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为Mair,S.L.找到16条引文。

Mair,S.click有17篇文章在这里看看这些。

搜索迈尔,S.L。世界结晶学家名录

结果1至16,按名称排序:


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硒化镉的结构已由扩展面晶体获得的X射线强度数据确定。纤锌矿参数u个结果为0.37679±0.00012。等效反射强度的比较为测量的内部一致性提供了测试。两个样品的等效反射平均与平均测量强度相差1.4%和0.6%,这证明扩展面晶体测量的内部一致性很高。从两个样本获得的数据中得出的36个结构因子的比较表明,它们与平均值的平均偏差为0.9%。根据观察到的Bijvoet比率对两个原子的色散修正进行最小二乘法改进的尝试失败了,可能是因为相关性。当一个原子的色散校正保持不变时,确实可以细化另一个原子的色散校正。

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通过与玻耳兹曼概率密度的傅里叶变换的精确计算进行比较,研究了一维单粒子势的非简谐微扰理论引起的温度因子误差。给出了由谐波概率密度函数的矩或累积展开式导出的温度因子的立方系数和四次系数的范围的结果。研究发现,对于适度小的非谐性,两种展开式都能提供足够的非谐温度因子近似值,但随着非谐性的增大,两种膨胀式都变得越来越不充分。

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图1中麦肯齐和梅尔的部分[《水晶学报》。(1985). A类41,81-85]被错误标记,因此()至(d日)和(e(电子))至(小时)垂直运行。正确的标签有零件()和(b条)在最上面一行(c(c))和(d日)在第二行(e(电子))和((f))在第三条线上()和(小时)在底部。参考Scheringer(1984,b条)应阅读Scheringer(1985,b条).

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描述了通过比较Friedel相关反射对的强度来确定非中心对称晶体的晶体极性,这些反射对来自倾斜于延伸晶面的平面。使用立方ZnS的测量来说明该方法。讨论了从倾斜于延伸晶面的平面反射的吸收的一般情况。

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两个SrF单晶中子布拉格反射的精确积分强度2在295至1043°K的温度下进行了测量。对消光和热扩散散射进行了校正,并根据包含原子热振动中谐波和非谐波成分的模型对实验数据进行了分析。三阶非谐项的重要贡献,βF类,在所有温度下都观察到氟原子的单粒子势,与它们的四面体位置对称性一致。在773°K下,显著各向异性四阶分量,δ高级δF类在锶和氟原子的热振动中变得明显。在这个温度下βF类精炼至-3.45(±0.11)×10-12erg奥-3,使用δ高级= 1.30 ( ± 0.75) × 10-12erg奥-4δF类= 0.84 (± 0.29) × 10-12erg奥-4.参数的正符号δ高级δF类由于库仑力对原子振动的影响。

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对于纤锌矿型晶体中经历非简谐热振动的原子,导出了有效单粒子势的一般形式,并导出了立方项。由此产生的电势表明了在这些结构中观察到的初级热释电的机制。结构参数的偏差u个在各种纤锌矿结构中,从其预测值来看,与热电效应密切相关,也可归因于非谐性。研究了非简谐性对X射线和中子弹性散射的影响。结果表明u个布拉格强度的传统表达式中的参数隐式包含一阶非谐效应,但需要修改强度表达式的形式来解释高阶非谐影响。

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对最近公布的LiOH的X射线和中子衍射数据的分析表明,氧赝原子的电子密度存在明显的非球形变形。与孤立氢氧化离子电子密度的理论计算进行比较表明,这些变形是由于π-就像氧与邻近的氢伪原子的键合。观察到的特征形状与经过刚体平动和平移的孤立氢离子的非球形电子分布一致。结果表明,刚体平动的一个重要影响是氧赝原子电子密度有效四极子分量的符号反转。

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Adrian&Feil单晶X射线数据的再分析[《水晶学报》(1969),A25对于氟化铵,438-444]表明,负电荷从铵离子的“表面”转移到中心氮。除了电荷转移之外,分析中使用的模型还允许铵离子的非刚体运动和氢电子密度的非球面性。这种非球面性有两种不同的表现方式,一种是浮置单极子,另一种是以中子确定位置为中心的极化分布。这两个模型对数据进行了相似的拟合,得到了相似的电荷转移参数,因此认为浮-单极模型适合于获得总分子电子分布的特性。然而,如果需要有关氢伪原子的信息,则首选偶极模型。本分析与以前的分析进行了比较,采用了从铵离子的分子波函数导出的结构因子。这些先前的分析不如预期的成功,这是因为他们过分简化了铵离子作为刚体的处理,并且忽略了晶体场效应。

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结果表明,除非晶体中的原子位置参数完全由对称性决定,否则对应于热应变晶格中电势最小值的位置参数与对应于热力学平衡的位置参数不同。通过适当细化X射线或中子衍射数据,可以获得两组位置参数以及围绕平衡位置展开的单粒子势的线性系数和高阶系数。

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通过将有效单粒子势拟合到坂田、原田、库珀和劳斯测量的布拉格中子衍射强度[《水晶学报》。(1980),A36,7-15]对于立方钙钛矿型氯化铯铅,CsPbCl已经确定,与坂田的结果相反等。,氯离子的有效单粒子势既不独立于温度,也不具有高度非谐形式θ/λ= 0.58 Å-1个,Cl离子的单粒子概率密度函数为单峰。提出有效单粒子势的强温度依赖性,以及在反铁畸变相变温度以上Cl和Cs离子的均方位移所观察到的伴随异常温度行为,是由软模振动引起的。导出了存在软模时均方位移的温度依赖性,并首次表明,在远高于临界温度的温度下,显著的温度不变化分量将是主要的附加效应。CsPbCl中的Cl和Cs离子遵循导出的均方位移关系。

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分子动力学已被用于评估二维晶体的性能,该晶体表现出二阶软模相变。使用与温度无关的晶体振动势,在计算机模拟中再现了在模拟真实系统的相干散射中实验观察到的基本特征。电势由具有多个极小值的有效单粒子分量和谐波最近邻耦合分量组成。强调耦合分量对于正确再现扩散散射和均方位移随温度变化的定性特征至关重要。尖点出现的条件T型C均方位移讨论了温度曲线,证明了散射中超晶格峰的形成。

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硅X射线结构因子的高精度绝对测量[Aldred&Hart,程序。R.Soc.伦敦,Ser。A类, (1973).332,223-238]已被用于分析电子分布的一些模型。最初,价电子分布(假设氖核与孤立硅原子的价电子分布无关)是以如下形式的径向基建立的第页n个经验(-ζr)通过包含八级和十六级术语,允许非球形。用相关模型实现了改进的表示,其中改进了总孤立原子电子密度的变形。键区变形电子密度的准确形状敏感地依赖于单极形变项。异常离散贡献(Δf’)对散射因子进行了细化,发现其与最近的干涉测量结果一致,但与最近的计算结果不一致。在293.2 K时,八极密度项比在92.2 K时略尖锐,预计222反射的结构因子在较高温度下会更大。这些影响可能是由于卷积近似的失败或结构系数数据的非谐波校正的不确定性。

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《水晶学报》。(1987年)。A类43,C86号机组
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