GFET公司 swMATH ID: 35926 软件作者： 乔瓦尼·纳斯塔西；维托里奥·罗曼诺 描述： GFET的全耦合漂移-扩散-泊松模拟。石墨烯场效应晶体管（GFET），其中有源区由单层大面积石墨烯构成，模拟包括一个完整的2D泊松方程和一个漂移扩散模型，该模型的导纳由电荷输运的半经典Boltzmann方程的直接数值解导出，采用合适的间断Galerkin方法Romano等人（2015）、Coco等人（2017）、Coo等人（2019）、Majorana等人（2018）、，Coco和Nastasi（2020）[1-5]。结果在质量上与文献中已知的实验数据和其他模拟一致，并基于紧凑模型，其中存在一些启发式（例如，见Jiménez和Moldovan（2011），Upadhyay等人（2018）[6,7]）。GFET的关键问题是难以修复关闭状态，这需要精确校准栅极电压。在本文中，我们进一步证实了这一特性，这使得GFET不是后硅纳米电子技术的最佳器件。 主页： https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1007570420301325 关键词： 石墨烯；GFET公司；机动性模型；漂移扩散；间断伽辽金法 相关软件： 纳米TCAD ViDES 引用于： 7文件 标准条款 1出版物描述软件，包括1出版物以zbMATH为单位 年份 GFET的全耦合漂移-扩散-泊松模拟。 Zbl 1452.82036号乔瓦尼·纳斯塔西；维托里奥·罗曼诺 2020 5位作者引用 6 乔瓦尼·纳斯塔西 5 维托里奥·罗曼诺 2 维托·达里奥·卡米奥拉 2 乔瓦尼·马斯卡利 1 Liliana卢卡 全部的 前5名引用于6个系列 2 计算与理论输运杂志 1 马泰马蒂卡河 1 SIAM应用数学杂志 1 非线性科学与数值模拟中的通信 1 计算物理中的通信 1 工业数学杂志 在4个字段中引用 7 统计力学，物质结构（82-XX） 4 数值分析（65-XX） 三 偏微分方程（35-XX） 1 常微分方程（34-XX） 按年份列出的引文