封面插图:用静电势着色的硅的电子密度等值面(红色表示最低,蓝色表示最高),以及硅的会聚束电子衍射(CBED)图案。相邻原子之间的红色区域表明,静电势因过剩(键合)电子而降低。静电势和电子密度是用CBED结构再精细化方法测定的等。(2008)中,《水晶学报》。A类64, 587-597]. 该图是使用VESTA公司[Momma&Izumi(2008),J.应用。克里斯特。 41, 653-658].
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