【光明追想】

半導体材料専門家、中国工程院士、中国科学院半導体所研究員の梁駿吾氏は、病気の治療が効かず、2022年6月23日に北京で逝去した。享年89歳。

梁駿吾、1933年9月18日生まれ、湖北省武漢出身。1955年に武漢大学を卒業し、1956年から1960年にかけてソ連科学院モスクワのバイイコフ冶金研究所で副博士号を取得し、1960年に技術科学の副博士号を取得した。1997年に中国工程院院士に選出された。中国電子学会半電子材料単位会主任、名誉主任を務めた。

梁駿吾は我が国のシリコン材料研究に従事する元老級専門家であり、1960年代に高純区のシリコン溶融の鍵となる技術を解決した。1964年に室温レーザ用GaAs液相エピタキシャル材料を作製した。1979年に大規模集積回路用の転位フリー、渦フリー、低微小欠陥、低炭素、制御可能酸素量の良質なシリコン領域溶融単結晶の開発に成功した。80年代に初めて窒素添加中性子急変シリコン単結晶を創始し、シリコンシートの完全性と均一性の問題を解決した。90年代初めにMOCVD成長超格子量子井戸材料を研究し、結晶完全性、電気的性能と超格子構造制御の面で、中国の超格子量子井戸材料を実用レベルに推進した。

半導体材料の科学研究事業と生涯を共にした梁駿吾氏はインタビューで、自分の科学研究経験を通じて、若い科学研究者にいくつかの啓発を与え、彼らにこの事業が何かできることを見せ、彼らに自分も成果を出せると思わせたいと語ったことがある。（光明日報全メディア記者李苑）