（IUCr）《晶体学学报》A卷第52卷第2部分，1996年3月

《水晶学报》。(1996).A类52,125-132
doi:10.1107/S010876739501169X

Al–Mn–Si合金中准晶向晶相转变的近似和中间阶段

V.汉森和J.Gjönnes

从准晶到结晶Al–Mn–Si相的转变用两个互补的菱形元素来描述，这两个元素的边沿二十面体的三重轴。

阅读文章

关于整合直接方法和同构替换技术。一、四重不变量的分布函数

C.贾科瓦佐和D.斯利奇

对于两个同构结构，导出了七对结构因子的联合概率分布函数，由此可以估计四元数。

阅读文章

关于整合直接方法和异构替换技术。二、。四方不变量估计

C.贾科瓦佐和D.斯利奇

在缺乏先验信息且已知重原子结构的情况下，提供了估计四重相位的公式。

阅读文章

结合高分辨率电子显微镜的电子衍射强度校正方法

D.X.黄,刘伟（W.Liu）,Y.X.顾,熊建伟（J.W.Xiong）,高压风机和F.H.李

提出了一种经验方法，用于修正由Ewald球体、晶体弯曲、动态散射引起的电子衍射强度畸变等。该方法基于电子衍射和高分辨率电子显微镜的结合。

阅读文章

用高分辨率透射电子显微镜差分法检测硅单晶中的点缺陷

M.Awaji先生和H.桥本

通过改变噪声水平，讨论了高分辨率透射电子显微镜图像和减影图像的对比度，以检验观察和识别弱对比度点缺陷的可能性。

阅读文章

生成对称自适应函数的递归算法：原理及其在二十面体群中的应用

W.Prandl公司,P.希贝尔和K.沃尔夫

球面调和函数的乘积可以用代数方法分解为单个函数的和。该定理用于通过递归算法计算高阶对称自适应函数。

阅读文章

C的定向障碍、定向密度分布和旋转电位₆₀

P.Schiebel公司,K.沃尔夫,W.Prandl公司,G.海格,R.帕普拉尔和W.保卢斯

各向异性密度分布和旋转势V（V）（ω）根据C的中子和X射线衍射数据确定₆₀295K下的单晶。V（V）（ω）展示了两组极小值，它们由欧拉角空间的内在几何固定。

阅读文章

NH的几乎自由旋转_三晶体中的分子：从[Co（NH）中质子密度的最大熵重建观察_三)₆]（PF₆)₂

P.希贝尔,W.Prandl公司,R.帕普拉尔和W.保卢斯

最大熵重建与通过晶体结构分析对观察到的结构因子绝对值进行初步定相相结合，可以直接观察到氨分子的密度，这表明在295K和30K下几乎可以自由旋转。

阅读文章

六方晶格二元固溶体有序结构的描述问题

V.N.布加耶夫和R.V.切普尔斯基

建立了由六方晶格二元固溶体无序状态产生的所有类型的热力学稳定（Lifshitz）有序结构。

阅读文章

硫脲低温调制结构的时间松弛

一、阿兰布鲁,G.马达里亚加,J.M.佩雷斯-马托和T.布雷琴斯基

已检测到170K下硫脲的非公度相衍射强度的系统且可减少的缓慢时间变化。观察到的动力学过程可以用孤子密度的缓慢松弛来定量解释，结构调制向更正弦的状态发展。

阅读文章

可变相干显微镜：无序材料结构信息的丰富来源

M.M.J.特雷西和J.M.吉布森

透射电子显微镜空心锥暗场图像中的斑点统计为退火非晶锗薄膜的中程有序性提供了证据

阅读文章

柏拉图立体旋转对称下全对称函数空间的显正交固定基

Y.Zheng先生和P.C.Doerschuk公司

计算了球面上平方积分函数空间的子空间的显式完全正交固定基，其中子空间包含在柏拉图立体的旋转对称下完全对称的函数。二十面体的情况对于球形病毒的结构研究很重要。

阅读文章

共振交换散射：极化依赖性和相关函数

J.P.希尔和D.F.McMorrow公司

重新计算了X射线共振交换散射截面，以强调磁矩各个分量的贡献。还导出了静态相关函数。

阅读文章

Bartels五晶体X射线衍射仪的仪器展宽功能

P.D.希利和J.E.艾尔斯

对Bartels衍射仪的仪器增宽函数进行了分析描述。该结果允许根据测量的宽度确定试样摇摆曲线宽度。

阅读文章

二维准晶的点群和弹性性质

C.胡,R·王,W.杨和D.丁

讨论了二维准周期和一维周期结构固体的可能点群和弹性性质。

阅读文章

弹性和吸收电子原子散射因子的稳健参数化

L.-M.彭,G.任,S.L.杜达列夫和M.J.惠兰

开发了一种稳健的算法，并应用于弹性和吸收电子原子散射因子的参数化。

阅读文章

五维对称最小函数和最大熵方法Ab Initio公司十角结构的求解

T.海巴赫和W.斯特勒

以下各项的组合n个-基于最大熵方法的维对称最小函数从头算推导了十边形结构的解，并给出了两种结构解。

阅读文章

数据集的完整性对用最大熵方法获得的电荷密度的影响。硅中电子密度分布的再检验

M.高田和M.坂田

为了检验数据集的完整性对用最大熵法（MEM）导出的电荷密度的影响，用彭德尔松MEM对该方法进行了重新分析。研究发现，先前硅的MEM电荷密度的精细特征是非物理人为调制，这是由于在不完全集合的情况下，MEM无法在缺失数据的间隙上进行外推而导致的，并且由于用于计算的数据集不完整，键中点的最大值被人为夸大MEM。

阅读文章