静电场对层状半导体纳米结构电子和光学特性的影响

外部静电场是强大的调制因素之一可能会显著影响低维半导体中的准粒子态。在本章我们只考虑外部均匀静电的影响样本上的字段。电荷载流子在α沿系统量化轴的均匀电场首次在半导体量子化膜中检测了维半导体。从纯物理的角度来看，这一现象的本质如下：沿量化轴施加均匀的外部场改变了量子阱的底部，以某种方式修改了载流子及其波函数。在磁场的影响下量子阱中电子云的重心坐标发生偏移，从而波函数的重叠区域也发生了变化。在以下因素的影响下电场也会发生阱中载流子能级的移动（量子限制的斯塔克效应）。在本章中，我们将介绍以下方面的分析计算a中单电子态的能谱和包络波函数存在横向于平面的均匀静电场的量子阱水井。对三个不同的外部磁场间隔进行计算我们通常将其定义为“弱”、“中”和“强”。

在本章中，我们将量子化半导体薄膜“卷曲”成管。因此，我们获得了量子化半导体纳米圆柱体层，或者说，按照它的情况也称为半导体纳米管（SNT）。此后，我们从理论上进行了研究横向均匀静电场对电荷能谱的影响SNT中的运营商。我们首先考虑SNT中缺少的单粒子态外部场的。调查是在层的厚度及其内半径。为获取显式表达式层中单粒子态的能谱和包络波函数没有外部磁场。之后，SNT中载流子的状态考虑弱（扰动）、中等和强静电场的存在在每种情况下分别进行。对于每种情况，相应的理论方法给出了能量和粒子的显式解析表达式碳纳米管中电荷载流子的包络波函数垂直于系统对称轴的均匀静电场。如果必要时，还将分析结果与数值结果进行了比较计算。Stark分裂对几何尺寸的显式依赖获得样品的强度和外部场的强度。关于以下示例锑化铟圆柱形纳米层——窄带SNT中载流子的行为还考虑了强横向电场的存在。

半导体圆柱形纳米层中的单粒子态考虑了横向径向电场作用下的（纳米管）。假设：，电荷载流子径向运动的强量子化区域发生了纳米管。能谱和包络的显式解析形式在弱和强径向电场。分析结果与进行了数值计算。这些结果的一致程度表明选择这种理论方法来解决考虑的问题。宽禁带半导体圆柱中的单粒子态理论上考虑了放置在均匀带电环场中的纳米管在有效的mass近似中。结果表明带电环在管中沿对称轴创建额外的量子阱系统。它还表明，这个量子阱可以被描述为一维的修正类库仑势。通过使用变量方法该阱中载流子前两个态的功能和能级为获得。考虑了窄间隙InSb纳米管的电子态均匀带电环场。该问题也在变分法。重和轻的能谱和波函数在带电环场存在下的载流子是在显式分析形式。

半导体纳米管中相互作用电子-空穴对的状态理论上考虑了强横向均匀电场的存在。它是在单粒子近似中显示了电荷的大小量化载流子沿径向的运动外部强电场导致粒子的额外（场）局域化也由角度变量决定。同时强大的外部场使电子-空穴对极化，并将它们捕获在相反的位置管子直径的末端。因此，具有横向的激子复合体系统直径的大小是在纳米管中形成的。通过使用变分法研究原子前两态的结合能和波函数计算了管内这种场类激子配合物（FELC）。The specificities of半导体量子环中存在相互作用的电子-空穴对态还考虑了强横向均匀静电场。The influence of the二维和一维纵向均匀静电场分别考虑了量子薄膜和量子线中的激子态。在准经典近似纵向外电场影响下的一维激子已计算。电离概率对外场的依赖性强度是以显式分析形式获得的。结果表明，当系统的维数降低，激子电离的依赖性与三维情况相比，值外场的概率为削弱。

在强量子化区域中，量子中的单粒子态载流子局域化条件下的异质结构核/层/包层考虑到了构成的分层成分。调查是在无外场和弱场的情况下进行强均匀静电场以及径向对称电场字段存在。在弱场的情况下，层中的限制斯塔克效应是考虑过的。相应地层中的载流子和相应的微扰包络单电子计算了外均匀电场作用下的波函数。这个分别对径向扰动和层中载流子的轨道运动。强同质的影响量子点量子结构中电荷载流子态的电场对气井（QDQW）进行了理论研究。结果表明，强外场会发生变化从根本上分析了载体在结构中的运动特性，并导致了额外的现场定位沿着polarangle变量的粒子的。波的一种明确形式存在时结构中单粒子态的功能和能谱获得了一个外场。实验和操作的可能性理论结果在核/层/壳研究中的应用还显示了空心球的结构。显式分析表达式能量谱和包络波函数得到了异质结构中心的径向静电场。这个给出了混凝土CdS/HgS/CdS结构的定量估计。