此技术目前不可用于授权
这些发明人的其他技术
减少半极性氮化物薄膜缺陷的横向生长方法 连续波垂直腔面发射激光器 利用原位相容基底形成消除错配位错 带介质P侧透镜的III-氮化物基垂直腔面发射激光器（VCSEL） 无铝包层非极性III-氮化物LED和LD 用于高功率输出GaN基LED的低成本氧化锌（UC案例2010-183） 原位SiNx纳米掩模减少GaN薄膜中的缺陷 隧道结接触晶片与导电氧化物结合的增强型光提取LED 用于光动力治疗的植入式光照射装置 低温沉积掺镁氮化物薄膜 透明无镜（TML）LED 用氨热生长法制备改进的GaN衬底 非极性半导体激光器激光棒定向的优化 促进半极性氮化物器件生长的方法 纳米多孔AlGaN模板紫外激光二极管 提高III-氮化物隧道结光电器件的可靠性和性能 多面体形状氮化镓块体晶体的生长 长波发射非极性III-氮化物LED 非极性InGaN薄膜、异质结构和器件的改进制备 高质量厚非极性M面GaN薄膜的生长 高效、无镜的非极性和半极性发光器件 优质Ⅲ族氮化物晶体的生长方法 通过改变半导体结构的局部电化学电位控制光电化学（PEC）刻蚀 白光LED用氟氧化物荧光粉 半极性薄膜、异质结构和半导体器件的氮化生长技术 （In，Ga，Al）N光电器件具有更厚的有源层以提高性能 热稳定、激光驱动的白色照明设备 平面非极性M面氮化镓的MOCVD生长 III-氮化物隧道结器件的制造方法 GaN半极性衬底上的低陡度LED结构 隧道连接装置的接触结构 异质界面错位的松弛模板上的半极性LED/LD器件 性能改进的半极性黄色、绿色、蓝色LED III-在热分解材料上的薄模板上生长的氮化物基器件 低缺陷密度半极性III-V氮化物薄膜的生长 III-具有高壁塞效率的氮化物隧道结LED 基于偏振敏感LED的可调谐白光 生长在半极性GaN上的分裂面边发射激光二极管 高性能M面GaN光学器件的生长 偏振发光二极管的封装技术 改进的半极性氮化物器件各向异性应变控制 高效紫外和远紫外发光器件的新型多层结构 图案衬底上的III-V氮化物器件结构 提高氮化物器件GaN衬底面积的方法 高强度固态白色激光二极管 具有紫外线透明触点的氮化物基紫外线LED 用于微型发电的GaN基热电器件 用衬底图案限制III-氮化物异质结构中的应变弛豫 具有最小光重吸收的LED器件结构 平面半极性氮化镓的生长 应变弛豫模板上生长的高效高功率III-氮化物器件 基于非极性和半极性AlInN和AlInGaN合金的紫外光电器件 非极性和半极性III-氮化物的缺陷减少 孔径P侧带曲面镜的III-氮化物基VCSEL MOCVD增强半导体（Al，In，Ga，B）N薄膜的生长
