北卡罗来纳州希施菲尔德。;维拉布兰卡。;J·克劳斯。;M.C.里瓦拉。 使用基于Lepp的算法改进用于半导体器件模拟的网格质量。 (英语) Zbl 1033.82003年 国际期刊数字。方法工程。 58,第2期,333-347(2003). 摘要:本文讨论了一种新的后处理算法,用于根据半导体器件模拟的需要,为Box-method(有限体积法)生成有效的Delaunay网格。在这种应用中,必须考虑以下要求:(i)在设备的关键区域,需要与电流流对齐的边缘(各向异性网格);(ii)禁止使用与边界/界面成钝角的边界和界面三角形;(iii)必须破坏设备内部的大钝角,(iv)应避免具有高顶点-边缘连接的内部顶点。通过从满足条件(i)的精细Delaunay网格开始,该算法根据输入公差参数\(\gamma\)和\(c\)生成完全满足条件(ii)并满足条件(iii)和(iv)的Delaunai网格,其中\(\gamma\)是最大角度公差值和\(c \)是最大顶点-边缘连接容差值。使用Lepp-Delaunay算法来破坏任何目标内部钝角三角形和任何目标的高顶点边连通性。通过最长的边平分或等腰三角形的生成来消除与边界和/或界面相对的钝角。Lepp-Delaunay算法通过在当前三角剖分的某些现有边中插入一些点,可以对输入网格进行自然改进。将显示在通过法线偏移方法生成的Delaunay约束网格上使用该算法的示例。还包括与Voronoi点插入后的正交细化方法的比较。 引用于1审查引用于5文件 MSC公司: 82-08 计算方法(统计力学)(MSC2010) 82天37分 半导体统计力学 关键词:Delaunay网格;非钝角边界网格;基于Lepp的算法;控制体积法;半导体器件模拟 软件:三角形 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{N.Hitschfeld}等人,国际期刊数字。方法工程58,编号2333-347(2003;Zbl 1033.82003) 全文: 内政部 参考文献: [1] 硅ULSI的综合半导体器件模拟。斯坦福大学博士论文,1990年。 [2] 使用球体填充控制体积网格:生成、细化和粗化。第五届国际网格圆桌会议论文集,宾夕法尼亚州匹兹堡,1996年;47-61. [3] 克劳斯,《国际工程数值方法杂志》49,第51页–(2000) [4] 三维半导体工艺模拟的网格生成算法。博士论文,ETH Zürich,微电子系列,第97卷。Hartung-Gorre Verlag:德国康斯坦茨,2000年。 [5] Conti,《国际工程数值方法杂志》37 pp 3211–(1994) [6] 三角形:设计一个2d质量的网格生成器和Delaunay三角剖分器。在应用计算几何第一次研讨会上,ACM(编辑),宾夕法尼亚州费城,1996年;124-133. [7] Rivara,《计算机辅助设计》,第33页,第263页–(2001年) [8] Hitschfeld,《国际工程数值方法杂志》55 pp 805–(2002) [9] Delaunay细化网格生成。1997年,卡内基梅隆大学博士论文。 [10] Ruppert,《算法杂志》第18期第548页(1995年) [11] 基于最长边算法的四面体网格划分。2001年8月1日至3日在美国密歇根州迪尔伯恩举行的USACM第六届美国计算力学全国大会上;318 此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配,可能包含数据转换错误。在某些情况下,zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献,而不要求完整或完全匹配。