标题：分数量子反常霍尔效应的观测
摘要：自发对称破缺和拓扑结构之间的相互作用可能导致物质的奇异量子态。一个著名的例子是量子反常霍尔（QAH）效应，由于拓扑非平凡带和本征磁性，它在零磁场下表现出整数量子霍尔效应。在强的电子-电子相互作用下，零磁场下会出现分数阶QAH（FQAH）效应，这是分数阶量子霍尔效应的晶格模拟，没有朗道能级的形成。在本次演讲中，我将使用磁光和输运测量相结合的方法，对扭曲MoTe 2双层中的FQAH效应进行实验观察。此外，我们在填充因子-1/2附近发现了一个反常的霍尔态，其行为类似于高磁场下二维电子气的半填充最低朗道能级中复合费米液相的行为。直接观察
FQAH和相关效应的研究为研究电荷细分和
零磁场下的任意电子统计。
参考
1.分数量化异常霍尔效应的观测，Heonjoon Park等人，Nature，
https://www.nature.com/articles/s41586-023-06536-0(2023);
2.扭曲MoTe2双层中分数量子反常霍尔态的特征
Cai等人，《自然》，https://www.nature.com/articles/s41586-023-06289-w(2023);
3.通过门控MoiréGeometry编程相关磁状态，Eric
Anderson等人，《科学》，https://www.science.org/doi/full/10.1126/science.adg4268(2023).