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为巴赫拉米D发现了8处引文。

搜索巴赫拉米,D。世界结晶学家名录

结果1到8,按名称排序:


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为了揭示辐射损伤的起源,在第三代源PETRA III的P08光束线微焦点站,在环境条件和He气氛下,对具有as-grown几何形状的单个半导体纳米线进行了纳米探针X射线衍射实验。暴露在环境条件下的纳米线表现出严重的光学和形态损伤,而暴露在He气氛下的纳米线则减少了这种损伤。

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单GaAs/(In,Ga)As/GaAs核-壳-壳纳米线异质结构的完整结构已在As-grown几何中确定。这是通过使用同步辐射的X射线纳米衍射和使用有限元方法的纳米线建模来探测平面内布拉格反射来实现的。

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应用同步辐射相干纳米束X射线衍射方法研究了GaAs单根纳米线中层错的类型、数量和层错之间的精确距离。

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单个纳米线的弯曲半径和应变是使用纳米聚焦光束的X射线衍射和强弯曲晶体的专用衍射理论确定的。电子显微镜研究证实了这一结果。

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《水晶学报A》。(2016).A类72第140页
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《水晶学报》。(2021)。A类77C720型
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《水晶学报》。(2019).A类75e655(电子655)
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