学。第61页,第359页–(1984年) [9] “微重力条件下液相晶体生长的数学模型和计算机模拟研究”,最终报告,提交给加拿大航天局,1991年3月。 [10] Dost,国际工程科学杂志。第33页,1385页–(1995年) [11] 和,“GaAs电外延生长中的温度分布”,Proc。1992年SPACEBOUNd,加拿大渥太华,1992年,第53-58页。 [12] Dost,J.Crystal Growth 143第141页–(1994) [13] Djilali,J.Crystal Growth 149第153页–(1995) [14] 雅斯特泽巴斯基,J.Electrochem。Soc.123第1121页–(1976年) [15] Wilcox,J.Crystal Growth 65第133页–(1983年) [16] Ostrach,J.Fluids Eng.105第5页–(1983) [17] Zytkiewicz,J.晶体生长61第665页–(1983) [18] Bryskiewicz,J.Crystal Growth 43第567页–(1978) [19] 雅斯特泽巴斯基,J.Electrochem。Soc.125第1140页–(1978年) [20] 和,《有限元法》,第4版,McGraw-Hill,纽约,1989年。 [21] 和,“Navier-Stokes方程的原始变量与流函数有限元解”,载于《流体中的有限元》,第3卷,Wiley,Chichester,1978年,第73-87页。 [22] LAPACK用户指南,SIAM,费城,1992年·Zbl 0755.65028号 [23] Okamoto,J.应用。物理学。第53页,1706页–(1982) 此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配,可能包含数据转换错误。在某些情况下,zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献,而不要求完整或完全匹配。