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发现了33篇针对Hashizume，H的引文。

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结果1到20，按名称排序：

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用X射线和电子衍射数据确定Si（111）7×7表面电子分布的最大熵

C.A.M.卡瓦略，A.戈什，I.K.罗宾逊和H.哈希祖姆

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用于同步辐射谐波抑制的非对称槽单晶硅单色器

为了抑制晶体衍射同步加速器X射线辐射中的不希望有的谐波，对单片沟槽晶体单色器进行了理论和实验研究。只需在完美晶体中建造非平行的槽壁，就可以消除两个晶体上动态衍射范围的重叠，以获得高次谐波，同时保留基波的部分重叠，从而大大提高衍射光束的基波谐波比。壁角为0°和7°的槽形硅111单色器在1.2到1.6°之间的基波波长上提供了优于3.3%的谐波污染光束，光束强度超过标准沟道切割晶体的50%。硅331和511版本可以实现远低于0.1%的谐波污染。非对称沟槽单色器可以作为稳定的波长扫描器工作，无需精确控制角度即可消除谐波。

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用于同步辐射X射线谐波抑制的非对称槽单晶硅单色器：勘误表

Hashizume中发生打印错误[J.应用。克里斯特。(1983).16, 420–427]. 第425页的前两个完整句子应为：A类在以下条件下达到最小值0.024b条_二=0.27，其中保留了约一半的初始基本强度。基本强度的初始上升，出现在1.0>范围内b条_二≥0.64，通过仔细检查R（右）⁽¹⁾_小时我并且，R（右）⁽¹⁾_0二在相关的b条_二值：偏移和扩展的峰值轮廓R（右）⁽¹⁾_0二允许高角度尾部R（右）⁽¹⁾_小时我并拒绝低角度侧翼R（右）⁽¹⁾_{夏威夷群岛}前者带来的收益超过后者造成的损失。

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一种用于衍射图快速记录和处理的X射线电视系统

H.哈希祖姆，K.Kohra公司和Y.Oguro先生

为了快速检测和记录衍射图样，研制了一种使用荧光屏和正电子像管耦合的X射线电视相机。它的感光度大约是摄影胶片的750倍，产生的视频信号为S公司/N个事件4×10时=10⁴ 铜K（K）α量子秒⁻¹ 毫米⁻²，动态范围为1:30，空间分辨率为6.4 磅毫米⁻¹通过记录二甲酰肼单晶的旋转模式，对探测器系统进行了测试，结果表明，可以测量反射强度，精度优于10%。为了用计算机处理电视图像，我们制作了一个使用存储管的图像读出装置。高灵敏度和大检测窗口（42 直径为mm）和快速（40 μs，每80×80 μm分辨率元件），使集成系统最适合快速测量大分子晶体的同时反射。该相机还可以在几秒钟的曝光时间内记录肌肉的小角度衍射图案。

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位置灵敏探测器在粉末衍射测量中的应用

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GaAs（111）衬底上氟化物外延薄膜的结构

H.哈希祖姆，O.坂田，T.Niwa公司和杉山先生

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镁的高压多晶型的结构_三十亿_三根据X射线粉末数据确定

H.平口，H.哈希祖姆，S.佐佐木，S.Nakano公司和O.福田康夫

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氮化硼镁的结构测定_三十亿_三，来自X射线粉末衍射数据

H.平口，H.哈希祖姆，O.福田康夫，A.竹中和M.Sakata先生

低压相氮化硼镁的晶体结构_三十亿三(L（左）)，已解决从头算来自X射线粉末数据。电池为六边形（空间组P（P）6_三/货币市场委员会，Z轴=2）带有一= 3.54453 (4),c（c）= 16.03536 (30) Å. 镁原子的初始位置参数是从Patterson函数中获得的，该函数是由全粉末模式分解得到的50个积分强度生成的。剩余的原子是通过试错模型构建定位的，随后是Rietveld细化(R（右）_水处理= 8.5%). 该结构可描述为包括ABB公司'BACC公司'加利福尼亚州…垂直于c（c）轴与线性N=B=N分子阴离子的位置A类，镁²⁺在个位置B类和C类和镁²⁺在位置上有三个协调的N原子B类'和C类'，尽管镁_三十亿_三(L（左）)不是层化合物。通过对相同的强度数据应用标准直接方法，也获得了非常相似的结构。利用最大熵方法从结构因子数据中计算出高质量的电子密度图。

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用X射线粉末数据测定氮化硼的晶体结构

H.平口，N.苏多，H.哈希祖姆，S.Nakano公司和O.福田康夫

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X射线反射率L（左）Gd的边缘

N.Ishimatsu公司，C.T.文卡塔拉曼，H.哈希祖姆，N.霍索托，K.Namikawa公司和岩水县T.Iwazumi

将掠角X射线散射技术与硬X射线共振磁散射相结合，对稀土多层膜磁性界面粗糙度进行实验研究的准备工作正在进行中。理论考虑表明，对于小散射角，2θ不对称比率，A类= [我(+) −我(−)]/[我(+) +我（−）]，取决于2θ并以1/cos变化θ.通过测量化学粗糙度，朝着确定磁性粗糙度的目标迈出了第一步(通过Gd薄膜样品在接近L（左）_三吸收边产生色散修正，（f）'和（f）′，到Gd原子形状因子，与Cromer&Liberman的计算一致[化学杂志。物理. (1970),53, 1891–1898].

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用于X射线晶体学的多极延迟线读出高计数率区域探测器

M.Koike先生，长谷川（K.Hasegawa），K.Mochiki先生，T.小川，H.桥久美和伊塔卡Y.Iitaka

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（111）取向Si/Si的界面粗糙度_1-xGe公司_x多层膜

J.H.李，Y.Yamaguchi山口，P.M.雷默，坂田O.Sakata和H.哈希祖姆

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基于面积检测器的蛋白质晶体高速数据采集系统

K.Mase公司，H.哈希祖姆和伊塔卡Y.Iitaka

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利用X射线掠角反射率数据评估抛光硅表面和磁性多层界面的微粗糙度

M.Nakanishi先生，A.余。尼库林，O.坂田和H.哈希祖姆

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氧化物掩模边缘弹性应变对注入硅单晶中硼离子分布的影响

A.余。尼库林，坂田O.Sakata和H.哈希祖姆

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根据X射线摇摆曲线数据以亚微米分辨率绘制硅晶体中的二维晶格畸变图。勘误表

A.余。尼库林，O.坂田，H.哈希祖姆和P.V.Petrashen（彼得拉森）

Nikulin、Sakata、Hashizume和Petrashen的论文[J.应用。克里斯特。(1994),27，338–344]，二维地图中的横向分辨率评估不正确。应根据单个横向扫描的全角度范围计算正确值，得出0.325 μm在所描述的实验条件下，是旧值的一半。

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基于X射线摇摆曲线数据的亚微米分辨率硅晶体二维晶格畸变映射

A.余。尼库林，O.坂田，H.哈希祖姆和P.V.Petrashen（彼得拉森）

离子注入（111）硅晶体薄表面层中垂直于表面的晶格畸变已被映射为深度和横向位置的函数，分辨率为0.05和0.65 μm。从横向具有周期性超结构调制的样品中，在基波111附近和卫星反射附近收集了X射线三晶衍射数据。300 千伏B⁺通过表面掩模窗口注入的离子在0.15的极薄层中会产生晶格畸变 1.05时厚度为μm 表面以下μm深度，垂直于表面的面间晶格间距增加了10倍⁴畸变在横向上明显扩展，表明离子扩散。A 0.5 μm厚的热氧化物带使带区下衬底硅晶体的晶面间距缩小了十分之几⁴，而平行氧化物边缘产生的应变场延伸到深度超过3 微米。还描述了在应变场涉及严重畸变层的情况下，求解相位问题的实用程序。

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基于X射线衍射数据的离子注入晶体二维晶格畸变的高分辨率映射

A.余。尼库林，T.E.古列夫，A.W.史蒂文森，S.W.威尔金斯，H.哈希祖姆和D.库克森

注入硼的硅（111）晶体近表面层的二维晶格畸变⁺利用三晶体同步辐射X射线衍射数据，绘制了通过周期性氧化物掩模图案的100KeV能量离子，在深度和横向上的空间分辨率分别为0.016和0.265微米。

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澳大利亚国家束线设施对具有横向周期超结构的硅样品进行的高分辨率三晶X射线衍射实验

A.余。尼库林，A.W.史蒂文森，H.哈希祖姆，S.W.威尔金斯，D.库克森，G.福兰和R.F.加勒特

在光子工厂同步加速器澳大利亚国家光束线装置上，用高分辨率三晶衍射仪研究了具有横向周期超结构的离子注入Si（111）样品。通过对数据的详细分析，可以得到垂直于样品表面的晶格畸变的横向位置和深度图。

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六水硝酸钶钽酸盐多晶性及低温相变的时间分辨X射线粉末衍射研究

J.普勒弗特，H.哈希祖姆和D.卢尔

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